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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>IGBT寄生米勒效應(yīng)電容問題產(chǎn)生原理和清除方法

      IGBT寄生米勒效應(yīng)電容問題產(chǎn)生原理和清除方法

      2017-06-09 | docx | 398KB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      　　米勒效應(yīng)產(chǎn)生機(jī)制

      　　在IGBT開關(guān)時(shí)，有一個(gè)會(huì)經(jīng)常遇到的問題，那就是由于寄生米勒電容開通而產(chǎn)生米勒平臺(tái)。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動(dòng)過程中非常顯著?；陂T極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會(huì)引發(fā)門極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這里存在著潛在的風(fēng)險(xiǎn)。寄生米勒電容引起的導(dǎo)通

      　　如圖1所示，上管IGBT（S1）在導(dǎo)通時(shí)，SI處于半橋拓?fù)?，此時(shí)SI 會(huì)產(chǎn)生一個(gè)變化的電壓dV/dt，這個(gè)電壓通過下管IGBT（S2）。電流流經(jīng)S2的寄生米勒電容CCG 、柵極電阻RG和內(nèi)部驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電阻 RDRIVER 。

      IGBT寄生米勒效應(yīng)電容問題產(chǎn)生原理和清除方法

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