柵極電阻

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柵極驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)是一種典型的設(shè)計(jì)，采用了兩個(gè)按圖騰柱形式配置的MOSFET。

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柵極電阻簡(jiǎn)介

　　由于柵級(jí)電阻上的大負(fù)載，建議使用電阻并聯(lián)的形式。這將產(chǎn)生一個(gè)冗余，如果一個(gè)柵極電阻損壞，系統(tǒng)可臨時(shí)運(yùn)行，但開關(guān)損耗較大。每個(gè)并聯(lián)電阻有關(guān)功耗和峰值功率能力的性能，必須設(shè)計(jì)為滿足應(yīng)用中的最大柵級(jí)電流。采用柵級(jí)電阻并聯(lián)的方式，也有利于增強(qiáng)熱擴(kuò)散。柵級(jí)電阻并聯(lián)的布局必須保證柵極電阻所產(chǎn)生的過大熱量不會(huì)使安裝在附近的元件過熱。在考慮布局時(shí)，必須為柵極電阻留出足夠大的冷卻區(qū)域。印刷電路板上合適的散熱器可用來實(shí)現(xiàn)更好的散熱。

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柵極電阻知識(shí)

MOS管電路及選型

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詳解IGBT并聯(lián)的技術(shù)要點(diǎn)（2）

大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯

2025-01-21 標(biāo)簽：并聯(lián) IGBT 柵極電阻 1563 0
為什么柵極電阻要取100歐姆

在電子工程中，柵極電阻的取值對(duì)于MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。雖然100歐姆是一個(gè)

2024-10-09 標(biāo)簽： MOSFET 歐姆柵極電阻 1875 0
6p14電子管柵極電阻多少適合

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2024-09-24 標(biāo)簽：電子設(shè)備音頻放大器柵極電阻 1948 0
電子管柵極電阻太小會(huì)怎么樣

電子管（又稱真空管或熱陰極管）是一種利用電子在真空或氣體中流動(dòng)來控制電流的電子元件。它由陰極、柵極、陽極等部分組成。柵極

2024-09-24 標(biāo)簽：電子元件柵極電阻電子管 1541 0
電子管柵極電阻用什么電阻好

電子管，又稱為真空管或熱離子管，是一種利用電子在真空或惰性氣體中運(yùn)動(dòng)來控制電流的電子器件。它在20世紀(jì)初期至中期的電子技

2024-09-24 標(biāo)簽：電阻電子器件柵極電阻 1278 0
igbt柵極電阻太小會(huì)怎么樣

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件，其性能和可靠性在很大程度上取決于柵極電阻的選擇。如果

2024-07-25 標(biāo)簽： IGBT 參數(shù) 功率器件 1559 0
深入淺出帶你搞懂-MOSFET柵極電阻

一、MOSFET簡(jiǎn)介MOSFET是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶

2024-05-09 標(biāo)簽：電阻 MOSFET 半導(dǎo)體 24708 0
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)鍵注意事項(xiàng)

為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT，必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動(dòng)為

2024-04-09 標(biāo)簽： MOSFET 晶體管寄生電容 693 0
晶閘管或可控硅整流器SCR電路設(shè)計(jì)

該電路的工作原理與直流可控硅電路的工作原理略有不同。當(dāng)開關(guān)打開時(shí)，電路需要等到有足夠的陽極電壓可用，因?yàn)榻涣鞑ㄐ窝仄渎肪€

2024-01-09 標(biāo)簽：繼電器晶閘管交流晶閘管 3603 0

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柵極電阻技術(shù)

淺析柵極電阻的作用及選取方法

有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端，如落木源TX-K841L、TX-KA962F，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動(dòng)速度。

2018-11-01 標(biāo)簽：IGBT 柵極電阻 2.7萬 0

深入淺出帶你搞懂-MOSFET柵極電阻

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2024-05-09 標(biāo)簽：電阻 MOSFET 半導(dǎo)體 2.5萬 0

5款雙向可控硅的電路應(yīng)用場(chǎng)景雙向可控硅工作原理

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2023-08-05 標(biāo)簽：可控硅柵極電阻觸發(fā)電路 2.0萬 0

HIP4082電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)分析

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2020-09-09 標(biāo)簽：二極管 MOS管電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1.4萬 1

淺談MOSFET中柵極電阻的作用意義

MOSFET的柵極電阻有什么關(guān)鍵作用？

2019-05-11 標(biāo)簽：MOSFET 柵極電阻 1.4萬 0

深入解析可控硅：工作原理、電路設(shè)計(jì)與應(yīng)用

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高端電流檢測(cè)簡(jiǎn)介,試圖用LTC2063發(fā)現(xiàn)不穩(wěn)定問題

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2018-05-02 標(biāo)簽：放大器電流柵極電阻 1.1萬 0

常用的ESD保護(hù)器件及原理

Resistor不單獨(dú)用于芯片的ESD保護(hù)，它往往用于輔助的ESD保護(hù)，如芯片Input第一級(jí)保護(hù)和第二級(jí)保護(hù)之間的限流電阻。如圖5，當(dāng)ESD電流過大，...

2023-12-07 標(biāo)簽：電阻 ESD NMOS 9889 0

MOS管柵極電阻的作用詳解

在了解mos管柵極電阻的作用之前，我們先了解一下mos管柵極及其他2個(gè)極的基礎(chǔ)知識(shí)。場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏...

2022-09-27 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管柵極電阻 9851 0

MOS管柵極電阻阻值作用

1、如果沒有柵極電阻，或者電阻阻值太小 ? MOS導(dǎo)通速度過快，高壓情況下容易擊穿周圍的器件。 ? ? 2、柵極電阻阻值過大 ? MOS管導(dǎo)通時(shí)，Rds...

2022-11-04 標(biāo)簽：MOS管電壓柵極電阻 7545 0

柵極電阻帖子

MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？

標(biāo)簽：二極管 MOSFET 柵極電阻 20513 1

增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好？

標(biāo)簽：MOSFET 柵極電阻 20466 2

IGBT有哪些動(dòng)態(tài)參數(shù)？

標(biāo)簽：IGBT 柵極電阻 5188 1

柵極電阻RG對(duì)IGBT開關(guān)特性有什么影響？

標(biāo)簽：電容 IGBT 柵極電阻 3296 1

如何計(jì)算IGBT柵極電阻？

標(biāo)簽：IGBT 柵極電阻 634 1

柵極電阻資料下載

IGBT寄生米勒效應(yīng)電容問題產(chǎn)生原理和清除方法立即下載

類別：電源技術(shù) 2017-06-09 標(biāo)簽：igbt 半橋柵極電阻

AN7003_IGBT驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電阻選擇原則及應(yīng)用立即下載

類別：電源技術(shù) 2012-10-18 標(biāo)簽：IGBT驅(qū)動(dòng)柵極電阻 AN7003

淺談柵極電阻的作用立即下載

類別：電子元器件應(yīng)用 2021-06-21 標(biāo)簽：柵極柵極電阻

大功率MOS電路設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)立即下載

類別：電子資料 2023-03-20 標(biāo)簽：pcb MOS 柵極電阻

柵極電阻資訊

柵極電阻RG對(duì)IGBT開關(guān)特性的性能影響分析

　　1 前言　　用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放

2010-10-09 標(biāo)簽：IGBT 柵極電阻 7156 0

柵極電阻RG對(duì)IGBT開關(guān)特性的影響

　　1 前言　　用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常

2011-08-10 標(biāo)簽：IG 柵極電阻 RG 6741 0

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2020-07-14 標(biāo)簽：英飛凌柵極電阻碳化硅 1807 0

柵極電阻數(shù)據(jù)手冊(cè)

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