電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,從臺積電InFO封裝在蘋果A10芯片的首次商用,到中國廠商在面板級封裝領(lǐng)域的集體突圍,材料創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)共同推動著一場封裝材料領(lǐng)域的技術(shù)革命。
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據(jù)Yole數(shù)據(jù),2025年全球扇出型封裝材料市場規(guī)模預(yù)計突破8.7億美元,其中中國市場以21.48%的復(fù)合增長率領(lǐng)跑全球,展現(xiàn)出強大的產(chǎn)業(yè)韌性。
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扇出型封裝的核心材料體系包含三大關(guān)鍵層級:重構(gòu)載板材料、重布線層(RDL)材料和封裝防護材料。在重構(gòu)載板領(lǐng)域,傳統(tǒng)BT樹脂正面臨玻璃基板和有機復(fù)合材料的雙重挑戰(zhàn)。
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日本住友化學開發(fā)的低熱膨脹系數(shù)BT樹脂(CTE<20ppm/℃)已實現(xiàn)200mm×200mm面板級應(yīng)用,其介電損耗(tanδ<0.003)較傳統(tǒng)材料降低40%。
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RDL材料的技術(shù)突破直接決定著扇出封裝的I/O密度上限。韓國三星電子采用193nm浸沒式光刻工藝開發(fā)的銅柱凸塊材料,線寬精度達到2μm,支持每平方毫米超1000個連接點。這種材料體系在AMD Instinct MI300系列AI芯片中實現(xiàn)應(yīng)用,使芯片間通信延遲縮短至0.5ns。
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同時,德國巴斯夫推出的新型納米二氧化硅填充環(huán)氧模塑料,在保持優(yōu)異導(dǎo)熱性能(導(dǎo)熱系數(shù)>2.5W/m·K)的同時,將吸水率控制在0.05%以下。這種材料在5G毫米波射頻模組中的應(yīng)用,使封裝體在-55℃~125℃極端溫度下的循環(huán)壽命提升至1000次以上。
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在消費電子領(lǐng)域,智能手機射頻前端芯片的集成度每提升一代,扇出封裝面積需求增加30%。蘋果A17 Pro芯片采用臺積電InFO_PoP技術(shù),將系統(tǒng)級封裝尺寸壓縮至9.8mm×9.8mm,這背后是RDL材料線寬從4μm向2μm的跨越式進步。市場數(shù)據(jù)顯示,2025年智能手機領(lǐng)域扇出封裝材料市場規(guī)模將達3.2億美元,占整體市場的37%。
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同時,安森美半導(dǎo)體為特斯拉Model 3開發(fā)的碳化硅功率模塊,采用FOPLP技術(shù)實現(xiàn)三相逆變器的集成封裝。該方案使用高導(dǎo)熱氮化鋁基板(導(dǎo)熱系數(shù)>170W/m·K)和耐高溫環(huán)氧灌封料(Tg>180℃),使功率模塊體積縮小40%,熱阻降低至0.5℃/W。據(jù)Yole預(yù)測,2025年車用扇出封裝材料市場規(guī)模將突破2.5億美元,年復(fù)合增長率達28%。
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并隨著3nm工藝節(jié)點的量產(chǎn),傳統(tǒng)封裝方案已無法滿足芯片間的信號完整性要求。英特爾公布的Foveros Direct 3D堆疊技術(shù)中,銅-石墨烯復(fù)合通孔材料將TSV導(dǎo)通電阻降低至2.5mΩ,導(dǎo)熱效率提升200%。這種材料體系的應(yīng)用,使封裝體在承載10000個以上I/O的同時,仍能保持<0.1dB的信號損耗。
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當然,材料性能的極限突破仍是核心課題。當前RDL材料的線寬精度與理論極限(1μm)仍有30%差距,需開發(fā)波長更短的EUV光刻膠。基板材料的翹曲控制難題尚未完全解決,515mm×510mm面板在高溫工藝中的形變量仍超過50μm,制約著良率提升。
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產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)構(gòu)建成為破局關(guān)鍵。從材料配方設(shè)計到生產(chǎn)工藝優(yōu)化,需要封裝廠、設(shè)備商、材料供應(yīng)商形成深度協(xié)同。三星電子與ASML的合作開發(fā)專用曝光機,使FOPLP產(chǎn)線的RDL層曝光效率提升30%,這種垂直整合模式值得國內(nèi)借鑒。
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新興應(yīng)用場景持續(xù)拓展材料邊界。量子計算芯片的封裝需求催生超導(dǎo)材料應(yīng)用,英特爾實驗室正在測試鈮鈦合金低溫鍵合材料,在4K溫度下實現(xiàn)接觸電阻<10μΩ。生物醫(yī)療領(lǐng)域的植入式芯片,則推動可降解封裝材料的創(chuàng)新,聚乳酸-羥基乙酸共聚物(PLGA)的力學性能已接近傳統(tǒng)環(huán)氧樹脂。
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小結(jié)
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站在產(chǎn)業(yè)變革的臨界點,扇出型封裝材料正從單一功能向智能協(xié)同演進。隨著3D集成、異構(gòu)計算等技術(shù)的成熟,材料體系將突破物理極限,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開啟新的發(fā)展維度。在這個過程中,中國企業(yè)的材料創(chuàng)新能力和產(chǎn)業(yè)鏈整合水平,將成為決定全球競爭格局的關(guān)鍵變量。
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扇出型封裝材料:技術(shù)突破與市場擴張的雙重奏
- 封裝材料(8986)
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基于扇出型封裝結(jié)構(gòu)的芯片失效位置定位方法
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iPhone7采用的扇出型晶圓級封裝技術(shù)是什么?
傳蘋果在2016年秋天即將推出的新款智能型手機iPhone 7(暫訂)上,將搭載采用扇出型晶圓級封裝(Fan-out WLP;FOWLP)的芯片,讓新iPhone更輕薄,制造成本更低。那什么是FOWLP封裝技術(shù)呢?
2016-05-06 17:59:35
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扇出型封裝技術(shù)的發(fā)展歷史及其優(yōu)勢詳解
)將收購Nanium(未公開交易價值)。Ultratech是扇出型封裝光刻設(shè)備的市場領(lǐng)導(dǎo)者,Veeco此次交易將有助鞏固其在先進封裝市場的地位,并豐富光刻機臺的產(chǎn)品組合。Amkor交易案將帶來雙贏
2017-09-25 09:36:00
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三星與臺積電搶奪蘋果訂單 欲發(fā)展新扇出型晶圓級封裝制程
蘋果供應(yīng)訂單的爭奪戰(zhàn)上,臺積電領(lǐng)先三星以7nm制程拿下蘋果新世代處理器訂單,但三星也不會坐以待斃,據(jù)悉,三星將發(fā)展扇出型晶圓級封裝(Fo-WLP)制程,想藉此贏回蘋果供應(yīng)訂單。
2017-12-29 11:36:27
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半導(dǎo)體扇出封裝大戰(zhàn)當前,長電科技、華天科技或成最大黑馬?
但是,就目前來看,面板級封裝技術(shù)難以掌握,這個領(lǐng)域也沒有相關(guān)標準?!斑x擇的主要落腳點總是成本,”Yole的Azemar說。 “面板級封裝的出現(xiàn)可能改變封裝市場的未來?!蹦敲?,從長遠來看,哪些低密度
2018-07-19 17:48:00
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MIS基板封裝技術(shù)的推動者之一
對比來看,主要用于高端應(yīng)用的扇出型封裝(Fan-Out),其標準密度是: I / O小于500的封裝,其線寬線距在8μm以上;而高密度扇出型封裝,其I / O大于500,線寬線距小于8μm。 同時,MIS材料本身相對較薄。該類基板在封裝過程中容易出現(xiàn)翹曲及均勻性問題。
2018-05-17 15:57:22
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紫外激光剝離,適用于chip last或RDL-first扇出型晶圓級封裝
臨時鍵合需要鍵合(bonding)和剝離(debonding)兩種工藝。從扇出型晶圓級封裝(fan-out wafer-level packaging,F(xiàn)oWLP)到功率器件,每種應(yīng)用在工藝溫度
2018-07-10 09:27:00
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Manz亞智科技推出面板級扇出型封裝
作為世界領(lǐng)先的濕制程生產(chǎn)設(shè)備商之一,Manz亞智科技宣布推出面板級扇出型封裝(FOPLP;Fan-out Panel Level Packaging)濕制程解決方案,透過獨家的專利技術(shù),克服翹曲
2018-09-01 08:56:16
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華天科技應(yīng)用于毫米波雷達芯片的硅基扇出型封裝技術(shù)獲得成功
近日,華天科技(昆山)電子有限公司與江蘇微遠芯微系統(tǒng)技術(shù)有限公司合作開發(fā)的毫米波雷達芯片硅基扇出型封裝獲得成功,產(chǎn)品封裝良率大于98%,目前已進入小批量生產(chǎn)階段。
2018-12-02 11:56:00
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三星扇出型面板級封裝FOPLP戰(zhàn)略性技術(shù)選擇
面板級封裝(PLP)就是一種從晶圓和條帶級向更大尺寸面板級轉(zhuǎn)換的方案。由于其潛在的成本效益和更高的制造效率,吸引了市場的廣泛關(guān)注。由于面板的大尺寸和更高的載具使用率(95%),它還帶來了遠高于晶圓級尺寸扇出型晶圓級封裝(FOWLP)的規(guī)模經(jīng)濟效益,并且能夠?qū)崿F(xiàn)大型封裝的批量生產(chǎn)。
2018-12-30 10:24:00
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扇出型封裝發(fā)展面臨的難題
據(jù)麥姆斯咨詢報道,先進封裝技術(shù)已進入大量移動應(yīng)用市場,但亟需更高端的設(shè)備和更低成本的工藝制程。
2019-02-19 14:44:49
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三星欲用FOPLP技術(shù)對標臺積電InFO-WLP技術(shù) 有望搶占未來Apple手機處理器訂單
為求技術(shù)突破,三星不只專注IC制程發(fā)展,更著眼于先進的IC封測,現(xiàn)階段已開發(fā)出FOPLP(面板級扇出型封裝)技術(shù),試圖提升自身先進封裝能力,而FOPLP技術(shù)將與臺積電研發(fā)的InFO-WLP(扇出型晶圓級封裝)技術(shù)于未來Apple手機處理器訂單中,一較高下。
2019-05-13 16:45:59
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關(guān)于導(dǎo)熱及EMI雙重功能材料的分析和介紹
本次展會上,漢高將首次展出榮獲EM Asia 創(chuàng)新大獎的導(dǎo)熱材料——Gap Pad EMI 1.0。這款材料是市場上第一款具有雙重功能的散熱界面材料,滿足導(dǎo)熱需求的同時控制電磁干擾。
2019-10-25 16:44:53
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BGA封裝怎么突破0.5mm
當您突破BGA時,您基本上應(yīng)用了扇出解決方案,并在PCB的一般布線之前將這些扇出的走線路由到設(shè)備的周邊。幾周前,我們舉例說明了如何突破.4mm BGA。
2019-09-14 11:19:00
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日月光5G天線封裝產(chǎn)品預(yù)估明年量產(chǎn) 另外扇出型封裝制程供應(yīng)美系和中國大陸芯片廠商
半導(dǎo)體封測大廠日月光半導(dǎo)體深耕5G天線封裝,產(chǎn)業(yè)人士指出,支援5G毫米波頻譜、采用扇出型封裝制程的天線封裝(AiP)產(chǎn)品,預(yù)估明年量產(chǎn)。
2019-09-17 11:39:54
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Manz助力FOPLP封裝發(fā)展 具有獨特的優(yōu)勢
全球領(lǐng)先的高科技設(shè)備制造商Manz亞智科技,交付大板級扇出型封裝解決方案于廣東佛智芯微電子技術(shù)研究有限公司(簡稱佛智芯),推進國內(nèi)首個大板級扇出型封裝示范線建設(shè),是佛智芯成立工藝開發(fā)中心至關(guān)重要的一
2020-03-16 16:50:22
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國內(nèi)首個大板級扇出型封裝示范線建設(shè)推進
近日,亞智科技向廣東佛智芯微電子技術(shù)研究有限公司(以下簡稱:佛智芯)交付大板級扇出型封裝解決方案。
2020-03-17 15:15:38
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廠商正加快向RGB封裝市場的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移和擴張
隨著通用照明市場逐漸觸及行業(yè)天花板,中游封裝大廠們開始加快向RGB封裝市場的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移和擴張。
2020-10-29 15:04:42
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扇出型晶圓級封裝能否延續(xù)摩爾定律
摩爾定律在晶圓工藝制程方面已是強弩之末,此時先進的封裝技術(shù)拿起了接力棒。扇出型晶圓級封裝(FOWLP)等先進技術(shù)可以提高器件密度、提升性能,并突破芯片I/O數(shù)量的限制。然而,要成功利用這類技術(shù),在芯片設(shè)計之初就要開始考慮其封裝。
2020-11-12 16:55:39
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扇出型晶圓級封裝在單個晶片堆疊中的應(yīng)用
Durendal?工藝提供了一種經(jīng)濟高效的方式進行單個晶片堆疊,并能產(chǎn)出高良率以及穩(wěn)固可靠的連接。在未來,我們期待Durendal?工藝能促進扇出型晶圓級封裝在單個晶片堆疊中得到更廣泛的應(yīng)用。
2020-12-24 17:39:43
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WLCSP/扇入封裝技術(shù)和市場動態(tài)
在先進封裝技術(shù)中,晶圓級封裝能夠提供最小、最薄的形狀因子以及合理的可靠性,越來越受市場歡迎。晶圓級扇出和WLCSP/扇入仍然是兩個強大的晶圓級封裝家族。不同于晶圓級扇出,WLCSP工藝流程簡單,封裝
2021-01-08 11:27:46
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扇出式封裝的工藝流程
Chip First工藝 自從Fan-Out封裝問世以來,經(jīng)過多年的技術(shù)發(fā)展,扇出式封裝已經(jīng)形成了多種封裝流程、封裝結(jié)構(gòu)以適應(yīng)不同產(chǎn)品需要,根據(jù)工藝流程,可以分為先貼芯片后加工RDL的Chip
2021-10-12 10:17:51
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FuzionSC提升扇出型晶圓級封裝的工藝產(chǎn)量
扇出型晶圓級封裝最大的優(yōu)勢,就是令具有成千上萬I/O點的半導(dǎo)體器件,通過二到五微米間隔線實現(xiàn)無縫連接,使互連密度最大化,實現(xiàn)高帶寬數(shù)據(jù)傳輸,去除基板成本。
2022-03-23 14:02:25
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微電子器件封裝——封裝材料與封裝技術(shù)
本書是一本較系統(tǒng)地闡述封裝材料及封裝技術(shù)的讀物。它是在參考當今有
關(guān)封裝材料及封裝技術(shù)的出版物的基礎(chǔ)上,結(jié)合作者在美國多年從事微電子封
裝工作的經(jīng)驗而編寫的。
本書可以作為從事微電子工作的工程技術(shù)人員、管理人員、研究和教育工
作者的參考書。
2022-06-22 15:03:37
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日月光扇出型封裝結(jié)構(gòu)有效提升計算性能
日月光的扇出型封裝結(jié)構(gòu)專利,通過偽凸塊增加了第一電子元件和線路層之間的連接強度,減少了封裝件的變形,并且減小了填充層破裂的風險,有效提高扇出型封裝結(jié)構(gòu)的良率。
2022-11-23 14:48:33
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三星電子已加緊布局扇出型(FO)晶圓級封裝領(lǐng)域
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,三星電子已加緊布局扇出型(FO)晶圓級封裝領(lǐng)域,并計劃在日本設(shè)立相關(guān)生產(chǎn)線。
2023-04-10 09:06:50
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激光解鍵合在扇出晶圓級封裝中的應(yīng)用
當?shù)姆绞綖榧す饨怄I合。鴻浩半導(dǎo)體設(shè)備所生產(chǎn)的UV激光解鍵合設(shè)備具備低溫、不傷晶圓等技術(shù)特點,并且提供合理的制程成本,十分適合應(yīng)用于扇出晶圓級封裝。 01 扇出晶圓級封裝簡介 扇出晶圓級封裝(Fan Out Wafer Level Packaging, FOWLP,簡稱扇出
2023-04-28 17:44:43
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先進高性能計算芯片中的扇出式封裝
自從Fan-Out封裝問世以來,經(jīng)過多年的技術(shù)發(fā)展,扇出式封裝已經(jīng)形成了多種封裝流程、封裝結(jié)構(gòu)以適應(yīng)不同產(chǎn)品需要,根據(jù)工藝流程,可以分為**先貼芯片后加工RDL的Chip First工藝**和**先
2023-05-19 09:39:15
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芯片設(shè)計商ASICLAND正開發(fā)使用硅橋的新型封裝技術(shù)
ASICLAND代表Kang Sung-mo表示:與集成式扇出型封裝和有機基板封裝相比,CoWoS在性能和功耗方面有改進的空間。
2023-08-03 10:47:11
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芯片封裝材料有哪些種類 芯片封裝材料表面處理技術(shù)是什么
芯片封裝材料的表面處理技術(shù)是為了提高封裝材料的表面性能和與其他元件的連接性。以下是一些常見的芯片封裝材料表面處理技術(shù)
2023-08-21 14:58:39
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扇出型封裝結(jié)構(gòu)可靠性試驗方法及驗證
基于可靠性試驗所用的菊花鏈測試結(jié)構(gòu),對所設(shè)計的扇出型封裝結(jié)構(gòu)進行了完整的菊花鏈芯片制造及后道組裝工藝制造,并對不同批次、不同工藝參數(shù)條件下的封裝樣品進行電學測試表征、可靠性測試和失效樣品分析。
2023-10-08 10:18:15
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扇出型晶圓級封裝技術(shù)的優(yōu)勢分析
扇出型晶圓級封裝技術(shù)的優(yōu)勢在于能夠利用高密度布線制造工藝,形成功率損耗更低、功能性更強的芯片封裝結(jié)構(gòu),讓系統(tǒng)級封裝(System in a Package, SiP)和3D芯片封裝更愿意采用扇出型晶圓級封裝工藝。
2023-10-25 15:16:14
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消息稱群創(chuàng)拿下恩智浦面板級扇出型封裝大單
據(jù)最新消息,全球顯示領(lǐng)導(dǎo)廠商群創(chuàng)光電近日成功拿下歐洲半導(dǎo)體大廠恩智浦的面板級扇出型封裝(FOPLP)大單。恩智浦幾乎包下了群創(chuàng)所有相關(guān)的產(chǎn)能,并計劃在今年下半年開始量產(chǎn)出貨。
2024-01-30 10:44:56
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RDL線寬線距將破亞微米賦能扇出封裝高效能低成本集成
RDL 技術(shù)是先進封裝異質(zhì)集成的基礎(chǔ),廣泛應(yīng)用扇出封裝、扇出基板上芯片、扇出層疊封裝、硅光子學和 2.5D/3D 集成方法,實現(xiàn)了更小、更快和更高效的芯片設(shè)計。
2024-03-01 13:59:05
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淺析扇出封裝和SiP的RDL改進與工藝流程
如今,再分布層(RDL)在高級封裝方案中得到了廣泛應(yīng)用,包括扇出封裝、扇出芯片對基板方法、扇出封裝對封裝、硅光子學和2.5D/3D集成方法。
2024-04-08 11:36:48
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英偉達AI芯片2026年將應(yīng)用面板級扇出型封裝,推動市場供應(yīng)
業(yè)內(nèi)人士普遍認為,英偉達的倡導(dǎo)將為臺灣封測行業(yè)帶來更多訂單機會。同時,英特爾、AMD等半導(dǎo)體巨頭也紛紛涉足面板級扇出型封裝,預(yù)計將使AI芯片供應(yīng)更為流暢,推動AI技術(shù)的多元化發(fā)展。
2024-04-15 09:48:51
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智能手機SoC扇出技術(shù)(Fan-Out)的應(yīng)用與探索
扇出技術(shù)是一種先進的封裝技術(shù),能允許在晶圓級封裝之外的區(qū)域形成額外的I/O(輸入/輸出)點,從而提高芯片的性能和功能。與傳統(tǒng)的晶圓級封裝相比,扇出技術(shù)提供了更好的電氣和熱性能,同時還能實現(xiàn)更小的封裝尺寸。
2024-04-28 12:36:38
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消息稱英偉達計劃將GB200提早導(dǎo)入面板級扇出型封裝
為解決CoWoS先進封裝產(chǎn)能緊張的問題,英偉達正計劃將其GB200產(chǎn)品提前導(dǎo)入扇出面板級封裝(FOPLP)技術(shù),原計劃2026年的部署現(xiàn)提前至2025年。
2024-05-22 11:40:32
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新一代封裝技術(shù),即將崛起了
扇出型面板級封裝(Fan-out Panel Level Package,簡稱FOPLP)是近年來在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域興起的一種先進技術(shù)。它結(jié)合了扇出型封裝和面板級封裝的優(yōu)點,為高性能、高集成度的半導(dǎo)體芯片提供了一種高效且成本較低的封裝解決方案。
2024-05-28 09:47:55
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扇入型和扇出型晶圓級封裝的區(qū)別
晶圓級封裝是一種先進的半導(dǎo)體封裝技術(shù),被廣泛應(yīng)用在存儲器、傳感器、電源管理等對尺寸和成本要求較高的領(lǐng)域中。在這些領(lǐng)域中,這種技術(shù)能夠滿足現(xiàn)代對電子設(shè)備的小型化、多功能、低成本需求,為半導(dǎo)體制造商提供了創(chuàng)新的解決方案,更好地應(yīng)對市場的需求和挑戰(zhàn)。
2024-07-19 17:56:41
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日月光FOPLP扇出型面板級封裝將于2025年二季度小規(guī)模出貨
(Fan-Out Panel-Level Packaging,扇出型面板級封裝)技術(shù),預(yù)計將于2025年第二季度正式開啟小規(guī)模出貨階段,標志著日月光在先進封裝領(lǐng)域的又一重大突破。
2024-07-27 14:40:32
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扇出型 (Fan-Out)封裝市場規(guī)模到2028 年將達到38 億美元
來源:深芯盟產(chǎn)業(yè)研究部 根據(jù)YOLE 2023年扇出型封裝市場報告數(shù)據(jù),受高性能計算 (HPC) 和聯(lián)網(wǎng)市場對超高密度封裝的需求推動,扇出型封裝市場規(guī)模到2028 年將達到38 億美元。 *1未來五
2024-08-26 16:06:54
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明冠亮相CSPV--以極致封裝技術(shù)打造n型電池整體解決方案
本次大會上,明冠新材研發(fā)高級工程師吉華建和產(chǎn)品市場總監(jiān)方艷分別分享了封裝材料領(lǐng)域的最新研究成果,展示了明冠在N型電池封裝技術(shù)上的創(chuàng)新突破。異質(zhì)結(jié)電池光轉(zhuǎn)封裝解決方案
2024-11-26 15:02:03
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華天科技硅基扇出封裝
來源:華天科技 在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域, 扇出(Fan-Out)技術(shù) 正以其獨特的優(yōu)勢引領(lǐng)著新一輪的技術(shù)革新。它通過將芯片連接到更寬廣的基板上,實現(xiàn)了更高的I/O密度和更優(yōu)秀的熱性能。由于扇出型封裝不需要
2024-12-06 10:00:19
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先進封裝技術(shù)-7扇出型板級封裝(FOPLP)
(Semiconductor Advanced Packaging) - 6 扇出型晶圓級封裝(FOWLP) 封裝技術(shù)從早期到現(xiàn)在的發(fā)展都是為了
2024-12-06 11:43:41
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先進封裝技術(shù)-16硅橋技術(shù)(上)
(Semiconductor Advanced Packaging) - 6 扇出型晶圓級封裝(FOWLP) 先進封裝技術(shù)(Semiconductor Advanced Packaging) - ?7 扇出型板級封裝(FOPL
2024-12-24 10:57:32
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先進封裝技術(shù)-17硅橋技術(shù)(下)
(Semiconductor Advanced Packaging) - 6 扇出型晶圓級封裝(FOWLP) 先進封裝技術(shù)(Semiconductor Advanced Pac
2024-12-24 10:59:43
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先進封裝技術(shù)-19 HBM與3D封裝仿真
(Semiconductor Advanced Packaging) - 6 扇出型晶圓級封裝(FOWLP) 先進封裝技術(shù)(Semiconductor Advanced Pac
2025-01-08 11:17:01
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日月光斥資2億美元投建面板級扇出型封裝量產(chǎn)線
日月光集團營運長吳田玉宣布,集團歷經(jīng)十年研發(fā),決定正式邁向面板級扇出型封裝(FOPLP)量產(chǎn)階段。為此,集團將斥資2億美元(約新臺幣64億元),在高雄設(shè)立專門的量產(chǎn)線。
2025-02-18 15:21:02
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Low-κ介電材料,突破半導(dǎo)體封裝瓶頸的“隱形核心”
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 Low-κ 介電材料作為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的核心材料,其技術(shù)演進與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用正深刻影響著集成電路的性能突破與成本優(yōu)化。這類介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅(κ≈4.0)的絕緣材料,通過
2025-05-25 01:56:00
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