英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29
117 英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш?b class="flag-6" style="color: red">功率密度的不斷增長需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
2024-03-15 16:31:45203 
高壓功率放大器是一種特殊類型的放大器，專門用于放大高電壓和高功率的信號。它在許多領(lǐng)域中具有重要的應(yīng)用，下面安泰電子將詳細介紹高壓功率放大器適用的幾個主要場合。 高壓功率放大器適用于音頻放大
2024-02-29 14:21:03101 
SMD封裝是一種表面貼裝封裝技術(shù)，用于封裝集成電路芯片或其他電子元件，以便直接安裝在PCB的表面上。
2024-02-21 18:15:36567 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TSOT23-6FC；用于SMD的卷筒干包裝信息.pdf》資料免費下載
2024-02-05 09:39:40
0 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 DFN封裝是一種先進的電子元件封裝工藝，與SMD封裝相比，DFN封裝提供了更高的靈活性和穩(wěn)定性。
2024-01-28 17:24:551388 功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 結(jié)構(gòu)
2024-01-17 17:24:36294 
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
一臺高壓電機額定功率5100KW,那它實際上能輸出多少功率？
輸出功率也就是有功功率，這個應(yīng)該跟功率因數(shù)有關(guān)。
那它最大輸出功率也不會超出5100KW,它的總功率也就是5100KW.
我如果讓電機
2023-12-27 07:22:49
：IFNNY）順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:37494 
LED顯示屏SMD和COB封裝技術(shù)有何不同？ LED顯示屏是一種廣泛應(yīng)用于戶內(nèi)和戶外廣告、信息發(fā)布、娛樂等領(lǐng)域的顯示設(shè)備。SMD（Surface Mount Device）和COB（Chip
2023-12-11 15:05:37781 SMD、IMD和COB三類；按芯片正反方向可分為正裝、倒裝兩類；按封裝基板材料可分為PCB基板封裝和玻璃基板封裝兩類。
2023-12-08 09:08:221305 
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-12-06 18:22:24522 
高壓功率放大器是一種關(guān)鍵性能器件，常用于不同領(lǐng)域的應(yīng)用，包括聲音放大、通信系統(tǒng)、電力傳輸?shù)取Ｒ韵率顷P(guān)于高壓功率放大器產(chǎn)品參數(shù)和優(yōu)勢的詳細介紹。 一、高壓功率放大器的產(chǎn)品參數(shù) 輸入/輸出電壓范圍：高壓
2023-12-06 10:26:43173 
模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設(shè)計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級應(yīng)用，而傳統(tǒng)
2023-12-05 17:03:49446 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
問題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負載開關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時間計算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計，銅箔面積布設(shè)多大散熱會比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
（SiC）MOSFET芯片，采用成熟的62mm封裝的半橋模塊。該封裝使SiCMOSFET能夠應(yīng)用于250kW以上的中等功率等級應(yīng)用，而傳統(tǒng)IGBT硅技術(shù)在這一功率等級應(yīng)
2023-12-02 08:14:01310 
適用于下一代大功率應(yīng)用的XHP?2封裝
2023-11-29 17:04:50265 
高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用
2023-11-24 14:57:39195 
功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認識
2023-11-23 09:06:38407 
高壓功率放大器 是一種專門用于放大高電壓和高功率信號的電子器件，其主要作用是將輸入信號放大到足夠的范圍內(nèi)，以便后續(xù)電路進行進一步處理。在工業(yè)、醫(yī)療、軍事等領(lǐng)域中，高壓功率放大器有著廣泛的應(yīng)用。 下面
2023-11-20 17:28:22299 
日前，集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS, 納斯達克代碼:AOSL)推出了用于電池
2023-11-13 18:11:28219 
器件，能夠像IGBT一樣進行高壓開關(guān)，同時開關(guān)頻率等于或高于低壓硅MOSFET的開關(guān)頻率。之前的文章中，我們介紹了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何優(yōu)化SiC柵極驅(qū)動電路 。今天將帶來本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封裝、系統(tǒng)性能和應(yīng)用 。 封裝 WBG半導(dǎo)體使高壓轉(zhuǎn)換器能夠在更接近
2023-11-09 10:10:02333 
高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長，導(dǎo)通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
TDK東電化推出適合高功率應(yīng)用的SMD耦合電感器
2023-11-01 15:52:33238 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
功率MOSFET選型的幾點經(jīng)驗在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實際
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓
2023-10-18 16:05:02328 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 ? 1、超級結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOD323F:用于SMD的卷盤.pdf》資料免費下載
2023-09-27 11:08:400 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOD123FL:用于SMD的卷盤.pdf》資料免費下載
2023-09-27 11:07:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT8017用于SMD的卷盤包裝.pdf》資料免費下載
2023-09-27 11:05:310 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081 如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-09-18 16:54:35590 
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:24
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:22
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:09:45
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 07:42:05
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 07:30:53
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 06:56:21
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:47:35
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:28:58
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:19:55
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:19:44
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:08:07
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:07:42
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 08:16:35
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superp&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 08:12:36
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 07:17:57
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 07:12:49
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 07:06:08
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 06:17:30
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 06:09:58
和功率水平。這些快速恢復(fù)硅基功率MOSFET的器件適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用，提供廣泛的封裝選項，包括長引線TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
2023-09-08 06:00:53
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個部分。
2023-09-05 06:13:28
點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552 
。超結(jié)MOSFET兼具高耐壓特性和低電阻特性，對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸，其導(dǎo)通電阻遠小于普通高壓VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速開關(guān)應(yīng)用中。封裝特性美浦森S
2023-08-18 08:32:56513 
產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
針對汽車DC 24V電源系統(tǒng)拋負載測試，東沃電子推出大功率更小封裝TVS管：SMD8S36CA，用于汽車DC 24V電源拋負載保護，可通過ISO 16750-2 P5a（Us=202V、Td
2023-08-02 17:17:11760 
高壓功率放大器是一種能夠?qū)⒌碗妷盒盘栟D(zhuǎn)換為高電壓輸出信號的設(shè)備。它通常由前置放大器和功率放大級組成，廣泛應(yīng)用于雷達、醫(yī)療、半導(dǎo)體測試和工業(yè)自動化等領(lǐng)域。下面安泰電子將介紹高壓功率放大器的幾個主要
2023-07-19 17:38:33450 
高壓功率系統(tǒng)設(shè)計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。
2023-07-10 15:09:39165 
及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計、封裝測試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計、封裝測試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應(yīng)GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37975 
MOSFET是開關(guān)和汽車應(yīng)用中非常常見的元件，支持低壓或高壓擺幅，并具有寬范圍的電流驅(qū)動。高功率應(yīng)用的數(shù)量正在增加，從而產(chǎn)生了對功率MOSFET的額外需求。為了生產(chǎn)數(shù)量不斷增加的功率MOSFET
2023-06-30 11:26:16878 
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
用于無線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級6.78 MHz功率放大器設(shè)計
2023-06-21 11:45:06
高壓功率放大器是一種用于產(chǎn)生高電壓和高功率信號的電子設(shè)備，通常采用功率放大器電路來實現(xiàn)。它主要起到以下作用： 提供高電壓信號 在一些應(yīng)用中需要產(chǎn)生高電壓信號，如高壓變頻器、醫(yī)療設(shè)備等。高壓功率
2023-06-14 17:01:02466 
UTC 10N65-ML是一款高壓功率MOSFET，它結(jié)合了先進的溝槽MOSFET，設(shè)計具有更好的特性，如快速開關(guān)時間、低柵極電荷、低導(dǎo)通狀態(tài)電阻和高崎嶇雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于開關(guān)電源和適配器的高速開關(guān)應(yīng)用。?
2023-06-14 16:45:450 引言: 隨著電力電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，高壓功率MOSFET已成為現(xiàn)代電力系統(tǒng)和能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的關(guān)鍵組件之一。在這方面，CMZ120R080APA1作為一款創(chuàng)新的N型硅碳化物功率MOSFET，以其卓越
2023-06-12 17:42:13317 高壓功率放大器是一種能夠提供高電壓、高功率輸出的設(shè)備，被廣泛應(yīng)用于無損檢測中。無損檢測是一種非破壞性檢測技術(shù)，通常用于測試工業(yè)產(chǎn)品的缺陷、材料組成和品質(zhì)等方面。下面將詳細介紹高壓功率放大器在無損檢測中的應(yīng)用。
2023-06-12 09:14:52287 
PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
功率模組封裝代工 功率模塊封裝是指其中在一個基板上集成有一個或多個開關(guān)元件的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，所述開關(guān)元件包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、晶閘管
2023-05-31 09:32:31287 分享功率MOSFET驅(qū)動保護電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 
TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經(jīng)在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
，
邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯
輸出電平。 高速風(fēng)筒專用電機驅(qū)動芯片其浮動通道可
用于驅(qū)動高壓側(cè) N 溝道功率 MOSFET，浮地通道最高
工作電壓可達 700V。高速風(fēng)筒專用電機驅(qū)動芯片采用
SOIC8 封裝，可以在-40℃至 125℃溫度范圍內(nèi)工作
2023-05-10 10:05:20
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實現(xiàn)？怎樣實現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動電路。
2023-04-29 09:35:005288 
不久前，英飛凌科技股份公司宣布其適用于高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部散熱（TSC）封裝技術(shù)正式注冊為JEDEC標準。
2023-04-29 03:28:004585 
—兩焊盤之間的間距 W—器件管腳寬度 注：A， T， W 均取數(shù)據(jù)手冊推薦的平均值 圖3-39 無引腳延伸型SMD貼片封裝 定義： T1為T尺寸的外側(cè)補償常數(shù)，取值范圍：0.3~1mm T2
2023-04-17 16:53:30
用于低功率離線SMPS的汽車高壓開關(guān)
2023-04-06 21:52:21
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術(shù)來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39987 
，不受走線的影響，適用于小零件焊盤，如0402，0201，01005 2、SMD焊盤維修時不容易撕裂和脫落，因為SMD焊墊的實際銅箔尺寸相對NSMD要來得大，而且綠油蓋住了部分焊盤，所以焊墊與基板
2023-03-31 16:01:45
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
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