銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用

作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。

2023-03-31 標(biāo)簽：IGBT氮化鎵功率模塊 3928 0

國內(nèi)企業(yè)逐步切入，國產(chǎn)碳化硅器件存在突圍機(jī)會(huì)

在車載充電器領(lǐng)域，碳化硅MOSFET的滲透率已很高。電機(jī)控制器將是近幾年碳化硅MOSFET要更高速發(fā)展的關(guān)鍵因素。

2023-03-31 標(biāo)簽：MOSFET光伏逆變器碳化硅 787 0

特斯拉的三電核心技術(shù)技術(shù)分析

特斯拉車型采用CTC技術(shù)后，續(xù)航里程得到大幅提升、每千瓦時(shí)電池生產(chǎn)成本和資本投入也實(shí)現(xiàn)有效降低。

2023-03-31 標(biāo)簽：動(dòng)力電池逆變器特斯拉 3137 0

用于高功率密度應(yīng)用的碳化硅功率器件

交通應(yīng)用中電氣化的趨勢(shì)導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關(guān)頻率和高溫操作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個(gè)關(guān)鍵因素。

2023-03-30 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1462 0

SiC MOSFET為何替代不了IGBT？

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是國際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性...

2023-03-30 標(biāo)簽：IGBT特斯拉半導(dǎo)體器件 2376 0

新能源電驅(qū)動(dòng)核心的技術(shù)有哪些？

另外相比IGBT，碳化硅更耐高壓的優(yōu)勢(shì)（千伏以上），更適用于后續(xù)更多新能源車型將要搭載的800v電氣架構(gòu)，不止用在主逆變器上，還可以應(yīng)用到高壓充電樁、高...

2023-03-30 標(biāo)簽：電機(jī)控制減速器碳化硅 899 0

有趣的材料—無處不在的碳化硅

電子器件的使用環(huán)境逐漸惡劣，航空航天、石油探測(cè)領(lǐng)域前景廣闊，在熱導(dǎo)率、擊穿場等上的要求更高，那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導(dǎo)體材...

2023-03-24 標(biāo)簽：電子器件SiC碳化硅 1793 0

未來的重點(diǎn)方向：Sic和IGBT

IGBT、MCU、以及SIC會(huì)是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點(diǎn)，根據(jù)特斯拉Model3的車型用量來看，單車使用IGBT是84顆，或者48顆Sic...

2023-03-24 標(biāo)簽：IGBT晶體管碳化硅 1093 0

碳化硅襯底市場群雄逐鹿 碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)流程

全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭之地。

2023-03-23 標(biāo)簽：晶體碳化硅第三代半導(dǎo)體 2134 0

碳化硅規(guī)?；瘧?yīng)用的技術(shù)難點(diǎn)

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)等環(huán)節(jié)。上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造，下游是終端應(yīng)用。

2023-03-22 標(biāo)簽：逆變器功率器件碳化硅 2313 0

什么是GaN氮化鎵？GaN有何優(yōu)勢(shì)？

GaN：由鎵（原子序數(shù) 31） 和氮（原子序數(shù) 7） 結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。

2023-03-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 7299 0

碳化硅MOSFET可以取代硅IGBT嗎？

雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來巨大好處，但對(duì)于依賴硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來說，在更高電壓下的...

2023-03-16 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器IGBT 1173 0

特斯拉如何減少75%的碳化硅的使用？

在特斯拉投資者大會(huì)上，特斯拉表示下一代汽車平臺(tái)的動(dòng)力總成中將減少75%的碳化硅使用。

2023-03-14 標(biāo)簽：微控制器電動(dòng)汽車SiC 1971 0

意法半導(dǎo)體SiC MOSFET的路線圖

顯然特斯拉用的是意法半導(dǎo)體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，第四代產(chǎn)品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向，但意法半導(dǎo)體要到2025年才開始推出。

2023-03-14 標(biāo)簽：MOSFET特斯拉SiC 2621 0

SiC器件不同濕法腐蝕工藝的腐蝕機(jī)理和應(yīng)用領(lǐng)域

SiC 晶體中不同類型的位錯(cuò)通常是根據(jù)腐蝕坑的形貌和尺寸來完成定量分析的。如圖 7（a）所示， 大六邊形沒有底部的腐蝕坑代表 MP，中六邊形有底部的腐蝕...

2023-03-10 標(biāo)簽：SiC碳化硅 6140 0

為什么選擇SiC作為下一個(gè)雙向板載充電器設(shè)計(jì)呢？

硅（Si）基電力電子器件長期以來一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè)，因?yàn)樗鼈兊募夹g(shù)成熟度和相對(duì)容易獲得。

2023-03-07 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器充電器 1066 0

一文看懂氧化鎵的晶體結(jié)構(gòu)性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域

氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩(wěn)定，當(dāng)加熱至一定高溫時(shí)，其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相，在熔點(diǎn)1800℃...

2023-03-08 標(biāo)簽：碳化硅氧化鎵 4788 0

碳化硅的用途有哪些？碳化硅在高溫下能與氧發(fā)生反應(yīng)嗎？

作為金屬脫氧劑，碳化硅脫氧劑是一種新型的強(qiáng)復(fù)合脫氧劑，取代了傳統(tǒng)的硅粉碳粉進(jìn)行脫氧，各項(xiàng)理化性能穩(wěn)定，脫氧效果好，時(shí)間縮短，提高煉鋼效率，提高鋼的質(zhì)量，...

2023-02-27 標(biāo)簽：多晶硅單晶硅碳化硅 6538 0