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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

      文章：2533個(gè) 瀏覽：50477次 帖子：38個(gè)

      碳化硅資訊

      碳化硅器件步入發(fā)展“快車(chē)道”，碳化硅襯底龍頭企業(yè)最新進(jìn)展到哪了？

      碳化硅器件步入發(fā)展“快車(chē)道”，碳化硅襯底龍頭企業(yè)最新進(jìn)展到哪了？

      電子發(fā)燒友原創(chuàng)? 章鷹 ? 2023年，車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅器件進(jìn)入供不應(yīng)求的階段。當(dāng)前碳化硅市場(chǎng)處于結(jié)構(gòu)性缺貨中，車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品持續(xù)短缺，光伏、儲(chǔ)能需求也在增長(zhǎng)。...

      2023-05-24 標(biāo)簽：碳化硅 4445 0

      青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地奠基儀式在深圳坪山舉行

      1月18日，青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地奠基儀式在深圳坪山舉行。 青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地是深圳市2020年重大項(xiàng)目，預(yù)計(jì)2022年底完工。該基地將作為...

      2021-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 4421 0

      國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體“搶跑”，縮短技術(shù)差距與大幅投資擴(kuò)產(chǎn)并舉，需注重產(chǎn)能與需求雙向平衡

      國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體“搶跑”，縮短技術(shù)差距與大幅投資擴(kuò)產(chǎn)并舉，需注重產(chǎn)能與需求雙向平衡

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）第三代半導(dǎo)體的火熱程度勿需多言，從氮化鎵電源適配器的規(guī)模放量到特斯拉搭載碳化硅模塊，再到國(guó)內(nèi)如火如荼地投資第三代半導(dǎo)體，這...

      2021-12-14 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅第三代半導(dǎo)體 4397 0

      SK海力士入股泰科天潤(rùn)，SiC晶圓成各大廠必爭(zhēng)之地？

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日，有消息稱SK海力士無(wú)錫投資公司參與了SiC晶圓廠泰科天潤(rùn)的D輪融資，成功入股泰科天潤(rùn)。SK集團(tuán)本身具備SiC晶圓廠，...

      2021-11-14 標(biāo)簽：晶圓碳化硅SK海力士 4390 0

      博世：新一代碳化硅技術(shù)助力智慧出行

      博世作為在汽車(chē)與智能交通領(lǐng)域深耕多年的產(chǎn)業(yè)巨擘，在家居和工業(yè)領(lǐng)域也能看到他們的身影。在智慧出行的迅速推行下，博世提出了哪些革新技術(shù)和解決方案呢？電子發(fā)燒...

      2020-07-14 標(biāo)簽：汽車(chē)電子碳化硅博世 4375 0

      中科院成功制備8英寸碳化硅襯底；華強(qiáng)北二手iPhone價(jià)格大跳水

      中科院成功制備8英寸碳化硅襯底 ? 近日中科院物理研究所在官網(wǎng)發(fā)文表示，科研人員通過(guò)優(yōu)化生長(zhǎng)工藝，進(jìn)一步解決了多型相變問(wèn)題，持續(xù)改善晶體結(jié)晶質(zhì)量，成功生...

      2022-05-07 標(biāo)簽：iPhone碳化硅賽力斯 4368 0

      碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

      碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

      本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進(jìn)...

      2022-02-15 標(biāo)簽：面板設(shè)備碳化硅 4332 0

      產(chǎn)業(yè)革命？液相法制備碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)交付！

      產(chǎn)業(yè)革命？液相法制備碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)交付！

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）去年7月，電子發(fā)燒友曾報(bào)道了天岳先進(jìn)展示了一種采用新的SiC晶體制備技術(shù)——液相法制備的低缺陷8英寸晶體。在今年4月底的2...

      2024-11-13 標(biāo)簽：碳化硅 4330 0

      光伏儲(chǔ)能市場(chǎng)一觸即發(fā)！碳化硅光伏逆變器風(fēng)光無(wú)限

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）據(jù)統(tǒng)計(jì)，截至2021年三季度，我國(guó)光伏發(fā)電機(jī)累計(jì)裝機(jī)量達(dá)275GW，同比增長(zhǎng)25%，累計(jì)新增裝機(jī)量 22GW，同比增長(zhǎng) 45...

      2022-02-14 標(biāo)簽：光伏碳化硅 4318 0

      意法半導(dǎo)體推出第三代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET晶體管

      意法半導(dǎo)體最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了產(chǎn)品性能和可靠性，保持慣有領(lǐng)先地位，更加適合電動(dòng)汽車(chē)和高能效工業(yè)應(yīng)用

      2022-01-17 標(biāo)簽：ST意法半導(dǎo)體碳化硅 4293 0

      碳化硅功率模塊在新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈中應(yīng)用的情況分析

      無(wú)論在消費(fèi)、工業(yè)還是汽車(chē)領(lǐng)域，目前氮化鎵都已有了成熟應(yīng)用的案例。英諾賽科銷(xiāo)售副總裁陳鈺林指出，在快充和激光雷達(dá)領(lǐng)域，氮化鎵已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了千萬(wàn)級(jí)別的出貨，英偉...

      2020-11-30 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體IGBT 4281 0

      碳化硅技術(shù)用“芯”領(lǐng)航新能源時(shí)代

      第二屆英飛凌碳化硅應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇暨光伏與儲(chǔ)能分論壇在春意盎然的上海圓滿收官。

      2019-04-24 標(biāo)簽：新能源碳化硅 4260 0

      瑞能最新推出1700V SiC MOSFET提升效率和輸出功率的目的

      相比于硅基高壓器件，碳化硅開(kāi)關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來(lái)驅(qū)動(dòng)功率器件，為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1...

      2022-08-01 標(biāo)簽：變換器電壓碳化硅 4205 0

      在混合電源設(shè)計(jì)上，Si、SiC、GaN如何各司其職？

      在混合電源設(shè)計(jì)上，Si、SiC、GaN如何各司其職？

      ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）今年5月英飛凌公布了專為AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的PSU（電源供應(yīng)單元）路線圖，在3.3kW、8kW、12kW的PSU方案上，...

      2024-07-08 標(biāo)簽：電源SiCGaN 4189 0

      英飛凌率先推出1200V碳化硅IPM的CoolSiC

      英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），并在今年大規(guī)模推出了SiC解決方案。...

      2021-01-08 標(biāo)簽：英飛凌IPM碳化硅 4176 0

      半導(dǎo)體材料的演進(jìn)情況

      半導(dǎo)體材料的演進(jìn)情況

      與傳統(tǒng)材料相比，第三代半導(dǎo)體材料更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件，因此，其為基礎(chǔ)制成的第三代半導(dǎo)體具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、...

      2021-01-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 4159 0

      英飛凌推出1200V SiC MOSFET 將提高可靠性和降低系統(tǒng)成本

      英飛凌推出1200V SiC MOSFET 將提高可靠性和降低系統(tǒng)成本

      大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有...

      2018-04-23 標(biāo)簽：英飛凌碳化硅sicmosfet 4154 0

      UnitedSiC在UF3C FAST FET系列中新增Kelvin連接器件

      碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布擴(kuò)展UF3C FAST產(chǎn)品系列，并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的...

      2019-01-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅Kelvin 4154 0

      碳化硅SIC將會(huì)發(fā)力電動(dòng)汽車(chē)？

      碳化硅SIC將會(huì)發(fā)力電動(dòng)汽車(chē)？

      碳化硅在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)（尤其是電動(dòng)汽車(chē)）中越來(lái)越受歡迎，但對(duì)于許多應(yīng)用來(lái)說(shuō)仍然過(guò)于昂貴。

      2024-01-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)功率半導(dǎo)體FinFET 4142 0

      碳化硅襯底，進(jìn)化到12英寸！

      碳化硅襯底，進(jìn)化到12英寸！

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸，并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展，在最上游的晶體、襯底，業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能，8英寸的碳化硅...

      2024-11-21 標(biāo)簽：碳化硅 4132 0

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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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        Cortex-A
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        Mobileye
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        Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車(chē)道偏離警告 （LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告 （FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制 （IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別 （TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制 （ACC） 等。
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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