2024年3月17日，隨著第十五屆中國(guó)產(chǎn)學(xué)研合作創(chuàng)新大會(huì)在北京會(huì)議中心的隆重開(kāi)幕，產(chǎn)學(xué)研合作再度成為科技創(chuàng)新的焦點(diǎn)。
2024-03-21 10:15:54
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中國(guó)上海，2024 年 3 月 19 日——楷登電子（美國(guó) Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布與 Arm 公司合作，提供基于芯粒的參考設(shè)計(jì)和軟件開(kāi)發(fā)平臺(tái)，以加速軟件定義汽車(chē)（SDV）取得創(chuàng)新。
2024-03-19 11:41:16234 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類(lèi)產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
請(qǐng)問(wèn)半橋上管氮化鎵這樣的開(kāi)爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121來(lái)驅(qū)動(dòng)氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅(qū)動(dòng)方案，但是現(xiàn)在上管的驅(qū)動(dòng)電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因?yàn)轵?qū)動(dòng)芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉(zhuǎn)化
2024-01-11 06:43:50
氮化鎵不是充電器類(lèi)型，而是一種化合物。 氮化鎵（GaN）是一種重要的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)特性。近年來(lái)，氮化鎵材料在充電器領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用和研究。本文將從氮化鎵的基本特性、充電器的需求
2024-01-10 10:20:29252 氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性，例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等，這使得它在許多領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用的潛力。以下是幾個(gè)氮化鎵芯片的應(yīng)用領(lǐng)域
2024-01-10 10:13:19436 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)化合物，化學(xué)式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。 氮化鎵是一種具有低能隙的半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)屬于
2024-01-10 10:05:09345 氮化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，屬于六方晶系晶體。在過(guò)去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應(yīng)用前景的材料，受到了廣泛關(guān)注和研究。本文將會(huì)詳盡地介紹氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)、性質(zhì)以及應(yīng)用領(lǐng)域。 首先，我們來(lái)介紹
2024-01-10 10:03:21941 氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的擊穿電壓能力，使得氮化鎵MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:15362 氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢(shì)，合理的驅(qū)動(dòng)方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化
2024-01-10 09:29:02412 隨著信息技術(shù)和通信領(lǐng)域的不斷發(fā)展，對(duì)高性能芯片的需求也越來(lái)越大。作為半導(dǎo)體材料中的重要組成部分，氮化鎵芯片因其優(yōu)異的性能在近年來(lái)受到了廣泛關(guān)注。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵芯片的基本原理及其應(yīng)用領(lǐng)域
2024-01-10 09:25:57354 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 氮化鎵技術(shù)（GaN技術(shù)）是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光電子器件、能源、通信和國(guó)防等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵技術(shù)的用途和應(yīng)用，并從不同領(lǐng)域深入探討其重要性和優(yōu)勢(shì)
2024-01-09 18:06:36293 氮化鎵充電寶和普通充電寶是兩種不同類(lèi)型的便攜式電池充電設(shè)備。它們之間的主要區(qū)別在于材料和性能，對(duì)比這兩種充電寶可以幫助用戶(hù)選擇適合自己需求的產(chǎn)品。 首先，氮化鎵充電寶采用的是氮化鎵材料作為陽(yáng)極材料
2024-01-09 17:21:323110 A AWA-0213 有源天線(xiàn)創(chuàng)新者套件產(chǎn)品概述雙極化 32 元件毫米波至中頻有源天線(xiàn)創(chuàng)新者套件AWA-0213-PAK 是一款完整的毫米波至中頻雙極化天線(xiàn)設(shè)計(jì)，適用于毫米波 5G 無(wú)線(xiàn)電。該套件
2024-01-02 14:28:36
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內(nèi)提供最好的的瞬時(shí)寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優(yōu)異
2024-01-02 12:05:47
氮化鎵（GaN）MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）管驅(qū)動(dòng)芯片是一種新型的電子器件，它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底，具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。GaN MOS管驅(qū)動(dòng)芯片廣泛應(yīng)用于功率電子
2023-12-27 14:43:23529 Sumitomo 是全球最大的射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件供應(yīng)商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線(xiàn)電和其他應(yīng)用。 功率氮化鎵-用于無(wú)線(xiàn)電鏈路和衛(wèi)星通信
2023-12-15 17:43:45
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場(chǎng)和移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵開(kāi)關(guān)管整合到一個(gè)...
2023-11-24 16:49:22350 氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領(lǐng)域 氮化鎵激光芯片
2023-11-24 11:23:151092 倍思氮化鎵充電器是一款優(yōu)秀的充電器，具有高效、快速、安全、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)。下面我們將詳細(xì)介紹倍思氮化鎵充電器的優(yōu)缺點(diǎn)、使用體驗(yàn)和與其他產(chǎn)品的比較，幫助您更好地了解這款充電器。 一、倍思氮化鎵充電器的優(yōu)點(diǎn)
2023-11-24 11:18:44561 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過(guò)程
2023-11-24 11:15:20718 隨著科技的發(fā)展，電子產(chǎn)品已經(jīng)成為了我們生活中的必需品。而為了保持這些產(chǎn)品的正常運(yùn)行，需要一種高效、快速、安全的充電方式。氮化鎵充電器就是一種基于氮化鎵半導(dǎo)體材料的先進(jìn)充電技術(shù)。下面我們將詳細(xì)介紹氮化
2023-11-24 10:57:461244 
氮化鎵激光器芯片能用酒精擦拭嗎？ 氮化鎵激光器芯片是一種重要的光電子元件，被廣泛應(yīng)用于激光科技、光通信和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。對(duì)于氮化鎵激光器芯片的清潔維護(hù)非常重要，而酒精擦拭是一種常見(jiàn)的清潔方法。本文
2023-11-22 16:27:52380 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302303 氮化鎵充電器可能會(huì)對(duì)電池造成損害。在本文中，我們將探討氮化鎵充電器是否會(huì)傷害電池，并提供如何選擇氮化鎵充電器的一些建議。 首先，讓我們了解一下為什么有人擔(dān)心氮化鎵充電器對(duì)電池造成傷害。氮化鎵充電器通常具有較高的輸
2023-11-21 16:15:271663 近日，兆芯與超云數(shù)字技術(shù)集團(tuán)有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“超云”）在北京正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將 建立長(zhǎng)期穩(wěn)定的業(yè)務(wù)合作關(guān)系， 在技術(shù)創(chuàng)新、 產(chǎn)品研發(fā)、 方案搭建、 生態(tài)建設(shè) 等方面加強(qiáng)投入與合作 。此次簽約
2023-11-20 18:55:01385 
氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高功率、高溫穩(wěn)定性和低損耗等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展，氮化鎵芯片的應(yīng)用前景越來(lái)越廣闊，例如在新能源
2023-11-10 14:35:09364 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其獨(dú)特的性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用，已經(jīng)成為了微電子和光電子領(lǐng)域的重要材料之一。下面將詳細(xì)介紹氮化鎵的性質(zhì)和用途。
2023-11-08 15:59:36215 功能和更大靈活性的需求也不斷增長(zhǎng)。因此，我們的公司決定采用RK3588芯片來(lái)開(kāi)發(fā)一款全新的產(chǎn)品，以實(shí)現(xiàn)與Jetson Nano引腳的兼容性，同時(shí)提供更多性能和功能。
為何選擇RK3588：
卓越的性能
2023-11-02 12:30:06
氮化鎵芯片的選用要從實(shí)際應(yīng)用出發(fā)，結(jié)合實(shí)際使用場(chǎng)景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達(dá)到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場(chǎng)景。首先要明確使用的具體場(chǎng)景，如音頻、視頻、計(jì)算還是其他應(yīng)用場(chǎng)景。不同的場(chǎng)景對(duì)氮化鎵芯片的性能和特點(diǎn)要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時(shí)，要充分考慮應(yīng)用的場(chǎng)景。
2023-10-26 17:02:18411 隨著科技的不斷發(fā)展，充電器的種類(lèi)和性能也在不斷升級(jí)。最近，氮化鎵充電器的出現(xiàn)引起了廣泛關(guān)注。那么，氮化鎵充電器是什么?它又是如何比傳統(tǒng)充電器更出色的呢?
2023-10-26 16:17:31307 隨著氮化鎵充電頭的出現(xiàn)，越來(lái)越多的人開(kāi)始關(guān)注并選擇使用這種新型的充電設(shè)備。那么，氮化鎵充電頭好在哪，為什么這么多人選擇呢？
2023-10-26 15:33:55273 隨著各大手機(jī)和筆記本電腦品牌紛紛進(jìn)入氮化鎵快充市場(chǎng)，氮化鎵功率器件的性能得到進(jìn)一步驗(yàn)證，同時(shí)也加速了氮化鎵技術(shù)在快充市場(chǎng)的普及。目前，快充源市場(chǎng)上氮化鎵主要以三種形式使用，即GaN單管功率器件、內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器的GaN功率芯片以及內(nèi)置控制器、驅(qū)動(dòng)器和GaN功率器件的封裝芯片。其中，GaN單管功率器件發(fā)展最快
2023-10-23 16:38:59292 隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，充電技術(shù)也在發(fā)生著前所未有的變革，而隨著其中，氮化鎵充電頭已成為人們關(guān)注的新熱點(diǎn)。那么，氮化鎵充電頭的原理是什么呢？KeepTops將為您詳細(xì)闡述氮化鎵充電頭的制作、工作原理及應(yīng)用。
2023-10-20 16:04:061021 
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，而氮化鎵（GaN）材料在提高能源效率方面發(fā)揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性，氮化鎵在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用，以及氮化鎵解決方案如何實(shí)現(xiàn)更高的能效。
2023-10-13 16:02:05344 
在當(dāng)今的高科技社會(huì)中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢(shì)在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學(xué)、規(guī)范的測(cè)試方案至關(guān)重要。
2023-10-08 15:13:23476 
伙伴，誠(chéng)邁科技憑借出色的研發(fā)能力、創(chuàng)新的場(chǎng)景方案和強(qiáng)大的交付能力榮獲華為“創(chuàng)新合作伙伴獎(jiǎng)”。 誠(chéng)邁科技與華為合作長(zhǎng)達(dá)十余年，雙方持續(xù)合作推動(dòng)智能終端產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新與發(fā)展，并于近年來(lái)陸續(xù)拓寬合作范疇，在HarmonyOS和OpenHarmony的生態(tài)建設(shè)方面展開(kāi)了多
2023-09-23 11:05:321045 400余項(xiàng)，已獲得授權(quán)專(zhuān)利150余項(xiàng)，公司建立了完整、豐富的芯片和模組產(chǎn)品體系，提供從芯片、模組、終端到芯片級(jí)解決方案的全棧式產(chǎn)品服務(wù)，為中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供了自主可控的底層技術(shù)支持。
創(chuàng)新
2023-09-22 14:46:30
選擇氮化鎵芯片時(shí)，根據(jù)應(yīng)用的需求，確定所需的性能指標(biāo)，包括功耗、頻率、工作溫度范圍等。不同型號(hào)的氮化鎵芯片有不同的性能特點(diǎn)，需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的型號(hào)?？紤]芯片的可靠性和穩(wěn)定性，包括壽命
2023-09-20 15:25:13390 
為長(zhǎng)生命周期應(yīng)用延長(zhǎng)壽命 美國(guó)馬薩諸塞州紐伯里波特，2023年9月 羅徹斯特電子和Semtech合作，為客戶(hù)提供廣泛的混合信號(hào)解決方案，這些產(chǎn)品不僅包括停產(chǎn)元器件，還有部分當(dāng)前仍在量產(chǎn)期。羅徹斯特電
2023-09-20 10:27:27441 ，并發(fā)表主題為“新算力 新格局 新未來(lái)”的精彩演講。 劉宏兵表示，“AMD通過(guò)積極的技術(shù)創(chuàng)新，為數(shù)據(jù)中心從核心高性能計(jì)算，智能網(wǎng)絡(luò)，AI 和邊緣計(jì)算，提供了一整套高性能，高能效比的產(chǎn)品和解決方案；為合作伙伴的數(shù)據(jù)中心應(yīng)用創(chuàng)新提供了更寬廣的空間，也為客
2023-09-15 10:09:20374 30多個(gè)行業(yè)的物聯(lián)網(wǎng)場(chǎng)景，未來(lái)多款GNSS模組將廣泛賦能全球物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)，助客戶(hù)終端實(shí)現(xiàn)快速穩(wěn)定、高精度的定位需求。
未來(lái)，雙方將以核心產(chǎn)品技術(shù)持續(xù)為相關(guān)行業(yè)的定位場(chǎng)景提供安全可靠、專(zhuān)業(yè)高效的服務(wù)。憑借
2023-09-13 09:58:17
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:56285 的功率型分立器件針對(duì)軟開(kāi)關(guān)諧振和硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了優(yōu)化，可最大限度提高低功率和高功率應(yīng)用的系統(tǒng)效率。基于氮化鎵的最新產(chǎn)品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應(yīng)用提供更緊湊的電源設(shè)計(jì)。
2023-09-07 06:49:47
的功率型分立器件針對(duì)軟開(kāi)關(guān)諧振和硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了優(yōu)化，可最大限度提高低功率和高功率應(yīng)用的系統(tǒng)效率?；?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵的最新產(chǎn)品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應(yīng)用提供更緊湊的電源設(shè)計(jì)。意法半導(dǎo)體的數(shù)字電源解決方案可以使用專(zhuān)用的評(píng)估板、參考設(shè)計(jì)、技術(shù)文檔和eDesignSuite軟件配置器和設(shè)計(jì)工具來(lái)實(shí)現(xiàn)
2023-09-06 07:44:16
功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個(gè)部分。
2023-09-05 06:13:28
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料
?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:40541 
CGH40010FCGH40010F 是 Wolfspeed（CREE） 開(kāi)發(fā)的一款無(wú)與倫比的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。適用于A類(lèi)、AB類(lèi)和線(xiàn)性放大器，能處理多種波形
2023-08-26 15:40:57
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
能為技術(shù)驅(qū)動(dòng)型創(chuàng)業(yè)者以及致力于科技創(chuàng)新的生態(tài)伙伴提供深度產(chǎn)業(yè)鏈接及一站式服務(wù)。
我們幫助技術(shù)驅(qū)動(dòng)型創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)精準(zhǔn)對(duì)接技術(shù)生態(tài)、對(duì)接投資、對(duì)接產(chǎn)業(yè)；用前沿科技和生態(tài)為大企業(yè)創(chuàng)新賦能；為城市和產(chǎn)業(yè)園
2023-08-18 14:37:37
; CP1342AMDCDAD1R2G安森美65W氮化鎵快充電源IC 產(chǎn)品介紹：NCP1342準(zhǔn)諧振反激控制器是一種高度集成的高頻PWM(脈寬調(diào)制)控制器，旨在
2023-07-11 11:31:20
安森美65W氮化鎵PD充電器芯片 產(chǎn)品介紹：NCP1342準(zhǔn)諧振反激控制器是一種高度集成的高頻PWM(脈寬調(diào)制)控制器，旨在簡(jiǎn)化高性能脫機(jī)功率變換器的設(shè)計(jì)。NCP13
2023-07-05 15:24:23
開(kāi)發(fā)基于物理的模型，從而可用準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)到氮化鎵產(chǎn)品在通用操作條件下的安全使用壽命，讓設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)其設(shè)計(jì)要求，對(duì)氮化鎵器件進(jìn)行評(píng)估。
“測(cè)試器件至失效”的測(cè)試報(bào)告結(jié)果可瀏覽GaN 可靠性。
誤解3
2023-06-25 14:17:47
目前的永磁電機(jī)或稱(chēng)為直流無(wú)刷電機(jī)(BLDC)的應(yīng)用非常廣泛。與其他電機(jī)相比，永磁電機(jī)可提供每立方英寸更高的扭矩和更優(yōu)越的動(dòng)態(tài)性能。到目前為止，硅基功率器件在逆變器電子領(lǐng)域中一直占主導(dǎo)地位?？墒?，它們
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
制作市場(chǎng)提供新的機(jī)遇。 ? ? ? 作為AR領(lǐng)域的頭部廠商，谷東科技擁有領(lǐng)先的AR技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)能力。通過(guò)與萊一德的合作，谷東科技與數(shù)字媒體內(nèi)容制作行業(yè)深度合作，共同開(kāi)發(fā)創(chuàng)新的AR應(yīng)用解決方案。同時(shí)，萊一德的內(nèi)容制作經(jīng)驗(yàn)和資源
2023-06-23 21:33:26540 氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導(dǎo)體帶來(lái)AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
INN3365C使用。
貼片Y電容來(lái)自四川特銳祥科技股份有限公司，具有體積小、重量輕等特色，非常適合應(yīng)用于氮化鎵快充這類(lèi)高密度電源產(chǎn)品中。料號(hào)為T(mén)MY1102M。
特銳祥專(zhuān)注于被動(dòng)元器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售
2023-06-16 14:05:50
電機(jī)逆變器功率開(kāi)關(guān)的比較電機(jī)逆變器:三相拓?fù)?IGBT:行業(yè)“主力”開(kāi)關(guān)速度慢，損耗低?MOSFET:更快的開(kāi)關(guān)，更好?氮化鎵:幾乎沒(méi)有開(kāi)關(guān)損耗
2023-06-16 11:31:56
納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例：高密度手機(jī)充電器?應(yīng)用實(shí)例：高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?應(yīng)用示例；高功率開(kāi)關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
1MHz 以上。新的控制器正在開(kāi)發(fā)中。微控制器和數(shù)字信號(hào)處理器（DSP），也可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)目前軟開(kāi)關(guān)電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，而目前廣泛采用的、為1-2 MHz范圍優(yōu)化的磁性材料，已經(jīng)可被使用了。
氮化鎵功率芯片
2023-06-15 15:53:16
，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們?cè)陔娨?、手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場(chǎng)，同時(shí)提供更快的開(kāi)關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
容易使用。通過(guò)簡(jiǎn)單的“數(shù)字輸入、電源輸出”操作，布局和控制都很簡(jiǎn)單。dV/dt 回轉(zhuǎn)率控制和欠壓鎖定等功能，確保了氮化鎵功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì)，從而極為有效地縮短了產(chǎn)品上市
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)，因此廣泛用于以下領(lǐng)域： 1. 發(fā)光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一，可用于制造藍(lán)、綠、白光LED，廣泛應(yīng)用于照明
2023-06-02 15:34:467174 創(chuàng)業(yè)者還要具備可行的商業(yè)計(jì)劃，不能走向市場(chǎng)的產(chǎn)品或技術(shù)終究也會(huì)失敗，這就要求創(chuàng)業(yè)者需要獨(dú)到的市場(chǎng)洞察及運(yùn)營(yíng)管理能力，把握時(shí)機(jī)將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。黨的二十大也提出，科技是第一生產(chǎn)力、人才是第一資源、創(chuàng)新是第一
2023-06-01 13:47:41
RFPD3890產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 RFPD3890 是一款混合功率倍增器放大器模塊。該器件采用 GaAs MESFET、GaAs pHEMT 和 GaN HEMT 芯片，具有高輸出能力，工作
2023-05-24 10:03:06
RFPD3540 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 RFPD3540 是一種混合功率倍增器放大器模塊。該器件采用 GaAs HFET 裸片、GaAs pHemt 裸片和 GaN HEMT 裸片，具有
2023-05-24 09:42:04
RFPD3220 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 RFPD3220 是一種混合功率倍增器放大器模塊。該器件采用 GaAs pHEMT 裸片和 GaN HEMT 裸片，具有高輸出能力
2023-05-23 21:36:33
氮化鎵是一種新興的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能。由于其獨(dú)特的特性，氮化鎵在各種領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用，如LED照明、電力電子、無(wú)線(xiàn)通信、智能家居和新能源汽車(chē)等。
2023-05-04 10:26:422514 、筆記本電腦、路由器等數(shù)碼產(chǎn)品中。基于氮化鎵功率器件，研發(fā)出的快充電源方案，可以為手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等提供更高的充電功率，極大提升充電體驗(yàn)。本文介紹了一款65W氮化鎵（1A2C） PD快充電源方案，該方案采用功成半導(dǎo)體最新
2023-04-21 11:00:201613 
全球累計(jì)出貨量已達(dá)1億顆，廣泛運(yùn)用在如智能座艙、智能駕駛、智能網(wǎng)聯(lián)、新能源電動(dòng)車(chē)大小三電系統(tǒng)等，這一重要里程碑凸顯了兆易創(chuàng)新與國(guó)內(nèi)外主流車(chē)廠及Tier1供應(yīng)商的密切合作關(guān)系。兆易創(chuàng)新致力于為汽車(chē)領(lǐng)域客戶(hù)
2023-04-13 15:18:46
RFPD3890產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 RFPD3890 是一款混合功率倍增器放大器模塊。該器件采用 GaAs MESFET、GaAs pHEMT 和 GaN HEMT 芯片，具有高輸出能力，工作
2023-04-12 09:41:10
您能否提供se05x 產(chǎn)品的 CPE（通用平臺(tái)枚舉）。這是為了檢查NIST CVE 數(shù)據(jù)庫(kù)中的漏洞。
2023-04-10 09:10:01
智融SW3536是一顆支持1A1C雙USB口輸出的降壓控制器芯片，內(nèi)置多快充協(xié)議，支持雙口功率盲插，支持雙口獨(dú)立限流。內(nèi)置的同步降壓轉(zhuǎn)換器支持7A大電流輸出，可使用氮化鎵開(kāi)關(guān)管，以獲得更小的體積
2023-04-04 17:53:37
，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開(kāi)啟模式，同時(shí)集成頻率抖動(dòng)功能以?xún)?yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時(shí)，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以?xún)?yōu)化輕載效率，空載待機(jī)功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開(kāi)啟模式，同時(shí)集成頻率抖動(dòng)功能以?xún)?yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時(shí)，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以?xún)?yōu)化輕載效率，空載待機(jī)
2023-03-28 10:24:46
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