測(cè)量您的
HF GP垂直天線高度并算出空間需求。現(xiàn)在，在制作桿子時(shí)，需要某種方式將泡沫保持在適當(dāng)?shù)奈恢谩?/div>
2024-03-08 15:09:07
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Molex射頻識(shí)別 (RFID) 高頻 (HF) 解決方案為各種行業(yè)、應(yīng)用和環(huán)境提供多功能、穩(wěn)健、緊湊的資產(chǎn)跟蹤和識(shí)別功能。
2024-03-01 16:40:14191 在Linux中安裝的QT5.7.0中運(yùn)行QT項(xiàng)目，結(jié)果報(bào) error: GLES2/gl2.h: No such file or directory這個(gè)錯(cuò)誤，用了網(wǎng)上的方法都不行，在線等急?。?！
2024-02-23 09:25:33
要用到的基礎(chǔ)硬件材料如下：
1、核桃派H616開(kāi)發(fā)板+LCD屏幕≈178元；
2、四個(gè)電機(jī)+車(chē)輪≈16元；
3、電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊≈4元；
4、攝像頭≈50元；
5、移動(dòng)電源≈20元；
6、雪糕棒若干≈4元(也
2024-02-19 09:53:04
SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本結(jié)構(gòu)單元為 Si-C 四面體。
2024-01-18 09:42:01520 
這幾天一直在調(diào)試AD2S1200，現(xiàn)在遇到一個(gè)問(wèn)題一直沒(méi)法解決，請(qǐng)各位幫我看看，當(dāng)旋轉(zhuǎn)變壓器轉(zhuǎn)到270o~360o之間的時(shí)候，AD2S1200解出的是0~90o，不知問(wèn)題出在哪里?
我用的旋轉(zhuǎn)
2023-12-27 06:06:39
在微電子制造領(lǐng)域，光刻機(jī)和蝕刻機(jī)是兩種不可或缺的重要設(shè)備。它們?cè)谥圃彀雽?dǎo)體芯片、集成電路等微小器件的過(guò)程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而，盡管它們?cè)诠δ苌嫌兴嗨?，但在技術(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景等方面卻存在著明顯的區(qū)別。本文將對(duì)光刻機(jī)和蝕刻機(jī)的差異進(jìn)行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371 
技術(shù)提供了典型應(yīng)用。蝕刻工藝對(duì)器件特性有著較大的影響，尤其是在精確控制蝕刻深度和較小化等離子體損傷的情況下影響較大。
2023-12-13 09:51:24294 
按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46285 GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過(guò)等離子體刻蝕來(lái)完成
2023-12-01 17:02:39259 
三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設(shè)備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設(shè)備，深度蝕刻到晶片內(nèi)部，用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的形成。泛林集團(tuán) sabre 3d將用于用銅填充蝕刻的晶圓孔來(lái)制作線路的tsv線路。
2023-11-30 10:15:57331 由于其獨(dú)特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58166 
Profile文件中已擴(kuò)展App ID信息；后續(xù)上架流程會(huì)檢測(cè)API9以上HarmonyOS應(yīng)用/元服務(wù)的Profile文件是否包含App ID，未包含App ID的API9以上HarmonyOS應(yīng)用/元服務(wù)
2023-11-29 15:10:56
，雖然已經(jīng)發(fā)現(xiàn)KOH基溶液可以蝕刻AlN和InAlN，但是之前還沒(méi)有發(fā)現(xiàn)能夠蝕刻高質(zhì)量GaN的酸或堿溶液。在本文中，英思特通過(guò)使用乙二醇而不是水作為KOH和NaOH的溶劑，開(kāi)發(fā)了一種將晶體表面蝕刻為III族氮化物的兩步法。
2023-11-24 14:10:30241 
蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會(huì)對(duì)蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂(lè)觀的話來(lái)說(shuō)，可以對(duì)其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)問(wèn)題，后面的章節(jié)將專(zhuān)門(mén)討論。
2023-11-14 15:23:10217 大家對(duì)我解讀屬性訪問(wèn)的博客文章反應(yīng)熱烈，這啟發(fā)了我再寫(xiě)一篇關(guān)于 Python 有多少語(yǔ)法實(shí)際上只是語(yǔ)法糖的文章。在本文中，我想談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">二元算術(shù)運(yùn)算。 具體來(lái)說(shuō)，我想解讀減法的工作原理
2023-10-31 16:31:38191 Novator影像二次元檢測(cè)儀適用于所有精密測(cè)量的應(yīng)用領(lǐng)域，如機(jī)械、電子、儀器、五金、塑料等行業(yè)。尤其是全自動(dòng)影像測(cè)量?jī)x在測(cè)量一些弱邊緣特征(如過(guò)渡曲線、圓角加工等)時(shí)能完成自動(dòng)抓取，在保證精度
2023-10-30 09:22:34
現(xiàn)在能夠使用CR95HF提供的官方工程庫(kù)讀取到卡片的UID號(hào)，但是，后續(xù)芯片怎么驗(yàn)證M1卡，怎么向M1卡的塊中寫(xiě)入數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)，CR95HF芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)當(dāng)中也沒(méi)有提供，按照數(shù)據(jù)手冊(cè)當(dāng)中
2023-10-24 06:16:31
電阻器是電子電路中常見(jiàn)的被動(dòng)元件，用于限制電流、調(diào)整電壓和執(zhí)行其他電阻性功能。在電阻器的制造中，有兩種常見(jiàn)的類(lèi)型：厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻。這兩種類(lèi)型的電阻器在結(jié)構(gòu)、性能和應(yīng)用方面都有一些顯著的區(qū)別。本文將介紹厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻的區(qū)別，以幫助讀者更好地理解它們的特性和用途。
2023-10-23 09:00:17840 
為什么加正向電壓PN結(jié)變薄,加反向會(huì)變厚呢？ PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最基本和最常用的一種器件，具有正向?qū)ê头聪蚪刂沟?b class="flag-6" style="color: red">特性。如果將PN結(jié)的兩端施加正向電壓，電子從N型區(qū)流向P型區(qū)，空穴從P型區(qū)流向
2023-10-19 16:42:521803 亞甲藍(lán)溶液測(cè)試儀是一種用于檢測(cè)密封性的重要工具，通過(guò)負(fù)壓法來(lái)評(píng)估容器或管道的密封性能。該儀器利用真空泵將亞甲藍(lán)溶液抽入測(cè)試室，然后將測(cè)試室密封，觀察測(cè)試室內(nèi)的壓力變化情況來(lái)確定密封性能的好壞。本文將
2023-10-18 16:43:33
蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻液的化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開(kāi)發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達(dá)到幾乎沒(méi)有側(cè)蝕問(wèn)題，蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 Novator系列自動(dòng)二次元影像儀設(shè)備將傳統(tǒng)影像測(cè)量與激光測(cè)量掃描技術(shù)相結(jié)合，通過(guò)光學(xué)放大和數(shù)字圖像處理技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)物體尺寸、形狀、位置、輪廓等各種參數(shù)的測(cè)量，是一種全自動(dòng)影像測(cè)量?jī)x。產(chǎn)品應(yīng)用
2023-10-12 09:28:36
腐蝕pcb板的溶液按抗蝕層類(lèi)型與生產(chǎn)條件而選擇：有酸性氯化銅、堿性氯化銅、三氯化鐵、硫酸與過(guò)氧化氫、過(guò)硫酸鹽等多種。下面捷多邦小編和大家介紹一下腐蝕pcb板的溶液的一些知識(shí)。 三氯化鐵的蝕刻液是銅箔
2023-10-08 09:50:22734 GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來(lái)開(kāi)發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開(kāi)發(fā)一開(kāi)始集中于臺(tái)面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
中圖儀器Novator系列影像二次元測(cè)量?jī)x器基于光學(xué)原理，通過(guò)光學(xué)放大和數(shù)字圖像處理技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)物體尺寸、形狀、位置、輪廓等各種參數(shù)的測(cè)量。采用大理石主體機(jī)臺(tái)和精密伺服控制系統(tǒng)，將傳統(tǒng)影像測(cè)量與激光
2023-09-26 14:09:18
Novator系列光學(xué)二次元影像測(cè)量?jī)x采用高精度光學(xué)成像技術(shù)和計(jì)算機(jī)數(shù)字處理技術(shù)，能夠快速、準(zhǔn)確地獲取三維物體表面形態(tài)信息，并進(jìn)行精密的尺寸、角度等多項(xiàng)測(cè)量數(shù)據(jù)的分析和處理。在制造、建筑、醫(yī)療
2023-09-25 11:37:14
功能1.量測(cè)工具：掃描提取邊緣點(diǎn)、多段提取邊緣點(diǎn)、圓形提取邊緣點(diǎn)、橢圓提取、框選提取輪廓線、聚焦點(diǎn)、最近點(diǎn)等。2.二次元影像測(cè)量?jī)x生產(chǎn)廠家可測(cè)幾何量： 點(diǎn)、線、圓
2023-09-12 11:17:11
要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類(lèi)型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
，HarmonyOS生態(tài)、元服務(wù)新應(yīng)用形態(tài)更好的未來(lái)由我們共同去創(chuàng)造。
二、演講部分內(nèi)容
1.我在HDC2023分論壇的演講《與HarmonyOS同行，全面助力開(kāi)發(fā)者成長(zhǎng)》
2.HarmonyOS應(yīng)用分類(lèi)與元服務(wù)的優(yōu)勢(shì)
2023-09-05 10:23:37
鈦金屬具有較高的比強(qiáng)度和生物相容性，并且由于在金屬表面自發(fā)形成的鈍化膜而具有優(yōu)異的抗蝕刻性。這種薄氧化膜在空氣中容易形成，保護(hù)內(nèi)部活性鈦金屬免受侵蝕性介質(zhì)的影響。二氧化鈦具有很寬的帶隙，因此鈦經(jīng)常被用于各種應(yīng)用，包括光催化劑、化學(xué)傳感器和醫(yī)療植入物。
2023-09-01 10:18:07187 
應(yīng)用程序: 本樣本代碼使用 M031BT 來(lái)做藍(lán)牙電牙刷溶液 。
BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.05.000
硬件: nuvoton 核_M031BT 藍(lán)牙
2023-08-29 07:40:54
閃測(cè)儀編程簡(jiǎn)單，工件可以任意擺放，批量測(cè)量更快捷高效，更適合大批量測(cè)量場(chǎng)景。VX8000系列二次元閃測(cè)儀采用雙遠(yuǎn)心高分辨率光學(xué)鏡頭，結(jié)合高精度圖像分析算法，并融入一鍵閃測(cè)原理。CNC模式下，只需按下
2023-08-23 11:03:16
我們?nèi)A林科納通過(guò)光學(xué)反射光譜半實(shí)時(shí)地原位監(jiān)測(cè)用有機(jī)堿性溶液的濕法蝕刻，以實(shí)現(xiàn)用于線波導(dǎo)的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的各向同性蝕刻導(dǎo)致表面
2023-08-22 16:06:56239 
在一段時(shí)間內(nèi)不會(huì)在所有應(yīng)用中取代硅。 原因如下：
第一個(gè)需要克服的障礙是 GaN 晶體管的耗盡特性。 有源功率和邏輯電路需要常開(kāi)和常關(guān)類(lèi)型的晶體管。 雖然可以生產(chǎn)常關(guān)型 GaN 晶體管，但它們要么依賴(lài)于典型
2023-08-21 17:06:18
;中圖儀器2次元影像測(cè)量?jī)x是一種全自動(dòng)影像測(cè)量?jī)x，支持頻閃照明和飛拍功能，可進(jìn)行高速測(cè)量，大幅提升測(cè)量效率；具有可獨(dú)立升降和可更換RGB光源，可適應(yīng)更多復(fù)雜工件表面
2023-08-17 10:27:33
半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備是半導(dǎo)體製造過(guò)程中使用的設(shè)備。 化學(xué)溶液通過(guò)將晶片浸入化學(xué)溶液（蝕刻劑）中來(lái)選擇性地去除半導(dǎo)體晶片的特定層或區(qū)域，化學(xué)溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 點(diǎn)密度高，保證了測(cè)量的高可靠性；5.裝夾方便 CHOTEST中圖儀器Novator國(guó)產(chǎn)二次元影像儀品牌是一種全自動(dòng)影像測(cè)量?jī)x，充分發(fā)揮光學(xué)電動(dòng)變倍鏡頭的
2023-08-14 13:35:05
中圖儀器VX8000系列二次元圖像尺寸測(cè)量?jī)x也叫快速圖像尺寸測(cè)量?jī)x、閃測(cè)儀、一鍵式測(cè)量?jī)x，CNC模式下，只需按下啟動(dòng)鍵，儀器即可根據(jù)工件的形狀自動(dòng)定位測(cè)量對(duì)象、匹配模板、測(cè)量評(píng)價(jià)、報(bào)表生成，真正實(shí)現(xiàn)
2023-08-11 08:59:24
PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致大尺寸PCB整個(gè)板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431013 ??1700V,25A,至247-2包件,第六代離散的斯-肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標(biāo)準(zhǔn)高于標(biāo)準(zhǔn)硅溶液,同時(shí)達(dá)到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基
2023-07-27 10:22:00
1700V,10A,至247-2包件,第六代離散的斯-肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標(biāo)準(zhǔn)高于標(biāo)準(zhǔn)硅溶液,同時(shí)達(dá)到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基二
2023-07-27 10:19:54
1700V,5A,至247-2包件,第6代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標(biāo)準(zhǔn)高于標(biāo)準(zhǔn)硅溶液,同時(shí)達(dá)到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基二極管可以很
2023-07-27 10:17:56
的優(yōu)點(diǎn)。測(cè)量功能1.量測(cè)工具：掃描提取邊緣點(diǎn)、多段提取邊緣點(diǎn)、圓形提取邊緣點(diǎn)、橢圓提取、框選提取輪廓線、聚焦點(diǎn)、最近點(diǎn)等。2.CHOTEST中圖儀器二次元影像量測(cè)儀
2023-07-24 14:47:48
中圖儀器Novator系列影像儀二次元將傳統(tǒng)影像測(cè)量與激光測(cè)量掃描技術(shù)相結(jié)合，它通過(guò)光學(xué)放大和數(shù)字圖像處理技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)物體尺寸、形狀、位置、輪廓等各種參數(shù)的測(cè)量。支持頻閃照明和飛拍功能，可進(jìn)行高速
2023-07-20 14:04:07
蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
中圖儀器Novator系列二次元光學(xué)影像儀采用高精度光學(xué)成像技術(shù)和計(jì)算機(jī)數(shù)字處理技術(shù)，能夠快速、準(zhǔn)確地獲取三維物體表面形態(tài)信息，并進(jìn)行精密的尺寸、角度等多項(xiàng)測(cè)量數(shù)據(jù)的分析和處理。它通過(guò)光學(xué)放大
2023-07-12 11:26:11
蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
中圖儀器Novator系列精密二次元影像測(cè)量?jī)x在鏡頭端搭載著高清廣角鏡頭，能夠清晰地觀察到產(chǎn)品整體形狀，支持實(shí)時(shí)圖像與圖片兩種成像導(dǎo)航方式，能夠更好地幫助初學(xué)者實(shí)時(shí)觀察到整個(gè)樣品，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品快速定位
2023-07-11 09:34:32
熱沖擊”。這些壓敏電阻器符合ISO7637-2和ISO16750-2負(fù)載突降浪涌測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。Panasonic HF系列壓敏電阻器的工作溫度范圍為-55°C至+150°C。 特性 符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)
2023-07-06 15:31:19246 
。 Novator系列二次元測(cè)量影像儀融入閃測(cè)儀測(cè)量的拼接技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了同一測(cè)量模板，影像+閃測(cè)測(cè)量同時(shí)進(jìn)行。同時(shí)軟件新增的飛拍功能改變影像儀傳統(tǒng)運(yùn)行方式，在
2023-07-06 13:44:09
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
Novator系列二次元和2.5次元影像儀是全自動(dòng)影像測(cè)量?jī)x，采用大理石主體機(jī)臺(tái)和精密伺服控制系統(tǒng)，將傳統(tǒng)影像測(cè)量與激光測(cè)量掃描技術(shù)相結(jié)合，充分發(fā)揮了光學(xué)電動(dòng)變倍鏡頭的高精度優(yōu)勢(shì)，能實(shí)現(xiàn)2.5D
2023-06-26 14:54:30
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時(shí)，這就成了問(wèn)題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學(xué)也會(huì)有問(wèn)題。
2023-06-26 13:32:441053 
所使用的板子:NuTiny_NUC123 x 2
功能描述:
當(dāng)我們使用SPI Flash的時(shí)候, 為了加快讀/寫(xiě)速度, 有支援Dual I/O或是Quad I/O功能的型號(hào)是一大優(yōu)點(diǎn), 但是
2023-06-21 07:13:14
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來(lái)所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來(lái)，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526 
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場(chǎng)電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來(lái)了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴(lài)于各向異性蝕刻，但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
二次元影像儀日常維護(hù)如下：1、儀器應(yīng)放在清潔干燥的室內(nèi)（室溫20℃±5℃，濕度低于60%），避免光學(xué)零件表面污損、金屬零件生銹、塵埃雜物落入運(yùn)動(dòng)導(dǎo)軌，影響儀器性能。2、儀器使用完畢，工作面應(yīng)隨時(shí)擦拭
2023-06-13 11:59:01
◆Feature（特性)-優(yōu)越的抗硫化-優(yōu)越的抗浪涌電壓特性-適合波峰焊與回流焊-用于汽車(chē),符合AEC0200相關(guān)條款+125*溫度下100%功率使用 ◆Figures（型狀
2023-06-10 11:11:56
通過(guò)測(cè)量晶片上的殘留物得知，晶片上已經(jīng)分配并干燥了含有金屬鹽作為示蹤元素的溶液。假設(shè)有兩種不同的沉積機(jī)制：吸附和蒸發(fā)沉積。
2023-06-08 10:57:43220 硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會(huì)用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機(jī)理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn)，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長(zhǎng)及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度的影響，并對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級(jí)光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專(zhuān)門(mén)適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一
2023-05-31 10:24:03
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過(guò)鋁基和硅基載流子來(lái)研究蝕刻過(guò)程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過(guò)硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
過(guò)去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴(lài)蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過(guò)程，測(cè)量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測(cè)不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
可編程檢測(cè)，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜特征批量檢測(cè)。 中圖二次元影像測(cè)量?jī)x產(chǎn)品特點(diǎn)激光掃描成像、3D復(fù)合測(cè)量1.支持點(diǎn)激光輪廓掃描測(cè)量，進(jìn)行高度方向上的輪廓測(cè)量。2.支持
2023-05-26 11:08:34
蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會(huì)變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來(lái)維護(hù)蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484918 提取、對(duì)焦、匹配以及測(cè)量合成、影像合成等。這就提高了工作效率，節(jié)約了成本。中圖儀器Novator系列二次元自動(dòng)影像測(cè)量?jī)x采用大理石主體機(jī)臺(tái)和精密伺服控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)高
2023-05-18 13:57:44
蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類(lèi)：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽(yáng)能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤(pán)（晶片），然后是一個(gè)稱(chēng)為拍打的扁平過(guò)程，包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
。 中圖儀器Novator二次元三維影像測(cè)量?jī)x將傳統(tǒng)影像測(cè)量與激光測(cè)量掃描技術(shù)相結(jié)合，還支持頻閃照明和飛拍功能，可進(jìn)行高速測(cè)量，大幅提升測(cè)量效率；具有可獨(dú)立升降和
2023-05-15 11:29:26
減薄晶片有四種主要方法，(1)機(jī)械研磨，(2)化學(xué)機(jī)械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學(xué)漿液結(jié)合起來(lái)與晶片反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻則使用化學(xué)物質(zhì)來(lái)使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 請(qǐng)問(wèn)一下二極管的單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">特性有什么好處呢？
2023-05-05 09:41:56
HF/UHF接口 TBEN-L5-4RFID-8DXP-CDS 現(xiàn)場(chǎng)總線I/O模塊 TBEN-L4-4RFID-8DXP-CDS 5 ? 5 ? 5 提供RFID模塊，可通過(guò)PROFINET
2023-04-27 13:23:44673 書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：HQ2和HF溶液循環(huán)處理 編號(hào)：JFKJ-21-213 作者：炬豐科技 摘要 采用原子顯微鏡研究了濕法化學(xué)處理過(guò)程中的表面形貌。在SC-1清洗過(guò)程中，硅表面
2023-04-19 10:01:00129 
反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭(zhēng)論是微電子制造商在項(xiàng)目開(kāi)始時(shí)必須解決的首要問(wèn)題之一。必須考慮許多因素來(lái)決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類(lèi)型的蝕刻劑來(lái)制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 pcb阻抗設(shè)計(jì)中內(nèi)層阻抗有H1H2的參數(shù)，請(qǐng)問(wèn)他們有什么區(qū)別？
2023-04-11 17:44:31
如圖所示：1.單片機(jī)給IO口發(fā)送一個(gè)高電平后光耦3063會(huì)立即導(dǎo)通還是在交流電壓的過(guò)零點(diǎn)導(dǎo)通2.如果光耦在輸入電壓的過(guò)零點(diǎn)導(dǎo)通，是否可以認(rèn)為可控硅兩端的電壓為零，此時(shí)可控硅不導(dǎo)通，那如果是這樣請(qǐng)問(wèn)這個(gè)電路可控硅是何時(shí)導(dǎo)通的，又是和是關(guān)斷的 。導(dǎo)通是可控硅T2和G極之間的電壓為多少，怎么理解
2023-04-10 21:59:00
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
我正在使用 IMX8Q Max， 我想在 RTSP 流媒體中插入元數(shù)據(jù)，特別是在 RTSP 服務(wù)器中。我到底該怎么做？我的 gstreamer 管道是“v4l2src 設(shè)備=/dev/video3
2023-04-10 07:21:58
硅二極管的死區(qū)電壓和導(dǎo)通電壓分別為多少？反向飽和電流為多少數(shù)量級(jí)？
2023-03-31 11:45:58
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程，本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 研究表明，半導(dǎo)體的物理特性會(huì)根據(jù)其結(jié)構(gòu)而變化，因此半導(dǎo)體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調(diào)整其電氣和光學(xué)特性以及連接性的結(jié)構(gòu)。
2023-03-28 09:58:34251 
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對(duì)孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
2023-03-27 10:17:49402 
“make -j6 all”以退出代碼 2 終止。構(gòu)建可能不完整。15:04:04 構(gòu)建失敗。5 個(gè)錯(cuò)誤，0 個(gè)警告。（耗時(shí) 6s.719ms）在 src 和 includes 文件夾中找不到這些 LINIF 文件，請(qǐng)幫助我構(gòu)建此示例
2023-03-23 08:34:25
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