由于芯片結(jié)構(gòu)的改變，超結(jié)MOS的結(jié)電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低，超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻，在相同的芯片面積下，超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。較低的內(nèi)阻，能降低損耗，減少發(fā)熱。今天深圳銀聯(lián)寶科技帶來(lái)的是33W全負(fù)載高效率超結(jié)硅電源管理方案：U8733+U7612B，可顯著提升產(chǎn)品的易用性和效率！

電源管理芯片U8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM 電源管理芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率 MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件等優(yōu)點(diǎn)。U8623在一定條件下適用于輸入電壓AC90V-264V的輸出功率為22.5 W以內(nèi)的離線式反激開(kāi)關(guān)變換器，滿足VI級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)。U8623采用SOP-8并采用單邊漏極并聯(lián)封裝增加散熱效果。

電源管理芯片U8623特征：

1）固定 65K 赫茲的開(kāi)關(guān)頻率

2）內(nèi)置抖頻技術(shù)優(yōu)化EMI

3）根據(jù)負(fù)載大小自適應(yīng)多種工作模式包括打嗝模式、綠色節(jié)能模式和定頻PWM工作模式

4）內(nèi)置斜率補(bǔ)償?shù)姆逯惦娏骺刂品绞?/p>

5）內(nèi)置過(guò)流點(diǎn)補(bǔ)償優(yōu)化寬輸入電壓范圍內(nèi)最大輸出功率的一致性

6）內(nèi)置前沿消隱技術(shù)

7）低空載待機(jī)功耗（<65mW@AC230V）

8）支持恒壓、恒功率、恒溫輸出

9）內(nèi)置軟啟動(dòng)技術(shù)

10）內(nèi)置集成多種自保護(hù)功能，包括：VCC欠壓保護(hù)功能（UVLO）、VCC過(guò)壓保護(hù)功能（OVP）、逐周期限流功能（OCP）、恒溫輸出功能（OTP-L）、CS引腳開(kāi)路保護(hù)功能

同步整流芯片U7612B是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開(kāi)關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7612B內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。U7612B的快速關(guān)斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應(yīng)力，可支持?jǐn)嗬m(xù)工作模式(DCM)、準(zhǔn)諧振工作模式(QR)及連續(xù)工作模式(CCM)。其內(nèi)部集成有智能的開(kāi)通檢測(cè)功能，可以有效防止反激電路中寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開(kāi)關(guān)誤開(kāi)通。

同步整流芯片U7612B內(nèi)部集成有智能開(kāi)通檢測(cè)功能，可以有效防止反激電路中由于寄生參數(shù)振蕩引起的同步整流開(kāi)關(guān)誤開(kāi)通，提高了系統(tǒng)效率及可靠性。電源管理芯片U8623具備恒功率輸出模式，當(dāng)FB腳電平大于3.7V以后，芯片PWM占空比由CS引腳電平對(duì)應(yīng)的VOCP來(lái)控制，為保證在AC90V-264V輸入范圍內(nèi)的恒功率性能，對(duì)VOCP值根據(jù)占空比進(jìn)行補(bǔ)償。