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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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英特爾競購High-NA EUV設(shè)備,臺積電決定回避
另一方面,臺積電的年度技術(shù)論壇正在美國和歐洲如火如荼地進行,備受世人矚目的是該公司計劃在2026年量產(chǎn)A16技術(shù),該技術(shù)將結(jié)合納米片晶體管和超級電軌架構(gòu)。
維也納工業(yè)大學(xué)創(chuàng)新晶體管技術(shù):RFET
因此,常規(guī)晶體管的制造及生產(chǎn)步驟中包含了“化學(xué)摻雜”環(huán)節(jié),即將純半導(dǎo)體材料引入雜質(zhì),借此調(diào)整其電氣特性。這種摻雜方式直接影響電流流向,形成固定模式,無法...
2024-03-29 標簽:晶體管半導(dǎo)體材料電子電路 680 0
英飛凌科技推出集成溫度傳感器全新CoolMOS S7T產(chǎn)品系列
SSR是各種電子設(shè)備的基本配置,如果能夠?qū)鞲衅骱统Y(jié) MOSFET集成到同一封裝中,客戶便可以獲得多方面的好處。
長周期認證下的IGBT封裝:先發(fā)企業(yè)的優(yōu)勢與后來者的困境
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心組件,廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、電動汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。然而,IGBT功率模塊的封裝技術(shù)卻面...
GaN材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表,具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導(dǎo)率和高峰值電子漂移速度等優(yōu)質(zhì)性能。因此,GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大...
清華大學(xué)首次實現(xiàn)具有亞1納米柵極長度的晶體管
近日,清華大學(xué)集成電路學(xué)院任天令教授團隊在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破,首次實現(xiàn)了具有亞1納米柵極長度的晶體管,并具有良好的電學(xué)性能。
英飛凌推出新款CoolGaN?晶體管,促進高壓器件市場發(fā)展
英飛凌科技股份公司近日宣布推出其全新的高壓分立器件系列——CoolGaN?晶體管650VG5,進一步豐富了其氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。這一新產(chǎn)品系列的推...
晶體管(Transistor)是一種?半導(dǎo)體器件?,用于?放大電信號?、?控制電流?或作為?電子開關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件,幾乎所有電子設(shè)備(從...
2025-05-16 標簽:晶體管 671 0
斯坦福大學(xué)電氣工程教授,臺積電前企業(yè)研究副總裁、IEEE Fellow黃漢森(H.-S. Philip Wong)指出:「器件技術(shù)將面向特定應(yīng)用領(lǐng)域,就...
數(shù)字晶體管是削減元器件、創(chuàng)建簡單電路的第一步
當(dāng)您聽到“數(shù)字晶體管”這個詞時,可能會感覺它比普通晶體管更難,但實際上它是一種用于開關(guān)工作的簡單電子器件,實際試用一下就會發(fā)現(xiàn)其實既簡便又易用。 即便...
2024-03-01 標簽:元器件晶體管數(shù)字晶體管 669 0
展望未來,臺積電正通過多個方向推動半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)發(fā)展:包括硅光子學(xué)的研發(fā)、與DRAM廠商在HBM領(lǐng)域的深度合作以及探索將3D堆疊技術(shù)應(yīng)用于晶體管層級的C...
,美國麻省理工學(xué)院(MIT)的一項新技術(shù)將使這一現(xiàn)狀被改變,研究人員可將兩種晶格大小非常 不一致的材料——二硫化鉬和石墨烯集成在一層上,制造出通用計算機...
由于單片設(shè)計中的現(xiàn)代高端圖形處理器一代又一代地變得越來越復(fù)雜和昂貴,AMD 決定為其 RDNA3 圖形處理器采用全新的革命性小芯片設(shè)計。
功率放大器是電子設(shè)備中常見的一種電路,它的主要功能是將輸入信號的能量放大到更高的水平。在許多電子設(shè)備中,功率放大器扮演著至關(guān)重要的角色,如音響系統(tǒng)、無線...
模擬峰值太陽輻照度只是預(yù)測和避免熱失效的第一步。太陽能根據(jù)其所射入材料的光譜吸收轉(zhuǎn)換為熱量。例如,在我們的測試中,如圖3所示,由于陽光負載導(dǎo)致的薄膜晶體...
2020-08-04 標簽:Ar晶體管DLP技術(shù) 664 0
英特爾IEDM 2024大曬封裝、晶體管、互連等領(lǐng)域技術(shù)突破
芯東西12月16日報道,在IEDM 2024(2024年IEEE國際電子器件會議)上,英特爾代工展示了包括先進封裝、晶體管微縮、互連縮放等在內(nèi)的多項技術(shù)...
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