99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

瑞能最新推出1700V SiC MOSFET提升效率和輸出功率的目的

瑞能半導(dǎo)體 ? 來源:瑞能半導(dǎo)體 ? 作者:瑞能半導(dǎo)體 ? 2022-08-01 14:18 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

碳化硅(SiC)功率器件

在中高壓電力電子系統(tǒng)中

有天然的應(yīng)用優(yōu)勢

光伏,電動(dòng)汽車,儲(chǔ)能充電等電力電子系統(tǒng)向更高電壓發(fā)展是目前行業(yè)中的趨勢。

相比于硅基高壓器件,碳化硅開關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動(dòng)功率器件,為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設(shè)計(jì)更簡單,成本更低的解決方案。

對(duì)于母線電壓在400V及以下的電力電子系統(tǒng)中,輔助電源常見方案為單開關(guān)管反激拓?fù)?。但在光伏、電?dòng)汽車、儲(chǔ)能充電等大功率或超大功率領(lǐng)域,母線電壓會(huì)更高。

當(dāng)母線電壓在600-1000V的范圍時(shí),如果采用雙管反激拓?fù)洌▓D1 a),即采用兩顆800V規(guī)格MOSFET分壓,會(huì)使系統(tǒng)更復(fù)雜,也會(huì)增加BOM的成本。如果繼續(xù)采用單管反激(圖1 b)方案,開關(guān)管額定電壓至少在1500V以上才能滿足耐壓需求。不僅可選擇的硅基MOSFET很少,而且由于器件需要更厚的外延層耐壓,導(dǎo)通電阻也會(huì)變得很大。

碳化硅作為寬禁帶材料,可以在高耐壓的同時(shí)實(shí)現(xiàn)較小的導(dǎo)通電阻。因此,1700V SiC MOSFET特別適用于高母線電壓系統(tǒng)的輔助電源開關(guān)

fc80ae9a-1152-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

圖1 兩種反激電路的對(duì)比

瑞能最新推出的1700V SiC MOSFET(料號(hào)WNSC2M1K0170W)采用TO-247封裝,圖2曲線是在施加不同柵極驅(qū)動(dòng)電壓下,通態(tài)電阻與器件溫度的關(guān)系,可以看到在25℃室溫狀態(tài)下施加18V驅(qū)動(dòng)電壓的通態(tài)電阻典型值約為750mΩ。

fc8ed9d4-1152-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

圖2 通態(tài)電阻與器件溫度的關(guān)系

與市場上常見的1500V Si MOSFET相比,瑞能1700V SiC MOSFET的通態(tài)電阻(Rdson)有明顯優(yōu)勢(見表1)。在高溫情況下,Si MOSFET的通態(tài)電阻快速上升,而瑞能SiC MOSFET的通態(tài)電阻隨溫度變化較小,在150℃高溫下還可以維持在較低水平,這也為一些環(huán)境溫度比較惡劣的應(yīng)用帶來了使用上的優(yōu)勢。

fcaffe2a-1152-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

表1 SiC MOSFET vs Si MOSFET通態(tài)電阻

瑞能為此1700V SiC MOSFET器件提供了參考設(shè)計(jì) (圖3):輸入電壓范圍為200V-1000V, 輸出可以同時(shí)提供24V, 15V, -15V等多路負(fù)載,滿功率狀態(tài)下可達(dá)60W??刂品绞綖椴捎?a href="http://www.socialnewsupdate.com/analog/" target="_blank">模擬IC控制器的準(zhǔn)諧振反激變換模式。此控制方式在全功率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了較高的效率水平,圖4所示為不同輸入電壓時(shí)該參考設(shè)計(jì)的效率數(shù)據(jù),最高效率點(diǎn)接近90%。

fcb98d28-1152-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

圖3 WNSC2M1K0170W參考設(shè)計(jì)展示板

fccda77c-1152-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

圖4 WNSC2M1K0170W

參考設(shè)計(jì)板效率數(shù)據(jù)

與上所述1500V Si MOSFET競品相比,WNSC2M1K0170W效率優(yōu)勢明顯。在全功率范圍內(nèi),大概保持3%左右的效率優(yōu)勢(圖5)。而工作狀態(tài)下,較低的損耗又同時(shí)大大降低了器件的運(yùn)行溫度,提升了器件運(yùn)行的長期可靠性。圖6為WNSC2M1K0170W和1500V Si MOSFET競品在滿載60W輸出下殼溫穩(wěn)定后的情況。

fcd716a4-1152-11ed-ba43-dac502259ad0.jpg

圖5 60W輸出效率對(duì)比

WNSC2M1K0170W vs 1500V Si MOSFET

fcea774e-1152-11ed-ba43-dac502259ad0.png

圖6 60W輸出殼溫

WNSC2M1K0170W vs 1500V Si MOSFET

·新品推介·

瑞能最新推出的1700V SiC MOSFET(料號(hào):WNSC2M1K0170W)采用TO-247封裝,可以有效替代反激變換器中使用的Si MOSFET器件,達(dá)到簡化系統(tǒng)結(jié)構(gòu),減少BOM成本,提升效率和輸出功率的目的。

WNSC2M1K0170W參考設(shè)計(jì)板可以在200-1000V寬范圍輸入電壓內(nèi)實(shí)現(xiàn)多路負(fù)載輸出共60W功率,并且最高效率點(diǎn)接近90%。

審核編輯:彭靜
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 變換器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    2142

    瀏覽量

    110842
  • 電壓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    45

    文章

    5711

    瀏覽量

    118020
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3067

    瀏覽量

    50517
  • SiC MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    87

    瀏覽量

    6515
  • 瑞能半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    65

    瀏覽量

    6677
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    BASiC基本公司SiC MOSFET碳化硅功率模塊在商空熱泵中的技術(shù)應(yīng)用

    Semiconductor推出的 BMS065MR12EP2CA2 碳化硅(SiC)MOSFET模塊,憑借其低損耗、高耐溫及高功率密度等特性,為商空熱泵的
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:44 ?234次閱讀
    BASiC基本公司<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>碳化硅<b class='flag-5'>功率</b>模塊在商空熱泵中的技術(shù)應(yīng)用

    國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在電力電子輔助電源中的全面進(jìn)口替代方案

    隨著新能源、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展,輔助電源對(duì)高效率、高功率密度及高溫穩(wěn)定性的需求日益迫切。傳統(tǒng)的硅基器件已逐漸難以滿足嚴(yán)苛的性能要求,而碳化硅(SiC)MOSFET憑借其
    的頭像 發(fā)表于 06-09 17:21 ?172次閱讀
    國產(chǎn)<b class='flag-5'>1700V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>在電力電子輔助電源中的全面進(jìn)口替代方案

    交流充電樁負(fù)載提升技術(shù)

    功率器件與拓?fù)鋬?yōu)化 寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用 傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET因開關(guān)損耗高,限制了系統(tǒng)效率。采用碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)器件可顯著降低損耗:
    發(fā)表于 05-21 14:38

    2 kV SiC功率模塊:推動(dòng)1500 V系統(tǒng)的革命

    由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級(jí)價(jià)值方面的顯著提升,具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓擴(kuò)展至2000
    的頭像 發(fā)表于 03-14 11:01 ?404次閱讀
    2 kV <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b>模塊:推動(dòng)1500 <b class='flag-5'>V</b>系統(tǒng)的革命

    SemiQ發(fā)布1700V SiC MOSFET新品

    近日,全球碳化硅(SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V
    的頭像 發(fā)表于 01-23 15:46 ?545次閱讀

    SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中壓大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域

    近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 01-22 11:03 ?745次閱讀
    SemiQ<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>1700</b> <b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>系列,助力中壓大<b class='flag-5'>功率</b>轉(zhuǎn)換領(lǐng)域

    泰克與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體合作推進(jìn)1700V GaN器件

    近日,泰克科技與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的合作再次取得了突破性進(jìn)展,雙方共同對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最新推出1700V GaN(氮化鎵)器件進(jìn)行了全面深入的測試與評(píng)估,取得了令人矚目的成果。 此次合作不僅驗(yàn)證了遠(yuǎn)山半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 01-20 11:07 ?651次閱讀

    遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測試方案

    遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后,最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V,相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題,他們采用特有的
    的頭像 發(fā)表于 01-14 09:42 ?1356次閱讀
    遠(yuǎn)山半導(dǎo)體<b class='flag-5'>1700V</b> GaN器件的特性測試方案

    薩電子推出新型 100V功率 MOSFET,助力多領(lǐng)域應(yīng)用

    近日,薩電子公司宣布推出新型100V功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì),以其卓越的高電
    的頭像 發(fā)表于 01-13 11:41 ?526次閱讀
    <b class='flag-5'>瑞</b>薩電子<b class='flag-5'>推出</b>新型 100<b class='flag-5'>V</b> 高<b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>,助力多領(lǐng)域應(yīng)用

    業(yè)內(nèi)首款1700V氮化鎵開關(guān)IC登場!高耐壓且效率大于90%,PI是如何做到的

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)從硅產(chǎn)品、碳化硅產(chǎn)品,再到氮化鎵的功率變換開關(guān)產(chǎn)品,PI都走在行業(yè)前列。近期,PI推出InnoMux?-2系列單級(jí)、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線式電源IC——1700
    的頭像 發(fā)表于 11-18 08:57 ?5251次閱讀
    業(yè)內(nèi)首款<b class='flag-5'>1700V</b>氮化鎵開關(guān)IC登場!高耐壓且<b class='flag-5'>效率</b>大于90%,PI是如何做到的

    PI推出業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC

    深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日推出InnoMux-2系列單級(jí)、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN技術(shù)制
    的頭像 發(fā)表于 11-05 13:40 ?717次閱讀

    Power Integrations推出1700V氮化鎵開關(guān)IC, 為氮化鎵技術(shù)樹立新標(biāo)桿

    ?-2系列單級(jí)、獨(dú)立調(diào)整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN?技術(shù)制造而成,是業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC。1700V額定耐壓進(jìn)一步提升了氮化鎵
    發(fā)表于 11-05 10:56 ?605次閱讀
    Power Integrations<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>1700V</b>氮化鎵開關(guān)IC, 為氮化鎵技術(shù)樹立新標(biāo)桿

    提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊

    近年來,1200V1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當(dāng)前使用IGBT的電力轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師的真正替代方案。到目前為止,大多數(shù)SiCMOSFET的設(shè)計(jì)成功主要發(fā)生在低
    的頭像 發(fā)表于 08-19 11:31 ?827次閱讀
    <b class='flag-5'>提升</b>傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的<b class='flag-5'>SiC</b>模塊

    電源輸入功率輸出功率的區(qū)別

    輸出功率是指電源向負(fù)載提供電能的能力,也是以瓦特(W)為單位。簡單來說,輸入功率是電源“吃”進(jìn)去的電能,輸出功率是電源“吐”出來的電能。 計(jì)算方法上的區(qū)別 電源輸入功率的計(jì)算公式為:P
    的頭像 發(fā)表于 07-29 14:25 ?1.3w次閱讀

    電源輸出功率與外電阻的關(guān)系

    輸出功率有很大的影響。 電源輸出功率的概念 電源輸出功率是指電源在單位時(shí)間內(nèi)向負(fù)載提供的電能。電源輸出功率的大小取決于電源的電壓和電流。在直流電源中,電源
    的頭像 發(fā)表于 07-29 14:22 ?3416次閱讀