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國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在電力電子輔助電源中的全面進(jìn)口替代方案

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-06-09 17:21 ? 次閱讀
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B2M600170H與B2M600170R——國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在輔助電源中的全面進(jìn)口替代方案

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引言

隨著新能源、工業(yè)電源及電動汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展,輔助電源對高效率、高功率密度及高溫穩(wěn)定性的需求日益迫切。傳統(tǒng)的硅基器件已逐漸難以滿足嚴(yán)苛的性能要求,而碳化硅(SiC)MOSFET憑借其優(yōu)異的開關(guān)速度、低導(dǎo)通損耗和高溫耐受能力,成為理想選擇。然而,進(jìn)口SiC MOSFET的高成本與供應(yīng)鏈風(fēng)險制約了其廣泛應(yīng)用。

BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體推出的B2M600170H(TO-247-3封裝)與B2M600170R(TO-263B-7封裝),以國產(chǎn)化技術(shù)實(shí)現(xiàn)1700V高壓平臺的全覆蓋,在性能、成本及可靠性上全面對標(biāo)進(jìn)口產(chǎn)品,為輔助電源設(shè)計提供高效替代方案。

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向,致力于服務(wù)中國工業(yè)電源,電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。

產(chǎn)品概述

核心優(yōu)勢

低導(dǎo)通損耗:600 mΩ的典型導(dǎo)通電阻顯著降低導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率。

高頻開關(guān)性能:

開關(guān)延遲時間低至7-24 ns(B2M600170H),支持MHz級開關(guān)頻率,減少磁性元件體積。

柵極電荷 QGQG僅14 nC,驅(qū)動損耗較進(jìn)口競品降低15%-20%。

高溫穩(wěn)定性:

175°C結(jié)溫下,RDS(on)溫升系數(shù)優(yōu)于進(jìn)口方案(如175°C時僅增至1.23Ω)。

雪崩能量 EAS達(dá)18 mJ,確保極端工況下的可靠性。

封裝靈活性:

TO-247-3(B2M600170H)適合高功率場景,兼容傳統(tǒng)散熱設(shè)計。

TO-263B-7(B2M600170R)支持Kelvin源極引腳,優(yōu)化高頻開關(guān)噪聲,適合緊湊型輔助電源。

技術(shù)優(yōu)勢與進(jìn)口替代價值

1. 效率與功率密度提升

高開關(guān)頻率:結(jié)合低反向恢復(fù)電荷(Qrr38-98 nC),B2M600170H/在LLC諧振拓?fù)渲锌蓪⑿侍嵘瑫r縮小變壓器和濾波電容體積,助力電源模塊小型化。

低熱阻設(shè)計:TO-247-3封裝熱阻低至2.00 K/W,減少散熱需求,降低系統(tǒng)成本。

2. 高溫環(huán)境適應(yīng)性

寬溫域性能:在175°C結(jié)溫下,B2M600170H的連續(xù)電流仍保持5A(進(jìn)口競品通常衰減至4A),適用于高溫場景。

魯棒性強(qiáng):單脈沖雪崩能量(18 mJ)與體二極管反向恢復(fù)特性(trr28-39 ns)優(yōu)于多數(shù)進(jìn)口方案,確保短路保護(hù)與浪涌耐受能力。

3. 成本與供應(yīng)鏈優(yōu)勢

國產(chǎn)化成本降低:較進(jìn)口器件價格低20%-30%,且供貨周期穩(wěn)定。

兼容性設(shè)計:引腳定義與主流進(jìn)口型號一致,支持直接替換,無需修改PCB布局。

典型應(yīng)用場景

光伏逆變器輔助電源:

利用高頻優(yōu)勢,實(shí)現(xiàn)輔助電源效率>96%,MTBF提升30%。

儲能變流器輔助電源:

在-55°C至175°C寬溫范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行,支持高功率設(shè)計。

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動輔助電源:

TO-263B-7封裝的Kelvin源極設(shè)計,有效抑制開關(guān)振鈴,提升控制精度。

結(jié)論

BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體的B2M600170H與B2M600170R通過技術(shù)創(chuàng)新與國產(chǎn)化制造,不僅在性能參數(shù)上全面對標(biāo)進(jìn)口1700V SiC MOSFET,更以高性價比、高可靠性和靈活封裝,為輔助電源設(shè)計提供了優(yōu)質(zhì)替代方案。在“雙碳”目標(biāo)驅(qū)動下,其廣泛應(yīng)用將加速新能源與工業(yè)領(lǐng)域的技術(shù)升級,助力國產(chǎn)功率半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代的突破。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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