瑞森半導體進一步壯大和完善超結（SJ）MOSFET系列，推出600V超結功率MOSFET---RSF60R070F、RSF60R026W型號。2枚新品各自具備核心優(yōu)勢，為國內少有產品型號 ，技術領航市場。

市場上70mΩ的超結（SJ）MOSFET產品，芯片面積超出TO-220F載芯面積，常規(guī)均采用TO-247封裝，瑞森半導體新產品RSF60R070F采用專有的晶胞結構和特殊工藝流程，進一步優(yōu)化產品設計，在Rdson不變的情況下，有效減小芯片面積，滿足TO-220F/TO-263等封裝外形，從而大幅減少器件在PCB線路板上占用的空間（TO-220F與TO-247封裝外形相比，整體尺寸節(jié)約50%），助力小型化產品的應用。

RSF60R070F實測耐壓為600V，導通電阻僅為58mΩ，使得MOS管在導通狀態(tài)下實現(xiàn)更小的功率損耗和更高的效率，同時成本也隨之下降，為客戶提供低成本設計方案。該款產品主要適用于電源、電機控制、逆變器和其它高壓開關應用等。

產品優(yōu)勢：

?常規(guī)產品封裝為TO-247，而RSF60R070F為TO-220F封裝，做到大電流小封裝；

?有效減小芯片面積，大幅減少器件在PCB線路板上占用的空間；

?內置FRD，適應LLC線路，并適合多管應用；

?具有更快的開關速度，更低的導通損耗；

?極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統(tǒng)效率；

?優(yōu)異的EMI性能

瑞森半導體具備超小內阻的新品RSF60R026W，目前市場上硅基超結MOS最小內阻為30mΩ左右。瑞森半導體基于豐富的超結MOS開發(fā)經(jīng)驗，開發(fā)出實測耐壓為600V，導通電阻典型值20mΩ的超結（SJ）MOSFET，導通電阻減少了33% ，提高了開關性能，進一步降低功率損耗，可以極大提升整機電源的轉換效率。RSF60R026W適用于連續(xù)導通模式功率因數(shù)校正(PFC)、雙管正激、LLC和太陽能升壓等拓撲線路，典型應用于太陽能、服務器、電信設備和UPS(不間斷電源)等。

產品優(yōu)勢：

?實現(xiàn)超小內阻,能做到RDS(ON)典型值20mΩ

?導通電阻減少了33% ，降低功率損耗，進一步提高效率；

?內置FRD，適應LLC線路，并適合多管應用；

?100%雪崩測試；

?低柵極電荷、低導通電阻；

?優(yōu)異的EMI性能

瑞森半導體在超結（SJ）MOSFET系列上持續(xù)投入研發(fā)，現(xiàn)有產品包括內置ESD系列(RSE****)、內置FRD系列(RSF****)，耐壓涵蓋 600V 、650V、700V、800V 等，導通電阻從20mΩ到1000mΩ，全系列均具有出色的導通電阻特性，可提高效率和易用性，同時顯著降低開關和傳導損耗。性能對標國際品牌，助力國產化，已在市場具備知名度和美譽度。瑞森半導體將持續(xù)升級超結（SJ）MOSFET系列，滿足不同客戶的應用需求。

瑞森半導體將繼續(xù)開發(fā)導通電阻更低、功能更完善的產品，降低功率損耗，滿足各種應用場景，助力客戶提升整機電源轉換效率。瑞森半導體600V超結（SJ）MOSFET---RSF60R070F型號和RSF60R026W型號已上市，誠邀全球客戶咨詢。