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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT元件的損耗總和分為:通態(tài)損耗與開關(guān)損耗。開關(guān)損耗分別為開通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻IGBT續(xù)流二極管 4107 0
自 20 世紀(jì) 80 年代發(fā)展至今,IGBT 芯片經(jīng)歷了 7 代技術(shù)及工藝的升級,從平面穿通型(PT)到微溝槽場截止型,IGBT 從芯片面積、工藝線寬、...
大功率IGBT在新能源汽車領(lǐng)域的的研發(fā)情況如何?
GBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)...
Interlock互鎖電路在不同驅(qū)動器下的實現(xiàn)
在電機驅(qū)動、逆變電源等應(yīng)用中,橋式電路是最基本的拓?fù)?,典型三相橋式逆變電路如下圖1所示。而橋式電路中的任一橋臂,其上下管一般采用180°導(dǎo)通方式,即上下...
對于變頻器在啟動的過程中報過電流這一情況,引發(fā)導(dǎo)致過電流的原因大部分出在驅(qū)動電路及IGBT逆變電路。判斷驅(qū)動電路及IGBT逆變電路導(dǎo)致過電流的依據(jù)是當(dāng)變...
功率半導(dǎo)體的功能主要是對電能進行轉(zhuǎn)換,對電路進行控制,改變電子裝置中的電壓和頻率,直流或交流等,均具有處理高電壓,大電流的能力。
2023-02-03 標(biāo)簽:大電流IGBT功率半導(dǎo)體 4066 0
在逆變器、電機驅(qū)動器和電池充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。
IGBT是什么類型的器件 IGBT是電壓驅(qū)動還是電流驅(qū)動
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種雙極性器件,結(jié)合了MOSFET和普通晶體管的優(yōu)勢,既具有IGFET(...
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時,需要在10us或者更短的時間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
晶閘管(Thyristor)與絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)作為電力電子領(lǐng)域中的關(guān)...
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異(1)
IGBT是要耐受高電壓的,在《IGBT的若干PN結(jié)》一章中,我們從高斯定理、泊松方程推演了PN結(jié)的耐壓,主要取決于PN結(jié)的摻雜濃度。
2023-12-01 標(biāo)簽:IGBTPN結(jié)功率半導(dǎo)體 4014 0
市面常見電磁爐技術(shù)分為單管電磁爐技術(shù)與半橋電磁爐技術(shù),單管電磁爐主要操作在2千瓦以下,其優(yōu)點為電路架構(gòu)簡單與成本低,缺點則是通常的單管電磁爐在設(shè)定功率較...
什么是IGBT?IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和相關(guān)工藝
IGBT是英文Isolated Gate BipolarTransistor的簡稱,中文稱作絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT (雙極型三極管) 和MOS ...
2023-12-12 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管IGBT 3989 0
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