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BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述

楊茜 ? 來源:jf_33411244 ? 作者:jf_33411244 ? 2025-02-12 06:41 ? 次閱讀
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傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!

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傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭:

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢!

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢!

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢!

產(chǎn)品線與技術優(yōu)勢

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)B2M SiC MOSFET:基于6英寸晶圓平臺,具備高可靠性(車規(guī)級AEC-Q101認證)、低導通電阻(比一代降低40%)、低開關損耗(總損耗降低30%),適用于光伏、新能源汽車、充電樁等領域。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)B3M SiC MOSFET:BASiC基本股份第三代技術,比導通電阻進一步降低20%,芯片面積縮小30%,F(xiàn)OM優(yōu)化5%,支持高頻應用,覆蓋車規(guī)級模塊和工業(yè)場景。

工業(yè)模塊系列:如Pcore?系列、低損耗、支持高溫焊料和Press-Fit工藝,應用于光伏逆變器、APF、儲能PCS、高頻DCDC等高端領域。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)針對SiC碳化硅MOSFET多種應用場景研發(fā)推出門極驅(qū)動芯片,可適應不同的功率器件和終端應用。BASiC基本股份的門極驅(qū)動芯片包括隔離驅(qū)動芯片和低邊驅(qū)動芯片,絕緣最大浪涌耐壓可達8000V,驅(qū)動峰值電流高達正負15A,可支持耐壓1700V以內(nèi)功率器件的門極驅(qū)動需求。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)低邊驅(qū)動芯片可以廣泛應用于PFC、DCDC、同步整流,反激等領域的低邊功率器件的驅(qū)動或在變壓器隔離驅(qū)動中用于驅(qū)動變壓器,適配系統(tǒng)功率從百瓦級到幾十千瓦不等。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)推出正激 DCDC 開關電源芯片BTP1521xx,該芯片集成上電軟啟動功能、過溫保護功能,輸出功率可達6W。芯片工作頻率通過OSC 腳設定,最高工作頻率可達1.5MHz,非常適合給隔離驅(qū)動芯片副邊電源供電。

對于驅(qū)動正負壓供電的需求,BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)提供自研電源IC BTP1521F系列和配套的變壓器以及驅(qū)動IC BTL27524或者隔離驅(qū)動BTD5350系列。

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性能對標國際品牌

在高溫條件下(如175℃),BASiC基本股份B2M的導通電阻(RDS(on))表現(xiàn)優(yōu)于部分國際品牌,且擊穿電壓(BV)裕量更高。

動態(tài)參數(shù)(如開關損耗、體二極管續(xù)流性能)接近或部分超越國際競品,驅(qū)動電壓建議為+18V以優(yōu)化性能。

可靠性驗證

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET通過HTRB、HTGB、HV-H3TRB等嚴苛測試(1000小時以上),柵氧TDDB測試顯示壽命預測超萬年,滿足車規(guī)級和工業(yè)級長期穩(wěn)定性需求。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET加嚴測試(2500小時)進一步驗證產(chǎn)品在極端條件下的可靠性。

應用領域全覆蓋

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET單管及模塊覆蓋光伏、新能源汽車(OBC、高壓DCDC、主驅(qū)動)、充電樁、工業(yè)電焊機、儲能變流器(PCS)、測試電源等核心市場,提供從分立器件到模塊的完整解決方案。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)在碳化硅功率半導體國產(chǎn)化中的作用

技術自主化突破

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)通過自主研發(fā)的平面槽和溝槽柵技術,打破國際廠商在SiC MOSFET領域的技術壟斷,縮小與國際一流產(chǎn)品的性能差距。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)6英寸晶圓平臺和自研第三代芯片技術的應用,推動國產(chǎn)SiC器件從“可用”向“好用”升級。

產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同與國產(chǎn)替代

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)提供車規(guī)級認證產(chǎn)品(如AB2M系列),助力新能源汽車關鍵部件(如OBC、電驅(qū)系統(tǒng))實現(xiàn)國產(chǎn)化替代,降低對進口器件的依賴。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)在光伏、儲能等新能源領域,高可靠、低損耗的SiC模塊幫助國內(nèi)企業(yè)提升系統(tǒng)效率,增強全球競爭力。

標準制定與行業(yè)引領

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)通過公開對標數(shù)據(jù)(如與國際品牌的性能對比),樹立國產(chǎn)SiC器件的技術標桿,推動行業(yè)技術標準升級。

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)完善的可靠性測試體系(如AEC-Q101、MIL-STD)為國產(chǎn)功率半導體樹立質(zhì)量標桿,提升市場信任度。

市場拓展與生態(tài)建設

BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)針對不同應用場景提供定制化解決方案,加速SiC技術在國內(nèi)工業(yè)市場的普及。

與電力電子終端企業(yè)深度合作(如定制開發(fā)驅(qū)動板、熱仿真服務),構(gòu)建國產(chǎn)SiC生態(tài)鏈,推動全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。

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結(jié)論:BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)通過技術迭代、可靠性驗證和全場景覆蓋,成為國產(chǎn)SiC功率器件領域的領軍企業(yè),不僅填補了國內(nèi)高端功率半導體的空白,更在新能源、汽車電子等戰(zhàn)略領域助力中國實現(xiàn)“雙碳”目標與產(chǎn)業(yè)升級。

審核編輯 黃宇

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