99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

伯恩半導(dǎo)體新品推薦 | 超結(jié)MOS管在TV電視上的應(yīng)用

伯恩半導(dǎo)體 ? 2025-05-07 14:36 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

伯恩新品推薦

超結(jié)MOS管在TV電視上的應(yīng)用

a058ee0c-2b0d-11f0-9434-92fbcf53809c.jpg


超結(jié)MOS管是現(xiàn)在大屏幕彩電中使用比較廣泛的功率開關(guān)管,它具有體積小、可靠性高、效率高等優(yōu)點。隨著TV電視的不斷創(chuàng)新,功率器件的設(shè)計及性能也在不斷地優(yōu)化升級。在電源電路中,超結(jié)MOS管通常用來實現(xiàn)功率變換。

隨著TV電視的小型化、輕薄化、智能化的發(fā)展趨勢 ,伯恩半導(dǎo)體針對新一代TV在功率器件的需求進行了不斷地升級和改進,提供不同封裝類型的超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品,并提供一對一的技術(shù)服務(wù)支持。

a06834a2-2b0d-11f0-9434-92fbcf53809c.jpg

-智能TV電視典型應(yīng)用電路-

BMI70R600是一款超結(jié)MOS采用多層外延工藝技術(shù),擁有更優(yōu)的EMI特性, 超低導(dǎo)通電阻和結(jié)電容,有效降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,效率高,發(fā)熱小,可以適應(yīng)更高的開關(guān)頻率。


BMI70R600產(chǎn)品優(yōu)勢

多層外延工藝技術(shù)

低導(dǎo)通電阻,優(yōu)異EMI特性

對標(biāo)英飛凌C3、 P6、 P7系列

低損耗,高效率,低溫升




BMI70R600產(chǎn)品特性

RDS(on)(典型值)為520mΩ@Vgs=10V

低Ciss(典型值)為471pF

低柵極電荷(典型值)為13nC




BMI70R600產(chǎn)品應(yīng)用

a0748fcc-2b0d-11f0-9434-92fbcf53809c.jpg


BMI70R600產(chǎn)品參數(shù)

a088c604-2b0d-11f0-9434-92fbcf53809c.jpga09d187a-2b0d-11f0-9434-92fbcf53809c.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28919

    瀏覽量

    238131
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    109

    文章

    2626

    瀏覽量

    70803
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    42

    文章

    1933

    瀏覽量

    92769
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

    目錄 第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復(fù)合 第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容 第
    發(fā)表于 07-12 16:18

    33W全負載高效率結(jié)硅電源管理方案

    由于芯片結(jié)構(gòu)的改變,結(jié)MOS的結(jié)電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低,結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 05-13 11:11 ?304次閱讀

    新潔能Gen.4結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹

    結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計,漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū),形成“超級結(jié)”單元,通過電荷補償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:05 ?520次閱讀
    新潔能Gen.4<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹

    昂洋科技談MOS開關(guān)電源中的應(yīng)用

    MOS,即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體開關(guān)電源中扮演著至關(guān)重要的角色。
    的頭像 發(fā)表于 04-12 10:46 ?320次閱讀

    MOS電池管理系統(tǒng)(BMS)中應(yīng)用的解析

    隨著電動汽車(EV)、可再生能源存儲和便攜式半導(dǎo)體電子設(shè)備的快速發(fā)展,電池管理系統(tǒng)(BMS)保障電池安全、延長使用壽命和提高效率方面的作用變得越來越重要。MOS(場效應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:34 ?2252次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>在</b>電池管理系統(tǒng)(BMS)中應(yīng)用的解析

    什么是MOS,MOS電池系統(tǒng)中扮演著什么角色

    一、什么是MOS? MOS,全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(金屬氧化物
    的頭像 發(fā)表于 11-22 09:33 ?1958次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>,<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>在</b>電池系統(tǒng)中扮演著什么角色

    如何選擇合適的mos mos電源管理中的作用

    現(xiàn)代電子設(shè)備中,電源管理是確保設(shè)備穩(wěn)定運行和延長電池壽命的關(guān)鍵。MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體)因其高效率和快速開關(guān)特性,
    的頭像 發(fā)表于 11-15 11:01 ?1342次閱讀

    飛虹半導(dǎo)體MOS馬達驅(qū)動中的應(yīng)用

    馬達驅(qū)動對于MOS的開關(guān)速度要求是很重要的,畢竟快速開關(guān)的MOS管有助于減少開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。
    的頭像 發(fā)表于 11-09 09:24 ?769次閱讀

    電子科普!什么是激光二極半導(dǎo)體激光器)

    :光速) 從這個關(guān)系式可以看出,帶隙能量(Eg)與波長(λ)成反比。也就是說,帶隙能量越大,光的波長λ越短。 激光二極和LED等所用的化合物半導(dǎo)體是通過半導(dǎo)體材料(襯底)
    發(fā)表于 11-08 11:32

    MOS的閾值電壓是什么

    MOS的閾值電壓(Threshold Voltage)是一個至關(guān)重要的參數(shù),它決定了MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體
    的頭像 發(fā)表于 10-29 18:01 ?5277次閱讀

    中低壓MOS雙向型逆變器的應(yīng)用

    案例分享|中低壓MOS雙向型逆變器的應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 10-24 10:38 ?2022次閱讀
    中低壓<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>在</b>雙向型逆變器<b class='flag-5'>上</b>的應(yīng)用

    MOS寄生參數(shù)的影響

    MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體作為常見的半導(dǎo)體器件,集成電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而,MOS
    的頭像 發(fā)表于 10-10 14:51 ?1557次閱讀

    半導(dǎo)體PN結(jié)的形成原理和主要特性

    半導(dǎo)體PN結(jié)的形成原理及其主要特性是半導(dǎo)體物理學(xué)中的重要內(nèi)容,對于理解半導(dǎo)體器件的工作原理和應(yīng)用具有重要意義。以下是對半導(dǎo)體PN
    的頭像 發(fā)表于 09-24 18:01 ?4788次閱讀

    MOS的工作原理和特點

    MOS的工作原理是基于P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體之間形成的PN結(jié),通過改變柵極電壓來調(diào)整溝道內(nèi)載
    的頭像 發(fā)表于 08-10 17:39 ?1813次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的工作原理和特點

    MOS源極和漏極是什么意思

    MOS,全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體),是一種廣泛應(yīng)用的
    的頭像 發(fā)表于 07-23 14:21 ?1w次閱讀