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      標(biāo)簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1248人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3073個 瀏覽：254672次 帖子：483個

      igbt技術(shù)

      IGBT的結(jié)構(gòu)與各種保護設(shè)計方法詳解

      GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點，具有好的特性。80年代中期問世以來，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場，中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件。

      2017-06-05 標(biāo)簽：igbt 3851 0

      igbt的工作原理圖詳解

      igbt的工作原理圖詳解

      IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）特性的高效能半導(dǎo)體器件。它特別適用于需要高...

      2024-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBT晶體管 3839 0

      絕緣柵雙極晶體管——IGBT，認識其原理及其應(yīng)用

      絕緣柵雙極晶體管——IGBT，認識其原理及其應(yīng)用

      絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。

      2023-09-06 標(biāo)簽：IGBT晶體管BJT 3823 0

      IGB門極開通電壓尖峰的機理分析及仿真驗證

      大家好，最近工作比較忙，更新文章有點慢，說實話寫篇自己還算看得過去的文章確實挺費時間，為了保證每周至少一篇文章，找點簡單的話題聊聊吧。

      2022-04-20 標(biāo)簽：電壓IGBT仿真驗證 3817 0

      功率器件終端區(qū)設(shè)計的必要性及注意事項有哪些？

      功率器件終端區(qū)設(shè)計的必要性及注意事項有哪些？

      功率器件有源區(qū)含有PN結(jié)，施加反向耐壓時，靠PN結(jié)承壓。實際平面工藝中，在芯片發(fā)射極表面光刻掩膜開窗口后進行雜質(zhì)注入推結(jié)，制作出的 PN結(jié)在中間大部分區(qū)...

      2023-08-08 標(biāo)簽：芯片設(shè)計IGBT功率器件 3804 0

      新能源汽車充電樁交/直流充電原理分析

      新能源汽車充電樁交/直流充電原理分析

      直流充電樁基本構(gòu)成包括：功率單元、控制單元、計量單元、充電接口、供電接口及人機交互界面等。功率單元是指直流充電模塊，控制單元是指充電樁控制器。

      2023-11-01 標(biāo)簽：電動汽車IGBTMOS 3804 0

      FluxLink 耦合技術(shù)：高壓隔離的保障

      FluxLink 耦合技術(shù)：高壓隔離的保障

      在汽車中一定要有應(yīng)急電源，為什么應(yīng)急電源如此重要？設(shè)想一下，如果你正在高速公路上駕車行駛上，不巧遇到緊急情況需要剎車，這時候電源電壓不足，事故在所難免，...

      2021-05-20 標(biāo)簽：MOSFET控制器IGBT 3783 0

      IGBT一些主要的分類方法

      IGBT一些主要的分類方法

      IGBT的主要功能在于其能夠作為全控器件，即可以觸發(fā)導(dǎo)通，也可以觸發(fā)關(guān)斷。這使得IGBT在電能變換和控制中起到關(guān)鍵作用。

      2024-03-14 標(biāo)簽：MOSFET散熱器IGBT 3779 0

      IGBT的使用與保護

      目前IGBT 的電流/電壓等級已達1800A/1200V，關(guān)斷時間已經(jīng)縮短到40ns，工作頻率可達40kHz，擎住現(xiàn)象得到改善，安全工作區(qū)（SOA）擴大...

      2023-02-16 標(biāo)簽：開關(guān)電源IGBT功率器件 3771 0

      SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

      SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

      　　在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...

      2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBTPN結(jié) 3769 0

      為何需要選擇一款igbt來替換FGH60N60SMD型號參數(shù)呢？

      這幾年來伴隨可再生能源以及分布式發(fā)電技術(shù)的發(fā)展，在光伏發(fā)電系統(tǒng)中Heric逆變器的應(yīng)用也越來越廣泛。

      2023-04-11 標(biāo)簽：逆變器電力系統(tǒng)IGBT 3765 0

      IGBT的動態(tài)特性及開通過程

      IGBT的動態(tài)特性及開通過程

      導(dǎo)通時，當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓，電流開始通過IGBT。飽和電壓下降速度表示在IC（集電極電流）上升到特定值時，VCE（集電極-發(fā)射極電壓）下降的速度。

      2024-02-06 標(biāo)簽：IGBT晶體管集電極 3755 0

      igbt功率管柵極和集電極并聯(lián)電容的作用

      IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。在IGB...

      2024-08-07 標(biāo)簽：IGBT柵極集電極 3747 0

      基于Lifetime控制技術(shù)的超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS

      基于Lifetime控制技術(shù)的超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS

      ROHM獨有的超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS，運用ROHM獨創(chuàng)的Lifetime控制技術(shù)優(yōu)勢，實現(xiàn)了極快*的反向恢復(fù)時間（trr），非常有助于...

      2021-01-07 標(biāo)簽：逆變器電機驅(qū)動IGBT 3747 0

      igbt功率管型號參數(shù)意義

      IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT...

      2024-08-08 標(biāo)簽：高電壓IGBT功率管 3739 0

      淺談MOSFET/IGBT驅(qū)動器理論及其應(yīng)用

      淺談MOSFET/IGBT驅(qū)動器理論及其應(yīng)用

      本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù)，驅(qū)動器的類型，隔離技術(shù)以及MOSFET / IGB...

      2021-05-26 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動器IGBT 3735 0

      什么是二極管的反向恢復(fù)

      什么是二極管的反向恢復(fù)

      IGBT的續(xù)流二極管是個很有意思的東西，對模塊整體的性能影響很大，今天就聊聊它。

      2024-10-15 標(biāo)簽：IGBTPN結(jié)快恢復(fù)二極管 3721 0

      有哪些國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)IGBT型號可以用于高頻車載正弦波逆變器呢？

      IGBT在高頻車載正玄波逆變器中一般起到控制和調(diào)節(jié)電流的作用。

      2023-04-04 標(biāo)簽：正弦波逆變器IGBT 3693 0

      什么是IGBT？IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)拆解

      IGBT （絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。

      2023-03-17 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFETIGBT 3693 0

      絕緣柵雙極晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

      絕緣柵雙極晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

      絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種功率半導(dǎo)體，具有MOSFET 的高速、電壓相關(guān)柵極...

      2024-02-27 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 3689 0

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      • IOT
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        +關(guān)注
        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        海思
        +關(guān)注
      • STM32F103C8T6
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        +關(guān)注
        STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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        數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中，尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號和開關(guān)量信號的傳輸。另一個重要原因是保護器件（或人）免受高電壓的危害。本文詳細介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點，選型及應(yīng)用，各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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        +關(guān)注
        LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器，能夠輸出3A的驅(qū)動電流，同時具有很好的線性和負載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V，可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
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        光模塊
        +關(guān)注
        光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
      • 光立方
        光立方
        +關(guān)注
        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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        K60
        +關(guān)注
      • STM32單片機
        STM32單片機
        +關(guān)注
        STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計的ARM Cortex-M3內(nèi)核
      • Nexperia
        Nexperia
        +關(guān)注
        Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
      • 步進驅(qū)動器
        步進驅(qū)動器
        +關(guān)注
        步進驅(qū)動器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機構(gòu)。當(dāng)步進驅(qū)動器接收到一個脈沖信號，它就驅(qū)動步進電機按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動一個固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運行的?？梢酝ㄟ^控制脈沖個數(shù)來控制角位移量，從而達到準(zhǔn)確定位的目的；同時可以通過控制脈沖頻率來控制電機轉(zhuǎn)動的速度和加速度，從而達到調(diào)速和定位的目的。
      • CD4046
        CD4046
        +關(guān)注
        cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無線發(fā)射，cd4046運用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
      • COMSOL
        COMSOL
        +關(guān)注
        COMSOL集團是全球多物理場建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團隊、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬，賦予設(shè)計理念以生命。
      • 加速度傳感器
        加速度傳感器
        +關(guān)注
        加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
      • 聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
        聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
        +關(guān)注
      • 服務(wù)機器人
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        +關(guān)注
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      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
      • 靜電防護
        靜電防護
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      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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