硅和二氧化硅的濕化學(xué)蝕刻工藝

硅是微電子學(xué)和微細(xì)力學(xué)中最常用的襯底材料。它不僅可用作無(wú)源襯底，也可用作電子或機(jī)械元件的有源材料。如本章所述，所需的圖案也可以通過(guò)濕化學(xué)蝕刻方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。

2022-03-23 標(biāo)簽：元件材料蝕刻 2668 0

局部陽(yáng)極氧化和化學(xué)蝕刻對(duì)硅表面的自然光刻

利用作為掩模的陽(yáng)極多孔氧化鋁的模式轉(zhuǎn)移，制備了具有100nm周期性自有序結(jié)構(gòu)的孔和柱陣列納米結(jié)構(gòu)，納米圖案的轉(zhuǎn)移是通過(guò)一個(gè)涉及硅的局部陽(yáng)極化和隨后的化學(xué)...

2022-03-23 標(biāo)簽：電壓蝕刻測(cè)量 620 0

單晶硅各向異性蝕刻特性的表征

在本文章中，研究了球形試樣的尺寸參數(shù)，以確定哪種尺寸允許可靠地測(cè)量各向異性蝕刻中的方向依賴性，然后進(jìn)行了一系列的實(shí)驗(yàn)，測(cè)量了所有方向的蝕刻速率。這導(dǎo)致建...

2022-03-22 標(biāo)簽：參數(shù)蝕刻單晶硅 776 0

電化學(xué)行為后的蝕刻清洗

清潔是在 32 nm 及以下技術(shù)的微電子設(shè)備中集成自對(duì)準(zhǔn)勢(shì)壘 (SAB) 的關(guān)鍵步驟之一。因此，研究不同清洗液對(duì) SAB 金屬成分的影響非常重要，主要涉...

2022-03-22 標(biāo)簽：電化學(xué)蝕刻測(cè)量 860 0

用蝕刻法測(cè)定硅晶片表面的金屬雜質(zhì)

本研究為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對(duì)硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量...

2022-03-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體設(shè)備蝕刻 627 0

用NaOH和KOH溶液蝕刻硅晶片的比較研究

在本研究中，我們研究了堿性后刻蝕表面形貌對(duì)p型單晶硅片少子壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態(tài)通過(guò)計(jì)算算術(shù)平均粗...

2022-03-21 標(biāo)簽：光電蝕刻測(cè)量 1127 0

HF/H2O二元溶液中硅晶片變薄的蝕刻特性

使用酸性或氟化物溶液對(duì)硅表面進(jìn)行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產(chǎn)微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對(duì)浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散...

2022-03-18 標(biāo)簽：光電蝕刻晶片 1039 0

如何利用原子力顯微鏡測(cè)量硅蝕刻速率

本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量硅蝕刻速率的簡(jiǎn)單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過(guò)無(wú)損摩擦化學(xué)去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮...

2022-03-18 標(biāo)簽：檢測(cè)蝕刻測(cè)量 739 0

丁基醇濃度對(duì)Si平面表面形貌和蝕刻速率的影響

本文我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體有限公司研究了類似的現(xiàn)象是否發(fā)生在氫氧化鉀溶液中添加的其他醇，詳細(xì)研究了丁基醇濃度對(duì)（100）和（110）Si平面表面形貌和蝕刻速...

2022-03-18 標(biāo)簽：蝕刻晶片測(cè)量 618 0

晶圓級(jí)自清潔反射硅表面的簡(jiǎn)單方法

利用氫氧化鉀蝕刻和銀催化蝕刻，在晶體硅片上生成了錐體分層結(jié)構(gòu)，經(jīng)氟化后表現(xiàn)出較強(qiáng)的抗反射和超疏水性，利用紫外輔助壓印光刻技術(shù)將分層硅結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到NOA63...

2022-03-17 標(biāo)簽：蝕刻硅片儀器 844 0

微細(xì)加工濕法蝕刻中不同蝕刻方法

微加工過(guò)程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過(guò)程中的一個(gè)重要步驟。術(shù)語(yǔ)蝕刻指的是在制造時(shí)從晶片表面去除層。這是一個(gè)非常重要的過(guò)程，每個(gè)晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過(guò)...

2022-03-16 標(biāo)簽：蝕刻晶片加工 1652 0

單晶硅片堿性溶液中的蝕刻速率

本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，...

2022-03-16 標(biāo)簽：光纖蝕刻硅片 1000 0

怎樣通過(guò)重新化學(xué)表面處理改善水痕缺陷

根據(jù)水痕缺陷主要成分是氧化硅的特征， 利用磷酸氧化硅有較低的蝕刻率， 并不會(huì)蝕刻掉多晶硅的特性， 工藝易于控制。 因此對(duì)于用光學(xué)顯微鏡觀察到產(chǎn)生水痕缺陷...

2022-03-15 標(biāo)簽：晶圓蝕刻缺陷 756 0

AFN塊體單晶的濕法蝕刻和紅外吸收研究報(bào)告

摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射(XRD)和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法(PVT)生長(zhǎng)AlN(0001)單晶的缺陷和晶格完善性。 一個(gè)正六邊形的蝕刻...

2022-03-14 標(biāo)簽：單晶蝕刻 588 0

一種改進(jìn)的各向異性濕法蝕刻工藝

我們開發(fā)了一種改進(jìn)的各向異性濕法蝕刻工藝，通過(guò)在晶片上使用單個(gè)蝕刻掩模來(lái)制造各種硅微結(jié)構(gòu)，這些微結(jié)構(gòu)具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微...

2022-03-14 標(biāo)簽：CMOS工藝蝕刻 1018 0

解析半導(dǎo)體蝕刻過(guò)程中的光學(xué)監(jiān)測(cè)

為了獲得功能正常的半導(dǎo)體器件，我們?cè)诩{米制造過(guò)程中依賴于嚴(yán)格的尺寸控制。在該初步校準(zhǔn)之后，在相同的處理?xiàng)l件下在真實(shí)晶片上運(yùn)行制造，隨后再次進(jìn)行后處理測(cè)量...

2022-03-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體監(jiān)測(cè)蝕刻 1772 0

二氧化硅薄膜蝕刻速率均勻性的比較

半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中，蝕刻工藝是非常重要的工藝。蝕刻工藝中使用的方法通常有batch式和枯葉式兩種。Batch式是用傳統(tǒng)的方法，在藥液bath中一次性加入數(shù)...

2022-03-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻晶片 1041 0

用于化學(xué)分析應(yīng)用的Si各向異性濕法化學(xué)蝕刻

分析化學(xué)小型化的一個(gè)方便的起點(diǎn)在于使用單晶硅作為起始材料，微加工作為使能技術(shù)，濕化學(xué)蝕刻作為關(guān)鍵的微加工工具。在這次可行性研究和學(xué)習(xí)中都起到了關(guān)鍵作用。

2022-03-11 標(biāo)簽：材料蝕刻微機(jī)械 897 0

晶圓濕式用于硅蝕刻浴晶圓蝕刻

了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長(zhǎng)寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅...

2022-03-11 標(biāo)簽：傳感器晶圓蝕刻 594 0

二氧化硅蝕刻標(biāo)準(zhǔn)操作程序研究報(bào)告

緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 ...

2022-03-10 標(biāo)簽：材料蝕刻晶片 1184 0