的意思，原理就是在硅晶體管之間，加入絕緣體物質(zhì)，可使兩者之間的寄生電容比原來(lái)的少上一倍。 ? SOI制程工藝自出現(xiàn)以來(lái)就因?yàn)槠洫?dú)特的優(yōu)勢(shì)吸引了業(yè)界關(guān)注，就在不久前，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所官方公眾號(hào)日前發(fā)布消息，稱(chēng)魏星研究員團(tuán)隊(duì)在300 mm SOI晶圓制造技術(shù)方面取得突破
2023-10-29 06:28:00
2217 據(jù)悉，FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù)，能夠通過(guò)簡(jiǎn)化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù)，新工藝大幅度提高了性能指標(biāo)：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲(chǔ)和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:2350 本文簡(jiǎn)單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36187 
本帖最后由 jf_50240986 于 2024-3-8 22:51 編輯
串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產(chǎn)生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極
2024-03-06 20:49:11
達(dá)林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱(chēng)為達(dá)林頓對(duì)（Darlington Pair），是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管（或其他類(lèi)似的集成電路或分立元件）組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流可以進(jìn)一步被放大，從而提供比其中任意一個(gè)雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53503 
雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對(duì)于一個(gè)實(shí)際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動(dòng)形成電流時(shí)，與之對(duì)應(yīng)的空穴或者電子為什么不會(huì)一起隨著移動(dòng)？
這個(gè)問(wèn)題困擾
2024-02-21 21:39:24
和FD-SOI，其中RF-SOI作為一種重要的射頻芯片材料技術(shù)，雖然很少被提及，但在很多設(shè)備上都有重要的應(yīng)用。 ? 射頻前端底層技術(shù) ? 射頻前端的重要性不言而喻，是任何通信系統(tǒng)核心中的核心，RF-SOI正是用于各種射頻器件，目前已經(jīng)是各類(lèi)射頻應(yīng)用里主流的襯底，如射頻開(kāi)關(guān)、LNA、調(diào)諧器
2024-02-19 00:59:002460 晶體管是由三個(gè)主要元件組成的，即漏極（Collector）、基極（Base）和發(fā)射極（Emitter）。晶體管是一種半導(dǎo)體器件，用于放大和控制電流。它是現(xiàn)代電子技術(shù)中最重要的元件之一。
2024-02-03 14:12:12597 晶體管計(jì)算機(jī)是一種由晶體管組成的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。晶體管是一種半導(dǎo)體器件，用于控制和放大電流。它是電子技術(shù)領(lǐng)域中最重要的發(fā)明之一，也是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)技術(shù)的基石之一。本文將詳細(xì)介紹晶體管計(jì)算機(jī)的主要物理元件
2024-02-02 10:28:30247 是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無(wú)需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需任何外接
2024-01-26 23:07:21
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請(qǐng)問(wèn)對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對(duì)三極管的開(kāi)通有害的時(shí)候，為什么還要并聯(lián)電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
)：13.0效率（％）：33額定電壓(V)：40形式：封裝形式分立晶體管封裝形式類(lèi)別：法蘭盤(pán)技術(shù)應(yīng)用：GaN-on-SiC
2024-01-19 09:27:13
晶體管也就是俗稱(chēng)三極管，其本質(zhì)是一個(gè)電流放大器，通過(guò)基射極電流控制集射極電流。
1、當(dāng)基射極電流很小可以忽略不計(jì)時(shí)，此時(shí)晶體管基本沒(méi)有對(duì)基射極電流的放大作用，此時(shí)可以認(rèn)為晶體管處在關(guān)斷狀態(tài)
2、當(dāng)基
2024-01-18 16:34:45
在其內(nèi)部移動(dòng)的時(shí)間越短，從而提高開(kāi)關(guān)速度。因此，隨著技術(shù)的進(jìn)步，晶體管的尺寸不斷縮小。例如，從70納米（nm）縮小到現(xiàn)在的7納米。 2. 新材料：研究人員一直在研究新材料，以替代傳統(tǒng)的硅材料，從而提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度。例如，
2024-01-12 11:18:22364 對(duì)于一個(gè)含有晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管，運(yùn)放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時(shí)，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時(shí)不應(yīng)該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
盡管使用帶有晶體管的分立電子元件會(huì)使用更多元件，但可以定制電路以提供所需的功能。因此，使用分立晶體管和一些附加電子元件的電路是電子電路設(shè)計(jì)的核心。
2024-01-09 15:21:11454 
、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域，是現(xiàn)代電力電子技術(shù)的核心元件之一。 IGBT的結(jié)構(gòu)主要包括四層：P型襯底、N型發(fā)射層、P型基區(qū)和N型集電區(qū)。其中，P型襯底和
2024-01-03 15:14:22268 
上次我的文章解釋了所謂的7nm不是真的7nm，是在實(shí)際線寬無(wú)法大幅縮小的前提下，通過(guò)改變晶體管結(jié)構(gòu)的方式縮小晶體管實(shí)際尺寸來(lái)達(dá)到等效線寬的效果那么新的問(wèn)題來(lái)了：從平面晶體管結(jié)構(gòu)(Planar)到立體
2023-12-19 16:29:01239 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195 
引入不同的氣態(tài)化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行的，這些化學(xué)物質(zhì)通過(guò)與基材反應(yīng)來(lái)改變表面。IC最小特征的形成被稱(chēng)為前端制造工藝（FEOL），本文將集中簡(jiǎn)要介紹這部分，將按照如下圖所示的 22 nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)制造 FinFET 的工藝流程，解釋了 FEOL 制造過(guò)程中最重要的工藝步驟。
2023-12-06 18:17:331122 
從平面晶體管結(jié)構(gòu)(Planar)到立體的FinFET結(jié)構(gòu)，我們比較容易理解晶體管尺寸縮小的原理。
2023-12-02 14:04:45267 
晶體管作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心組件之一，尤其是雙極結(jié)型晶體管（BJT），在眾多應(yīng)用中扮演著開(kāi)關(guān)的重要角色。這篇文章將深入探討如何在共射極配置下使用NPN型BJT晶體管作為開(kāi)關(guān)，并闡明其在切斷區(qū)和飽和區(qū)的工作原理。
2023-11-28 11:15:58337 
今天分享另一篇網(wǎng)上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process flow 進(jìn)行對(duì)比學(xué)習(xí)。 言歸正傳，接下來(lái)介紹平面工藝最后一個(gè)節(jié)點(diǎn)22nm process flow。
2023-11-28 10:45:514232 
平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS的雪崩耐量有何差異以及如何選擇？ 平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS是常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFETs)的不同設(shè)計(jì)類(lèi)型。它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)上存在一些細(xì)微的差異
2023-11-24 14:15:43549 來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管的元件溫度計(jì)算方法
2023-11-23 09:09:35239 
我在進(jìn)行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
在日前舉行的2023年第八屆上海FD-SOI論壇上，GlobalFoundries Chief Commercial Officer Juan Cordovez向產(chǎn)業(yè)介紹了公司在FD-SOI
2023-11-15 14:53:38793 
于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年，2023年主辦方重啟再次主辦，第八屆FD-SOI論壇，邀請(qǐng)到國(guó)內(nèi)外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內(nèi)的重要企業(yè)專(zhuān)家參與。三年內(nèi)國(guó)內(nèi)外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化，FD-SOI的產(chǎn)業(yè)格局和技術(shù)又有哪些變化？ ? 半導(dǎo)體工藝在2001年的新工藝技術(shù)的兩條路
2023-11-01 16:39:041069 
FD-SOI技術(shù)論壇”和“2023 國(guó)際RF-SOI技術(shù)論壇”，兩天的活動(dòng)分別吸引了五百位左右的國(guó)外專(zhuān)家和國(guó)內(nèi)的領(lǐng)先半導(dǎo)體廠商專(zhuān)家領(lǐng)袖，聚集在上海黃埔江邊香格里拉酒店，共商針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)、5G射頻、汽車(chē)等領(lǐng)域的半導(dǎo)體先進(jìn)工藝技術(shù)的發(fā)展，活
2023-10-30 15:45:151446 
FinFET立體晶體管技術(shù)是Intel 22nm率先引用的，這些年一直是半導(dǎo)體制造工藝的根基，接下來(lái)在Intel 20A、臺(tái)積電2nm、三星3nm上，都將轉(zhuǎn)向全環(huán)繞立體柵極晶體管。
2023-10-23 11:15:08279 
為什么我們需要晶體管？為什么不直接將用電器接到電源上呢？ 晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中最重要的組成部分之一。在現(xiàn)代科學(xué)和技術(shù)領(lǐng)域中，它們的使用非常普遍，從電視和計(jì)算機(jī)到智能手機(jī)和更先進(jìn)的科技產(chǎn)品。 晶體管
2023-10-22 15:13:31478 N2，也就是2nm，將采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 2nm芯片是指采用了2nm制程工藝所制造出來(lái)的芯片，制程工藝的節(jié)點(diǎn)尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達(dá)到2納米級(jí)別。 2nm芯片手機(jī)
2023-10-19 17:06:18799 2nm芯片是什么意思 2nm芯片指的是采用了2nm制程工藝所制造出來(lái)的芯片，制程工藝的節(jié)點(diǎn)尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達(dá)到2納米級(jí)別。 更小的節(jié)點(diǎn)尺寸
2023-10-19 16:59:161958 在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中，平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個(gè)名詞的時(shí)候，可能會(huì)顧名思義地認(rèn)為，平面型IGBT的電流就是水平流動(dòng)的
2023-10-18 09:45:43273 
晶體管，作為現(xiàn)代電子設(shè)備的基石，其功能和工作原理一直是電子學(xué)和半導(dǎo)體物理領(lǐng)域研究的核心。芯片中的每個(gè)晶體管都是一個(gè)微型開(kāi)關(guān)，負(fù)責(zé)控制電流的流動(dòng)。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，現(xiàn)代芯片上可能集成了數(shù)十億甚至數(shù)百億的晶體管。本文將探討晶體管的基本工作原理，從其構(gòu)造開(kāi)始，深入解析其操作機(jī)制。
2023-10-16 10:09:131239 
專(zhuān)業(yè)圖書(shū)47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
晶體管和電阻做電流源的區(qū)別是什么？? 在電路中，電流源是一種非常常見(jiàn)的元件。它可以提供恒定的電流，以確保電路中其他元件的正常工作。電路中的電流源可以使用多種方式實(shí)現(xiàn)，晶體管（BJT）和電阻分別作為
2023-09-18 10:44:17509 ，從而發(fā)揮放大和開(kāi)關(guān)的功能。它是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用最廣泛的元件之一，被廣泛應(yīng)用在放大、開(kāi)關(guān)、邏輯電路等方面。 晶體管一般可以分為三個(gè)區(qū)域：發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。其中，發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高，基區(qū)次之，集電區(qū)最低。晶體管的工作狀態(tài)，
2023-09-17 09:43:213529 ，單位為MHz。
倍頻：表示主頻與外頻的比值。
制程：表示芯片上晶體管之間的連接導(dǎo)線的線寬，單位為納米，數(shù)字越小水平越高。
緩存大?。喊ㄒ患?jí)緩存、二級(jí)緩存、三級(jí)緩存等，單位為MB。
架構(gòu)：表示CPU
2023-09-05 16:42:49
? 近日，北京大學(xué)彭練矛院士/張志勇教授團(tuán)隊(duì) 造出一款基于陣列碳納米管的 90nm 碳納米管晶體管 ，具備可以高度集成的能力。 基于該90nm 碳納米管晶體管技術(shù)，目前該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的高靈敏碳納米管
2023-09-05 15:10:18537 
華為發(fā)布首款5nm 5G SoC，集成153億晶體管? 在當(dāng)今的數(shù)字時(shí)代，5G成為了一種越來(lái)越重要的通信技術(shù)，它能夠大幅提升傳輸速度和低延時(shí)，以實(shí)現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)傳輸質(zhì)量。而華為公司最近發(fā)布了自家
2023-09-01 16:47:357012 晶體管的三個(gè)極的電壓關(guān)系 晶體管作為一種電子器件，是當(dāng)今電子技術(shù)和通信領(lǐng)域中不可或缺的重要元件。晶體管的基本結(jié)構(gòu)包括一個(gè)基極、一個(gè)發(fā)射極和一個(gè)集電極。它實(shí)現(xiàn)了一種對(duì)電流的控制，從而能夠?qū)崿F(xiàn)電子設(shè)備
2023-08-25 15:35:205242 晶體管的三種基本接法是什么 晶體管是一種半導(dǎo)體器件，是現(xiàn)代電子技術(shù)中的重要組成部分，可用于放大、開(kāi)關(guān)和穩(wěn)壓等電路。晶體管的三種基本接法是共射極、共集電極和共基極。下面將詳細(xì)介紹這三種接法
2023-08-25 15:35:173144 設(shè)備等消費(fèi)電子、通訊和工業(yè)控制應(yīng)用領(lǐng)域。在這篇文章中，我們將深入探討晶體管的三種工作狀態(tài)。 一、截止?fàn)顟B(tài) 當(dāng)晶體管的控制電壓為零或負(fù)值時(shí)，電流無(wú)法通過(guò)晶體管，此時(shí)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)。在晶體管截止?fàn)顟B(tài)下，集電極的
2023-08-25 15:29:424363 晶體管和真空管有哪些區(qū)別？ 晶體管和真空管是兩種不同的電子元件。都是常見(jiàn)的電子元件，但它們之間有很多區(qū)別。這些區(qū)別主要涉及到它們的外觀、構(gòu)造、工作原理、熱量生成、性能參數(shù)等。這篇文章將詳細(xì)介紹這兩種
2023-08-25 15:29:391981 在電子技術(shù)領(lǐng)域中具有重要的作用。雖然它們?cè)谀承┓矫嬗幸恍┫嗨浦帲撬鼈冎g還存在著一些差異。本文將詳細(xì)介紹晶體管和MOS管之間的區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)差異 晶體管由P型和N型半導(dǎo)體材料的組合構(gòu)成。有三個(gè)
2023-08-25 15:29:314214 輸出的區(qū)別。 1. 工作原理 晶體管是一種電子元件，它是由晶體管芯片、封裝、管腳等部分組成。晶體管的工作原理是，通過(guò)對(duì)控制電路施加不同的電壓來(lái)控制晶體管的導(dǎo)通和截止，從而控制所接負(fù)載的輸出狀態(tài)。晶體管的輸入阻抗較
2023-08-25 15:21:12897 晶體管和晶閘管區(qū)別是什么？ 晶體管和晶閘管是電子元件中常用的兩種器件，它們?cè)陔娮与娐分邪l(fā)揮著重要的作用。雖然它們的名稱(chēng)相似，但是從工作原理到應(yīng)用領(lǐng)域都存在著很大的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹晶體管和晶閘管
2023-08-25 15:21:071683 為了延續(xù)傳統(tǒng)平面型晶體管制造技術(shù)的壽命，彌補(bǔ)關(guān)鍵尺寸縮小給傳統(tǒng)平面型晶體管帶來(lái)的負(fù)面效應(yīng)，業(yè)界研究出了很多能夠改善傳統(tǒng)平面型晶體管性能的技術(shù)。
2023-08-21 11:13:41389 
晶體管是一種有源元件，遍布電子電路。它們用作放大器和開(kāi)關(guān)設(shè)備。作為放大器，它們用于高電平和低電平、頻率級(jí)、振蕩器、調(diào)制器、檢測(cè)器以及任何需要執(zhí)行功能的電路中。在數(shù)字電路中，它們用作開(kāi)關(guān)。世界上有大量
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個(gè)前置放大器。2通道混音器電路的第一個(gè)前置放大器具有高增益，可用于麥克風(fēng)輸入，第二個(gè)前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
絕緣體上硅(FD-SOI)技術(shù)開(kāi)發(fā)10納米低功耗工藝技術(shù)模塊，該技術(shù)未來(lái)將進(jìn)一步向7納米拓展，這也是浸沒(méi)式DUV光刻技術(shù)的極限。該機(jī)構(gòu)透露，FD-SOI新一代工藝將與18、22和28nm的現(xiàn)有設(shè)計(jì)兼容，并且還將包括嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)工藝。該項(xiàng)目由法國(guó)政府獨(dú)立于《歐盟芯片法案》提供資金。
2023-07-20 10:54:19427 機(jī)構(gòu)方面表示，新的fd-soi技術(shù)將與18、22、28納米的現(xiàn)有設(shè)計(jì)進(jìn)行互換，還將包括嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器（envm）技術(shù)。該項(xiàng)目在法國(guó)政府的資助下被分離為《歐盟芯片法案》。
2023-07-20 09:12:34308 逆變器在全球范圍內(nèi)發(fā)揮著重要作用，因?yàn)樗峁┎婚g斷的電力供應(yīng)，并幫助人們滿(mǎn)足能源需求。您可能已經(jīng)使用了制造商生產(chǎn)的現(xiàn)成逆變器，但是如何自己制造一個(gè)。本文將介紹如何使用晶體管制作簡(jiǎn)單的逆變器電路，該晶體管使用一些基本的電子元件（例如晶體管和變壓器）將12V DC轉(zhuǎn)換為120V AC。
2023-07-02 11:44:54623 
高效的400-800V充電和轉(zhuǎn)換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場(chǎng)效晶體管
2023-06-16 10:07:03
提出了一種僅在一個(gè)晶體管上制作的正負(fù)邏輯通用無(wú)源邏輯元件。邏輯元件至少有兩個(gè)輸入，以及三個(gè)輸出：一個(gè) OR、一個(gè) XOR 和一個(gè) AND，同時(shí)工作。給出了使用這種設(shè)備作為“只有兩個(gè)”邏輯元素的一部分以及 RS 觸發(fā)器的一部分的示例。
2023-06-10 17:11:00810 
晶體管是一種非常重要的電子元件，它是電子器件中最基本的元件之一，也是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心之一。晶體管的出現(xiàn)，使得電子器件的體積減小、功耗降低、速度提高，進(jìn)而促進(jìn)了現(xiàn)代電子技術(shù)的發(fā)展。本文將從晶體管的歷史發(fā)展、工作原理、種類(lèi)以及應(yīng)用等方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。
2023-06-02 09:51:462318 NPN晶體管是由三個(gè)不同摻雜的半導(dǎo)體材料制成的電子元件，它是一種L6562ADTR雙極晶體管，是電子學(xué)中最常用的元件之一。它的名稱(chēng)來(lái)源于其內(nèi)部的三個(gè)摻雜區(qū)域，分別是N型區(qū)、P型區(qū)和N型區(qū)。其中，P型區(qū)稱(chēng)為基區(qū)，N型區(qū)稱(chēng)為發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。NPN晶體管的基區(qū)是較薄的區(qū)域，而發(fā)射區(qū)和集電區(qū)是較厚的區(qū)域。
2023-05-31 11:52:081335 我正在尋找摩托羅拉收音機(jī) VHF 射頻末級(jí)中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
如何使用數(shù)字晶體管數(shù)字晶體管是一種用于控制電流流動(dòng)的半導(dǎo)體元件，可用于數(shù)字電路中的邏輯門(mén)、時(shí)序電路和數(shù)據(jù)處理電路等。
2023-05-29 16:23:07325 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041366 
晶體管是什么器件 晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:12:59831 晶體管是什么 晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:06:201131 在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中，平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個(gè)名詞的時(shí)候，可能會(huì)顧名思義地認(rèn)為，平面型IGBT的電流就是水平流動(dòng)的，而溝槽柵IGBT的電流就是在垂直方向
2023-05-11 11:18:53723 
的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大，并有助于功耗。這就是為什么我們必須了解MOS晶體管中各種類(lèi)型的漏電流。 在我們嘗試了解各種漏電流元件之前，讓我們先回顧一下MOS晶體管的核心概念。這將有助于我們更好地了解該主題。 重新審視
2023-05-03 11:33:001279 單結(jié)晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大電路輸入共模信號(hào)時(shí)
為什么說(shuō)RE對(duì)每個(gè)晶體管的共模信號(hào)有2RE的負(fù)反饋效果
這里說(shuō)的每個(gè)晶體管的共模信號(hào)是指什么信號(hào) 是指輸入信號(hào) 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負(fù)的反饋
2023-04-25 16:15:31
雙極結(jié)晶體管電路輸入振幅變大為什么會(huì)導(dǎo)致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在尋找零件號(hào)“PCAL6408ABSHP”中有關(guān)工藝節(jié)點(diǎn)和晶體管數(shù)量的信息。NXP 網(wǎng)站上是否有一個(gè)位置可以找到 NXP 部件號(hào)的此類(lèi)信息？
2023-04-19 09:27:44
西門(mén)子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
西門(mén)子CPUSR30可以增加晶體管擴(kuò)展模塊控制步進(jìn)電機(jī)嗎？
2023-04-17 14:13:13
瑞薩電子今日宣布推出基于 22nm 制程的首顆微控制器（MCU）。通過(guò)采用先進(jìn)工藝技術(shù)，提供卓越性能，并通過(guò)降低內(nèi)核電壓來(lái)有效降低功耗。先進(jìn)的工藝技術(shù)還提供更豐富的集成度（比如 RF 等），能夠在更小的裸片面積上實(shí)現(xiàn)相同的功能，從而實(shí)現(xiàn)了外設(shè)和存儲(chǔ)的更高集成度。
2023-04-12 10:07:19454 智能發(fā)電主要涉及什么技術(shù)領(lǐng)域 智能變電涉及的技術(shù)領(lǐng)域主要包括變電站信息采集技術(shù)、智能傳感技術(shù)、實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)技術(shù)、狀態(tài)診斷技術(shù)、自適應(yīng)／自?xún)?yōu)化保護(hù)技術(shù)、廣域保護(hù)技術(shù)、協(xié)調(diào)控制技術(shù)和站內(nèi)智能一次設(shè)備技術(shù)
2023-04-11 18:11:15636 采用晶體管互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)輸出時(shí)，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
請(qǐng)問(wèn)BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
有沒(méi)有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
硅NPN臺(tái)面型晶體管
2023-03-29 21:51:01
硅平面外延晶體管
2023-03-28 12:54:31
我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了?！罢！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
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