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IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
RGint：模塊內(nèi)部柵極電阻：
為了實(shí)現(xiàn)模塊內(nèi)部芯片均流，模塊內(nèi)部集成有柵極電阻。該電阻值應(yīng)該被當(dāng)成總的柵極電阻的一部分來(lái)計(jì)算IGBT驅(qū)動(dòng)器的峰值電流能力。
RGext：外部柵極電阻：
外部柵極電阻由用戶(hù)設(shè)置，電阻值會(huì)影響IGBT的開(kāi)關(guān)性能。
上圖中開(kāi)關(guān)測(cè)試條件中的柵極電阻為Rgext的最小推薦值。
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