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      標(biāo)簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1248人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3073個 瀏覽：254672次 帖子：483個

      igbt技術(shù)

      IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)介紹 如何拆卸IGBT模塊？

      IGBT （絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。

      2023-03-10 標(biāo)簽：IGBT雙極晶體管絕緣柵 3989 0

      IGBT功率模塊的特點及應(yīng)用

      IGBT功率模塊的特點及應(yīng)用

      　IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點。實質(zhì)是個復(fù)合功率器件，它集雙...

      2023-02-22 標(biāo)簽：IGBT晶體管功率模塊 3965 0

      IGBT的并聯(lián)使用方法介紹

      IGBT的并聯(lián)使用方法介紹

      驅(qū)動電路對動態(tài)均流的影響：驅(qū)動電路對并聯(lián)均流的影響也是顯而易見的，如果并聯(lián)工作的IGBT驅(qū)動電路不同步，則先驅(qū)動的IGBT要承擔(dān)大得多的動態(tài)電流。

      2023-10-20 標(biāo)簽：驅(qū)動器IGBT驅(qū)動電路 3959 0

      我認(rèn)為的電動車三電系統(tǒng)的發(fā)展趨勢

      選電動車，我主要看三電：電池，電機，電控。因為這三樣是構(gòu)成車的主要成本，也是關(guān)鍵。

      2023-01-16 標(biāo)簽：鋰電池電動車IGBT 3940 0

      AMB陶瓷基板在IGBT中應(yīng)用的優(yōu)勢

      AMB（活性金屬釬焊）工藝技術(shù)是DBC（直接覆銅）工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。

      2023-03-17 標(biāo)簽：逆變器IGBT功率器件 3936 0

      IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)和拆解

      IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)和拆解

      IGBT （絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、...

      2023-07-03 標(biāo)簽：芯片二極管MOSFET 3934 0

      銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用

      作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。

      2023-03-31 標(biāo)簽：IGBT氮化鎵功率模塊 3931 0

      什么是IGBT？IGBT模塊封裝的痛點與難點

      IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件，已廣泛應(yīng)用于多個產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞，制造商在IGBT模塊焊接裝配過程...

      2023-10-31 標(biāo)簽：三極管封裝IGBT 3930 0

      通過熱敏電阻，如何計算IGBT結(jié)溫？

      通過熱敏電阻，如何計算IGBT結(jié)溫？

      IGBT模塊中通常都會在陶瓷基板（DBC）上設(shè)有熱敏電阻（NTC或PTC，由于NTC較為常用，以下統(tǒng)稱NTC）用于溫度檢測。在實際應(yīng)用中，工程師最直接也...

      2023-05-05 標(biāo)簽：熱敏電阻NTC變頻器 3922 0

      電源管理芯片怎么測好壞電源芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)

      電源管理芯片怎么測好壞電源芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)

      電源管理芯片（PMIC）是在單片芯片內(nèi)包括多種電源軌和電源管理功能的集成電路，主要功用為在存在多個電源的情況下，選取、分配電力給主系統(tǒng)各部分使用。

      2024-03-29 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 3911 0

      BJT，MOSFET和IGBT的智能功率模塊解析

      BJT，MOSFET和IGBT的智能功率模塊解析

      智能功率模塊（IPM）是一種功率半導(dǎo)體模塊，可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個封裝中。它包括所需的驅(qū)動電路和保護(hù)功能，以及IGBT。這樣，可以通過...

      2023-02-02 標(biāo)簽：電路封裝IGBT 3906 0

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      MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開關(guān)作用的均是功率器件的有源區(qū)，那為什么還要在周圍設(shè)計一圈終端區(qū)浪費芯片的一部分面積呢

      2023-11-14 標(biāo)簽：二極管MOSFETIGBT 3906 0

      IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域及現(xiàn)狀分析

      IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域及現(xiàn)狀分析

      近年來，新型功率開關(guān)器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認(rèn)識，IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率...

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      功率半導(dǎo)體迎來SiC時代？碳化硅（SiC）的需求快速增長

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      在新能源汽車終端市場中，隨著SiC材料價格下降，碳化硅（SiC）的需求快速增長，來自于車載充電、驅(qū)動逆變和DC-DC轉(zhuǎn)換。

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      開關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT，MOS并不是理想開關(guān)器件，其開通時間和關(guān)斷時間不是嚴(yán)格一致的，如果兩端有電壓，將導(dǎo)致直流電源短路，損壞橋臂...

      2023-04-24 標(biāo)簽：元器件IGBTMOS 3904 0

      大功率電力電子裝置常用的功率半導(dǎo)體開關(guān)器件有哪些？

      電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電...

      2023-02-27 標(biāo)簽：MOSFET控制電路電力電子器件 3904 0

      國內(nèi)igbt技術(shù)相比國外如何？igbt安全注意事項以及柵極干擾降低的實現(xiàn)

      國內(nèi)igbt技術(shù)相比國外如何？igbt安全注意事項以及柵極干擾降低的實現(xiàn)

      技術(shù)也要與之相適應(yīng)。未來IGBT模塊技術(shù)將圍繞 芯片背面焊接固定 與 正面電極互連 兩方面改進(jìn)。模塊技術(shù)發(fā)展趨勢：無焊接、 無引線鍵合及無襯板/基板封裝...

      2017-05-16 標(biāo)簽：新能源igbt晶體管 3888 0

      IGBT組成的H橋功率單元和級聯(lián)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有什么不同？

      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種電力電子設(shè)備中常用的高效能開關(guān)器件，它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極晶體管的低導(dǎo)通壓降特點。

      2024-05-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 3870 0

      RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹

      RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹

      IGBT同時集MOSFET易驅(qū)動和BJT大電流兩個顯著特點于一身，因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。

      2023-11-24 標(biāo)簽：MOSFETVDMOSIGBT 3862 0

      SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

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      相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時的損耗，實現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減...

      2023-09-11 標(biāo)簽：MOSFET元器件導(dǎo)通電阻 3857 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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      tvyt jf_97492079 efans_62931057 jf_36666513 jf_18435973 jf_10998439 故園東方水 jf_11830122 jf_24263545 阿bu jf_64181280 jf_85431462

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