什么是SOI襯底？SOI襯底的優(yōu)勢(shì)是什么？

SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫。直譯為在絕緣層上的硅。實(shí)際的結(jié)構(gòu)是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄...

2023-10-10 標(biāo)簽：集成電路寄生電容SOI 5572 0

dV/dt失效是什么意思

dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。

2022-03-29 標(biāo)簽：MOSFET寄生電容橋式電路 5546 0

pcb等長(zhǎng)設(shè)計(jì)為什么會(huì)出現(xiàn)時(shí)延差異？

1倍線寬的蛇形繞線帶來(lái)的延時(shí)差異是-10ps，比參考線快了10ps，造成延時(shí)差異的主要原因是信號(hào)的自耦合現(xiàn)象。

2021-04-13 標(biāo)簽：pcb寄生電容傳輸線 5499 0

Cadence virtuoso模擬仿真技術(shù)

如果要想知道某變量為不同值的dc工作點(diǎn)，接著→Sweep Variable → select Design Variable → Variable Na...

2024-01-08 標(biāo)簽：Cadence仿真器寄生電容 5347 0

BUCK電路主要干擾源頭與差模傳導(dǎo)發(fā)射分析

BUCK電路為典型的開關(guān)電源電路，為降壓電路，其主要電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下，隨著開關(guān)管不停的通斷，右邊的輸出電壓低于左邊的輸入電壓，從而實(shí)現(xiàn)降壓功能。

2023-09-11 標(biāo)簽：開關(guān)電源EMI濾波器寄生電容 5330 0

如何補(bǔ)償運(yùn)算放大器的輸入電容

本文將討論輸入端，尤其是反相輸入端的寄生（或雜散）電容的影響。

2022-05-05 標(biāo)簽：寄生電容輸入端 5329 0

一文詳解MOS管驅(qū)動(dòng)電路拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)

功率MOSFET是電壓型驅(qū)動(dòng)器件，輸入阻抗高，因而開關(guān)速度可以很高。

2023-07-22 標(biāo)簽：MOSFET電路設(shè)計(jì)MOS管 5303 0

gm/Id方法設(shè)計(jì)二級(jí)OTA(2)—電流鏡式放大器介紹

輸入級(jí)放大電路由 M1～M5 組成。M1 和 M2 組成 PMOS 差分輸入對(duì)，差分輸入與單端輸入相比可以有效抑制共模信號(hào)干擾；M3、M4 電流鏡為有源...

2023-07-05 標(biāo)簽：放大器濾波器電源電壓 5301 0

MOS學(xué)習(xí)筆記—驅(qū)動(dòng)電阻參數(shù)計(jì)算

在簡(jiǎn)單的了解MOS管的基本原理以及相關(guān)參數(shù)后，如何在實(shí)際的電路中運(yùn)用是我們努力的方向。

2023-10-16 標(biāo)簽：MOSFETMOS管寄生電容 5258 0

射頻頻率上電感、電阻、電容都有變化？

理想的電感，其電抗為jwL，即會(huì)隨著頻率的升高而升高，但是實(shí)際的電感，由于寄生電容的影響，這個(gè)寄生電容會(huì)與電感諧振，從而在某個(gè)頻率處產(chǎn)生一個(gè)很高的阻抗。

2023-06-09 標(biāo)簽：電阻射頻電容 5195 0

什么是“特斯拉線圈”和“諧振變壓器”？

特斯拉線圈（Tesla Coil）是一種諧振變壓器（Resonant Transformer），由尼古拉·特斯拉在1891年發(fā)明，用于生產(chǎn)超高電壓、低電...

2023-09-07 標(biāo)簽：諧振電路寄生電容電磁感應(yīng) 5163 0

說(shuō)說(shuō)“阻抗”和“阻抗匹配”的概念

電路中存在的電阻、電容和電感對(duì)電流起到的阻礙作用就叫做阻抗。

2023-11-03 標(biāo)簽：阻抗匹配接收機(jī)PCB布線 5127 0

FOWLP技術(shù)如何使摩爾定律保持有效？

摩爾定律在制程技術(shù)中處于最后一刻，因此高級(jí)包裝占據(jù)了接力棒。扇出晶圓級(jí)封裝（FOWLP）等先進(jìn)技術(shù)可提高組件密度并提高性能，并幫助解決芯片I / O限制...

2021-04-01 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管人工智能 5029 0

米勒效應(yīng)對(duì)MOSFET的危害

對(duì)于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效...

2023-04-26 標(biāo)簽：二極管MOSFETMOS管 4930 0

串?dāng)_是如何產(chǎn)生的？如何去理解串?dāng)_呢

線間耦合有雜散（寄生）電容引發(fā)的電容（靜電）耦合和互感引發(fā)的電感（電磁）耦合。這些耦合現(xiàn)象會(huì)引發(fā)干擾。

2022-08-17 標(biāo)簽：寄生電容電感耦合PCB 4837 0

TVS的七大參數(shù)介紹

結(jié)電容是 TVS 中的寄生電容，在高速 IO 端口保護(hù)需要重點(diǎn)關(guān)注，過(guò)大的結(jié)電容可能會(huì)影響信號(hào)的質(zhì)量。根據(jù)被保護(hù)的信號(hào)速率，選擇合適的結(jié)電容，如下給出常...

2023-10-12 標(biāo)簽：電容TVS寄生電容 4836 0

PCB寄生電容的影響 PCB寄生電容計(jì)算 PCB寄生電容怎么消除

寄生電容有一個(gè)通用的定義：寄生電容是存在于由絕緣體隔開的兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的虛擬電容（通常不需要的），是PCB布局中的一種效應(yīng)，其中傳播的信號(hào)表現(xiàn)得好像就...

2024-01-18 標(biāo)簽：pcbemi寄生電容 4807 0

MOS管G極與S極之間的電阻作用

MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MO...

2023-05-08 標(biāo)簽：變壓器電阻MOS管 4740 1

如何看懂MOS管的每一個(gè)參數(shù)

那么結(jié)溫和熱阻有什么用呢？--半導(dǎo)體器件主要通過(guò)熱傳遞的方式對(duì)元件本身進(jìn)行散熱，當(dāng)芯片溫度升高，超過(guò)結(jié)溫后會(huì)導(dǎo)致元件損壞。

2024-03-18 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻晶體管 4685 0