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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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8.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
8.1.1夾斷電壓8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:7.4結(jié)勢(shì)壘肖特基...
2022-02-16 標(biāo)簽:晶體管 776 0
雖然有些初創(chuàng)公司設(shè)法開發(fā)大型設(shè)計(jì)(例如 Graphcore),但大多數(shù)公司開發(fā)的東西要小得多。此外,初創(chuàng)公司傾向于盡可能地獲得許可,因此必須僅設(shè)計(jì)和驗(yàn)證...
22nm后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域 平面型FD-SOI元件與基于立體
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域,靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會(huì)越來越困難的,為此,人們關(guān)注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體...
德儀的前景沒有預(yù)期的好,尤其是產(chǎn)業(yè)部門的需求低迷和擴(kuò)大,給產(chǎn)業(yè)敲響了警鐘。摩根士丹利證券在報(bào)告書中警告說:“成熟的制造過程在短期內(nèi)仍然面臨挑戰(zhàn)。在世界范...
在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,扮演著至關(guān)重要的角色。其封裝技術(shù)不僅直接影響到IGBT模塊的性能、可靠性和使...
羅徹斯特電子繼續(xù)與東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporatio...
晶體管光耦是一款由發(fā)光二極管和光電晶體管組成的光電耦合器,通過光電效應(yīng)和晶體管放大特性,實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的光學(xué)隔離與傳輸,確保信號(hào)穩(wěn)定可靠。晶體管光耦包含品體...
2nm戰(zhàn)爭(zhēng)打響 臺(tái)積電、三星激戰(zhàn)2nm
日美深化尖端芯片合作,旨在超越2nm技術(shù),臺(tái)積電是 2 nm技術(shù)的領(lǐng)先開發(fā)者,而 IBM 也在 2021 年完成了原型。
在比利時(shí)安特衛(wèi)普舉行的ITF World 2023上,英特爾技術(shù)開發(fā)總經(jīng)理Ann Kelleher概述了英特爾在幾個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的最新進(jìn)展,最有趣的是英特爾...
2023-05-20 標(biāo)簽:晶體管FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 769 0
英特爾計(jì)劃最早于2024年將電源互連從硅表面轉(zhuǎn)移到硅底面,從下面接入晶體管。這種背面電源輸入有兩個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)。首先,它讓電流通過更寬、電阻更小的互連,可減...
三星電子成功完成背面供電網(wǎng)絡(luò)芯片測(cè)試,或?qū)⑻嵩鐟?yīng)用于未來制程
過去,芯片主要通過自下而上的方法制造,先構(gòu)建晶體管,然后搭建互相連接以及供給電能的線路層。然而,隨著工藝制程的不斷縮小,傳統(tǒng)供電模式的線路層變得更為復(fù)雜...
臺(tái)積電官方對(duì)外開放16nm FinFET技術(shù)
臺(tái)積電官網(wǎng)宣布推出大學(xué)FinFET專案,目的在于培育未來半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)人才并推動(dòng)全球?qū)W術(shù)創(chuàng)新。
2023-02-08 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 764 0
英特爾正開發(fā)工藝和封裝技術(shù)通往萬億晶體管時(shí)代
支持 UCIe 的還有云和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者 Google、Meta 和 Microsoft。總共約有 50 家公司加入了 UCIe 聯(lián)盟,以幫助構(gòu)建Chipl...
2022-09-05 標(biāo)簽:晶體管數(shù)據(jù)中心RISC-V 763 0
強(qiáng)茂受邀參加NEPCON Thailand 2024
強(qiáng)茂誠摯邀請(qǐng)您參加在曼谷國際貿(mào)易展覽中心(BITEC)舉辦的2024年泰國國際電子生產(chǎn)設(shè)備暨微電子展(NEPCONThailand 2024),屆時(shí)我們...
現(xiàn)代DRAM內(nèi)存發(fā)明人羅伯特·登納德離世
一次偶然的機(jī)會(huì),登納德靈光一閃,想到利用單個(gè)晶體管中的電容正負(fù)極來記錄數(shù)據(jù),并通過反復(fù)充電實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)動(dòng)態(tài)刷新。這一創(chuàng)新理念奠定了 DRAM 內(nèi)存的基礎(chǔ)。
Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達(dá)成協(xié)議,收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開發(fā)商Odysse...
微電子所在《中國科學(xué):國家科學(xué)評(píng)論》發(fā)表關(guān)于先進(jìn)CMOS集成電路新結(jié)構(gòu)晶體管的綜述論文
來源:中國科學(xué)院微電子研究所 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是推動(dòng)大規(guī)模CMOS集成電路按照“摩爾定律”持續(xù)微縮并不斷發(fā)展的核心器件。...
2024-05-31 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管微電子 758 0
中國上海,2013年11月4日訊——恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼:NXPI)近日推出首款采用1.1-mm...
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