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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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Advantes和 Teradyne最知名的是自動化測試設備。許多其他事情中,ATE工具取出探針卡,將它們與晶圓上的芯片完美對齊,并與晶圓上的電路進行物...
Si3N4為何要用AMB工藝?AMB Si3N4的生產(chǎn)流程介紹
功率電子器件在電力存儲,電力輸送,電動汽車,電力機車等眾多工業(yè)領域得到越來越廣泛的應用。
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
交通應用中電氣化的趨勢導致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關頻率和高溫操作是實現(xiàn)這一目標的兩個關鍵因素。
2023-03-30 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1449 0
GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計的此類設備,其中許多每天運行數(shù)小時,因此節(jié)省的能源將是巨大的。
近年來,以SiC(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的化合物半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而飽受關注。
電子器件的使用環(huán)境逐漸惡劣,航空航天、石油探測領域前景廣闊,在熱導率、擊穿場等上的要求更高,那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導體材...
擴展到900V的氮化鎵產(chǎn)品滿足汽車、家電及工業(yè)類應用需求
日前,Power Integrations(PI)舉辦新品媒體線上溝通會,公司資深技術培訓經(jīng)理Jason Yan介紹了在美國APEC展(國際電力電子應用...
利用C2000實時MCU提高GaN數(shù)字電源設計實用性
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...
2023-03-20 標簽:電源轉(zhuǎn)換器晶體管 1059 0
AMB(活性金屬釬焊)工藝技術是DBC(直接覆銅)工藝技術的進一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。
隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高,器件對于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求。
顯然特斯拉用的是意法半導體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,第四代產(chǎn)品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向,但意法半導體要到2025年才開始推出。
隨著新能源領域的發(fā)展, 在數(shù)字電源控制系統(tǒng)中要求功率密度高且轉(zhuǎn)換效率高。其中,整機功率密度的提升,就需要提高開關頻率, 大部分現(xiàn)有產(chǎn)品的開關頻率在50k...
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