負責監(jiān)管藍牙技術的行業(yè)協(xié)會藍牙技術聯(lián)盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場研究報告《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)：一種新型藍牙物聯(lián)網(wǎng)設備》，深入分析了這種新型物聯(lián)網(wǎng)設備。
2024-03-11 15:08:54
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該環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)研究報告預測了物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展演變和市場增長趨勢 ? 北京， 2024 年 3 月 6 日 ——負責監(jiān)管藍牙技術的行業(yè)協(xié)會藍牙技術聯(lián)盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場研究報告《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)：一種
2024-03-06 11:07:2487 
大多數(shù)氣體分子在中紅外光譜范圍（2.5~20 μm）內(nèi)具有振動特征吸收峰，這一特性可應用于痕量氣體檢測和定量分析。
2024-03-01 09:24:54165 
根據(jù)已公開的研究報告，東京電子的新式蝕刻機具備在極低溫環(huán)境下進行高速蝕刻的能力。據(jù)悉，該機器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外，設備使用了新開發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳氣體以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109 近紅外光譜儀（Near Infrared Spectrometer，NIRS）是一種用于測量物質近紅外光譜的儀器。它利用物質在近紅外光波段的吸收特性來獲取樣品的信息，廣泛應用于農(nóng)業(yè)、生命科學、環(huán)境
2024-02-04 16:52:57298 單晶光伏板和多晶光伏板的區(qū)別? 單晶光伏板和多晶光伏板是目前最常用的兩種太陽能光伏電池板。它們在材料、生產(chǎn)工藝、性能和成本等方面存在一些明顯的區(qū)別。本文將詳細介紹單晶光伏板和多晶光伏板的區(qū)別。 首先
2024-02-03 09:19:22652 在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機械磨削、化學機械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學蝕刻。
2024-01-26 09:59:27547 
佐思汽研發(fā)布《2023-2024年全球和中國混合動力汽車研究報告》。
2024-01-25 13:54:501270 
近紅外光譜儀是一種用于測量物質在近紅外波段的吸收和散射性質的儀器。近紅外光譜儀的原理基于光的互作用和物質的分子結構之間的相互關系，能夠提供物質分子的結構、成分和濃度等信息。近紅外光譜儀在許多領域都有
2024-01-25 13:43:06369 光伏板單晶和多晶哪個發(fā)電多？ 太陽能光伏板是利用太陽光的能量轉換為電能的裝置。而光伏板的發(fā)電效率是一個衡量其性能的重要指標。單晶和多晶是光伏電池的兩種常見制造工藝，它們在發(fā)電效率上有所不同。在這
2024-01-23 14:58:14349 智程半導體自2009年起致力于半導體濕法工藝設備研究、生產(chǎn)與銷售事業(yè)，10余載研發(fā)歷程，使得其已成為全球頂尖的半導體濕法設備供應商。業(yè)務范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設備，廣泛應用于各種高尖端產(chǎn)品領域。
2024-01-12 14:55:23636 AlN單晶襯底以其優(yōu)異的性能和潛在的應用前景引起了人們的廣泛研究興趣. 物理氣相輸運（PVT）是最適合AIN襯底制備的方法。
2023-12-28 09:20:22316 
轉自：存儲產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 2023年11月30日， 存 儲產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中國電子技術標準化研究院聯(lián)合發(fā)布《分布式融合存儲研究報告（2023）》，詳細闡釋分布式融合存儲概念和技術要求
2023-12-21 18:05:01270 
這份報告由業(yè)內(nèi)知名研究機構——MicroLED產(chǎn)業(yè)聯(lián)合會公布。事實上，早在2000年，業(yè)界便開始關注MicroLED技術。該技術以其出色的亮度、豐富的色彩展現(xiàn)力以及超長的使用壽命引起了轟動。
2023-12-20 14:35:07333 世界各國不僅把6G作為構筑未來數(shù)字經(jīng)濟與社會發(fā)展的重要基石，也將其視為國家間前沿科技競爭的制高點。全球主要國家的多。個研究機構和聯(lián)盟組織相繼發(fā)布了6G總體愿景、技術趨勢、網(wǎng)絡架構等方面的白皮書和研究報告，陳述各國發(fā)展6G的宏偉愿景與技術思考。
2023-12-19 11:23:36151 
量子阱紅外探測器基于子帶躍遷的工作原理，探測器吸收紅外輻射后激發(fā)量子阱中的電子，使其從基態(tài)躍遷到連續(xù)態(tài)中，從而實現(xiàn)紅外探測。
2023-12-18 10:42:41232 
GaN和InGaN基化合物半導體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實現(xiàn)藍-綠光發(fā)光二極管和藍光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:22220 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
存儲研究報告》（以下簡稱：《報告》）正式發(fā)布?！?b class="flag-6" style="color: red">報告》首次系統(tǒng)梳理并深入分析了分布式融合存儲的概念、技術架構和應用場景，為融合存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供參考和指引。 中國電子技術標準化研究院領導表示，“數(shù)據(jù)成為重要的生產(chǎn)要素，數(shù)據(jù)
2023-11-30 16:25:01172 
單晶硅光伏板是一種基于單晶硅材料制造的太陽能光電設備，常用于太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中。單晶硅光伏板由多個單晶硅太陽能電池片組成，每個電池片都被覆蓋在透明的防反射玻璃上，并使用鋁框架進行支撐和保護。
2023-11-29 09:46:061005 濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產(chǎn)生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
強度與柔韌性等，被視為“后摩爾定律”時代半導體工業(yè)新的突破口。然而，極薄的厚度導致的弱光-物質相互作用成為研發(fā)高性能紅外探測器件的重要挑戰(zhàn)。目前已經(jīng)報道的研究工作并沒有提供令人滿意的吸收增強效果與低損耗率，
2023-11-17 09:07:34219 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《工業(yè)控制系統(tǒng)及其安全性研究報告.pdf》資料免費下載
2023-11-16 14:29:13
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于開關電源的尖峰吸收電路研究.doc》資料免費下載
2023-11-14 14:45:192 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于開關電源的尖峰吸收電路研究 .pdf》資料免費下載
2023-11-14 10:29:150 艾瑞咨詢：2023年中國家用智能照明行業(yè)研究報告
2023-11-07 16:37:390 氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現(xiàn)藍光發(fā)光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化學蝕刻來蝕刻或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32244 
GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
隨著紅外探測技術的飛速發(fā)展，紅外隱身材料的開發(fā)已成為一個迫切的需求。紅外隱身效果受溫度和紅外發(fā)射率的共同影響，但以往的研究大多集中在單一因素上，從而限制了紅外隱身產(chǎn)品的有效性。
2023-10-07 15:28:42678 
香港上市公司ESG表現(xiàn)積極 ?但仍需持續(xù)改進 香港2023年9月20日 /美通社/ -- 方圓企業(yè)服務繼2021年以來，于2023年9月19日，連續(xù)第三年發(fā)布ESG 研究報告。通過對上市公司ESG
2023-09-21 03:36:58265 
都在研究這種新型設備，因為這種新型設備具有類似塊體結構無法實現(xiàn)的物理特性和行為。 朱教授的團隊最近研究了范德華異質結構對于高效光捕獲的適用性，并在《化學物理雜志》上發(fā)表了一篇新文章，報告了他們的實驗和發(fā)現(xiàn)。他們
2023-09-18 16:47:48178 
在紅外光的照射下，氣體分子只能夠吸收與其本身分子轉動、振動頻率一致的紅外光譜。 由于不同氣體擁有各自不同的特征頻率，因此采用特定頻率的激光照射被測氣體時，根據(jù)氣體紅外吸收光譜可以從中可以獲得該氣體在紅外區(qū)的吸收峰，根據(jù)紅外吸收峰通過查詢數(shù)據(jù)庫可以得到待檢測的是何種氣體。
2023-09-18 10:24:55386 
好消息再次傳來！ 統(tǒng)信UOS又雙叒叕獲得認可！ 第一新聲發(fā)布 《2023年中國信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)研究報告》 我們分別入選： 中國最佳信創(chuàng)廠商TOP50 中國最佳信創(chuàng)操作系統(tǒng)廠商 中國最佳信創(chuàng)廠商優(yōu)秀
2023-09-13 17:02:17376 
近日，中國信息通信研究院在“2023 SecGo云和軟件安全大會”上發(fā)布了 《零信任發(fā)展研究報告（2023年）》 （以下簡稱“報告”），全面介紹了在數(shù)字化轉型深化背景下，零信任如何解決企業(yè)面臨的安全
2023-09-06 10:10:01488 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
吸收電流是什么意思 吸收電流是指某個電子元件、電路或設備所需要的電流，以供其正常工作或發(fā)揮預期功能。這些電路和設備需要一定的電流才能工作。在電路中，電流可以被看作是電荷在電路中的流動。電荷從高
2023-09-05 09:19:171102 我們?nèi)A林科納通過光學反射光譜半實時地原位監(jiān)測用有機堿性溶液的濕法蝕刻，以實現(xiàn)用于線波導的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結構產(chǎn)生的各向同性蝕刻導致表面
2023-08-22 16:06:56239 
?！该滥芄夥箵碛械母道锶~紅外光譜儀，可測量物質紅外吸收的頻率、強度和線型等，從而獲得物質中局域結構方面的信息。本期「美能光伏」將給您講解異質結電池中非晶硅薄膜的紅外吸收光譜。
2023-08-19 08:37:00661 
碲鎘汞（HgCdTe）、銻化銦（InSb）和銦鎵砷（InGaSb）等塊體半導體紅外探測器的優(yōu)異性能使得其在制導、遙感、偵察等軍事及航天領域均發(fā)揮了重要作用。
2023-08-10 09:24:38860 
碲鎘汞是一種近乎理想的紅外探測器材料，吸收系數(shù)高、量子效率高、載流子壽命長、工作溫度高，而且通過調(diào)整組分能夠覆蓋1 μm ~ 30 μm波段的紅外輻射。
2023-08-07 11:03:15567 
佐思汽研發(fā)布了《2023年汽車車內(nèi)通信及網(wǎng)絡接口芯片行業(yè)研究報告》。 根據(jù)通信連接形態(tài)的不同，汽車通信應用分為無線通信和有線通信。
2023-08-02 10:56:431401 
預登記展會領取門票還可以獲得由AIoT星圖研究院出品2023行業(yè)報告之《蜂窩物聯(lián)網(wǎng)系列之LTE Cat.1市場跟蹤調(diào)研報告》、《中國光伏物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)分析報告》、《2023中國智慧工地行業(yè)市場研究報告
2023-07-31 11:14:32525 
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研究 報告《 容、感、阻被動元器件市場
報告》，如需領取
報告，請關注公眾號，后臺回復 ? 元器件? 即可領??！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉載請注明以上來源。如需入群交流 ，請?zhí)砑?/div>
2023-07-17 17:15:04246 
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
年7月6日 作為致力于助力企業(yè)實現(xiàn)數(shù)據(jù)、資產(chǎn)和人員智能互聯(lián)的先進數(shù)字解決方案提供商，斑馬技術公司（納斯達克股票代碼：ZBRA）今日發(fā)布2023年《汽車生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報告》。報告結果表明，汽車制造商正面對著來自各方面的壓力，他們需要滿足消費者對整體制造過
2023-07-07 16:07:24321 自己的模板
研究 報告《 虛擬人產(chǎn)業(yè)鏈及市場前景
報告》，如需領取
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2023-07-03 17:25:02283 
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學性質非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
研究報告1.0版》，總計192頁，分為技術篇、產(chǎn)業(yè)篇、評測篇、職業(yè)篇、風險篇、哲理篇、未來篇、團隊篇等多個篇章，對AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢進行了詳盡研究和分析
2023-06-09 10:32:36550 
供應充電寶XB8608AFN，提供xb8608芯片參數(shù)規(guī)格書 ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向深圳市驪微電子申請 。>>
2023-06-08 10:44:415 發(fā)展研究報告1.0版》，總計192頁，分為技術篇、產(chǎn)業(yè)篇、評測篇、職業(yè)篇、風險篇、哲理篇、未來篇、團隊篇等多個篇章，對AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢進行了詳盡研究和分析。 以下為報告內(nèi)容 受篇幅限制，以上僅為部分報告預覽 后臺回復【 AIG
2023-06-04 16:15:01503 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484918 蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 【摘要】 在半導體濕法工藝中，后道清洗因使用有機藥液而與前道有著明顯區(qū)別。本文主要將以濕法清洗后道工藝幾種常用藥液及設備進行對比研究，論述不同藥液與機臺的清洗原理，清洗特點與清洗局限性。【關鍵詞
2023-04-20 11:45:00823 
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研究 報告《 汽車MCU產(chǎn)業(yè)鏈分析
報告》，如需領取
報告，請關注公眾號，后臺回復 ? MCU? 即可領??！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉載請注明以上來源。如需入群交流 ，請?zhí)砑?/div>
2023-04-12 15:10:02390 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
全國普通高校大學生計算機類競賽研究報告鏈接：https://mp.weixin.qq.com/s/bdcp-wGqvXY_8DPzn8dhKw各高校在計算機類競賽中的表現(xiàn)情況是評估相關高校計算機
2023-04-10 10:16:15
STPS340AFN
2023-04-06 23:30:03
半導體行業(yè)的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非?；顫姷臍怏w的化學氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點處理是常見的做法。相比之下，對于濕法化學工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認
2023-04-06 09:26:48408 
濟南2023年3月31日?/美通社/ -- 近日，國際數(shù)據(jù)公司（IDC）發(fā)布了《中國工業(yè)邊緣市場分析》研究報告（以下簡稱《報告》）。浪潮云洲憑借云邊緣一體化機器視覺等特色解決方案布局，入選工業(yè)邊緣
2023-04-01 08:03:30540 清洗過程在半導體制造過程中，在技術上和經(jīng)濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
STPS1L30AFN
2023-03-29 22:37:25
多數(shù)氣體分子在近紅外波段（0.8~2.5 μm）和中紅外波段（2.5~20 μm）具有指紋吸收譜線，基于紅外光譜法的氣體檢測技術具有選擇性好、響應速度快等顯著優(yōu)點，在醫(yī)療衛(wèi)生、環(huán)境監(jiān)測等領域應用廣泛。
2023-03-29 09:36:38687 STPS2H100AFN
2023-03-28 13:19:41
研究表明，半導體的物理特性會根據(jù)其結構而變化，因此半導體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調(diào)整其電氣和光學特性以及連接性的結構。
2023-03-28 09:58:34251 
DB25S1AFN
2023-03-23 02:27:32
DB25P1AFN
2023-03-23 02:27:28
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