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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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聞泰科技榮獲2024行家極光獎年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎
近日,在深圳舉辦的行家說第三代半導體年會——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上,聞泰科技半導體業(yè)務憑借其領先產(chǎn)品“針對工業(yè)和可再生能源應用的CCPAK...
近日,理想汽車宣布了一項重要的技術突破與量產(chǎn)成果。其自主研發(fā)的碳化硅功率芯片已經(jīng)順利完成裝機,標志著理想汽車在半導體核心技術的自主研發(fā)上取得了關鍵進展。...
BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述
傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅M...
橋式電路中碳化硅MOSFET替換超結MOSFET技術注意事項
在橋式電路中,國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET(如BASiC基本股份)替換超結(SJ)MOSFET具有顯著優(yōu)勢,但也需注意技術細節(jié)。傾佳電子楊茜從性能優(yōu)...
近日,中國在太空成功驗證了首款國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進展標志著第三代半導體材料有望牽引中國航天電源系統(tǒng)升級換代,為中國航天事業(yè)以及相關...
長飛先進武漢基地總投資逾200億,預計5月實現(xiàn)量產(chǎn)通線
? 春節(jié)過后,位于武漢新城的長飛先進武漢基地正加緊建設。這座總投資超200億元的超大項目在極短時間內(nèi)拔地而起,目前已進入設備安裝調(diào)試階段,預計今年5月實...
逆變焊機國產(chǎn)SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊的損耗計算
傾佳電子楊茜以NB500系列輸入功率29KVA的逆變焊機應用為例做國產(chǎn)SiC碳化硅模塊BMF80R12RA3和英飛凌高頻IGBT模塊FF150R12KS...
高頻感應電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比
傾佳電子楊茜以50KW高頻感應電源應用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳...
在日常生活中,我們對手機、電腦、電視等電子設備習以為常,享受著它們帶來的便利與娛樂。但你是否想過,這些設備正常運行的背后,是什么在默默發(fā)揮關鍵作用?答案...
隨著人工智能(AI)技術的迅猛發(fā)展,為AI處理器提供高效、可靠的電源供應,成為了一個不容忽視的挑戰(zhàn)。想要應對這一挑戰(zhàn),打造新一代功率器件是關鍵的一環(huán)。
光伏MPPT設計中IGBT、碳化硅SiC器件及其組合方案對比
在光伏系統(tǒng)的最大功率點跟蹤(MPPT)設計中,IGBT、碳化硅(SiC)器件及其組合方案的選擇直接影響系統(tǒng)效率、成本和可靠性。
中國電力電子系統(tǒng)制造商的未來事業(yè)發(fā)展藍圖
超高壓與高頻化:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件供應商(比如BASiC基本股份)研發(fā)3300V及以上SiC MOSFET,適配海上風電、軌道交通需求;突破MHz...
為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案
BASiC基本公司為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案 V2H(即車輛到家庭)使用智能電動汽車充電和雙向(雙向)...
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