VDSS：漏極與源極之間電壓的最大值不能超過-60V ；

VGSS：柵極與源極之間可以承受的最大電壓±20V；

ID：漏極能流過的最大電流-130mA；

IDM：脈沖峰值，對于功率MOS來講一般都有著很強的峰值通流能力，用于PWM開關(guān)的控制。

PD：器件能夠承受的最大功率225mW，25℃以上需降額，溫度升高1 ℃ ，降低1.8mW；

RθJA：熱阻556?℃/W；

Tj：結(jié)溫和最大儲存溫度都是150℃

TL：一般是指手工焊接，或者利用回流焊，波峰焊等工藝，芯片可以短時間承受的最大溫度。

那么結(jié)溫和熱阻有什么用呢？--半導體器件主要通過熱傳遞的方式對元件本身進行散熱，當芯片溫度升高，超過結(jié)溫后會導致元件損壞。具體計算方法可參考下式：

Tj=Ta+( R θJA × PD )
Ta = 封裝的環(huán)境溫度 ( o C )
R θJA = P-N結(jié)至環(huán)境的熱阻 ( o C / W ) （數(shù)據(jù)手冊一般會提供）
PD = 封裝的功耗即功率 (W) 芯片功耗 = Pin-Pout

降低結(jié)溫的途徑：
1、減少器件本身的熱阻；
2、良好的二次散熱機構(gòu)；
3、減少器件與二次散熱機構(gòu)安裝介面之間的熱阻；
4、控制額定輸入功率；
5、降低環(huán)境溫度；

VBRDSS：VGS= 0時，漏極與源極之間的擊穿電壓。

IDSS：零柵極電壓漏極電流，VGS= 0時，D與S之間加VDSS。

IGSSF：?VGS=20時，正向柵極-體漏電流。

IGSSR：?VGS=-20時，反向柵極-體漏電流。

IGSSF、IGSSR是評估CMOS器件可靠性和穩(wěn)定性的參數(shù)，設計時無需過

渡關(guān)注。

VGS(th)：開啟電壓，VGS(th)具有負的溫度特性，而且變化率

比雙極型晶體管大，MOSFET約為-5mV/°C。

RDS(on)：MOSFET處于導通狀態(tài)下的阻抗。導通阻抗越大，則

開啟狀態(tài)時的損耗越大。因此，要盡量減小MOSFET的導通阻抗。

|yfs|：跨導， △ Id/ △ VGS，表示柵源電壓VGS對漏極電流Id控制

能力的大小，影響MOS開關(guān)的響應速度。

輸入電容（Ciss）：45pF

輸出電容（Coss）：4pF

總柵極電荷（Qg）：1.1nC，柵極總電荷Qg大，驅(qū)動損耗大；

柵源電荷（Qgs）：0.3nC

柵漏電荷（Qgd）:0.2nC

Ciss=Cgd+Cgs，Cds shorted

Coss=Cgd+Cgs

Crss=Cgd

開啟延遲時間（td(on)）：4.8ns

上升時間（tr）：19ns

關(guān)斷延遲時間（td(off)）：52ns

下降時間（tf）：32ns

連續(xù)二極管正向電流（IS）：-0.13A

脈沖二極管正向電流（ISM）：-0.52A

二極管正向電壓（VSD）：-2.2V

反向恢復時間（trr）：xx ns

反向恢復電荷（Qrr）：xx uC

ISmax=-0.13A

ISMmax=-0.52A

VSD=-2.2V

td(on)=4.8ns,tr=19ns,?ton= td(on)+tr=23.8ns

td(off)?=52ns,tf=32ns,?toff= td(off)+tf=84ns

(評估轉(zhuǎn)移特性)

柵源電壓VGS和漏極電流ID關(guān)系

溫度不變，VGS增大，ID增大；

VGS不變，ID隨溫度升高而降低。

(評估輸出特性)

漏源電壓VDS和漏極電流ID關(guān)系

電壓不變，VDS增大，ID增大；

VDS不變，ID隨電壓升高而增大。

漏源導通電阻Rdson和漏極電流ID關(guān)系

溫度不變，ID增大， Rdson緩慢增大；

ID不變， Rdson隨溫度升高而增大。

漏源導通電阻Rdson和結(jié)溫Tj關(guān)系

同一曲線，Tj增大， Rdson增大；

不同曲線， Tj增大，ID越大，Rdson越小。

漏極電壓VDS和寄生電容關(guān)系

VDS增大，寄生電容減小，Ciss最大，

Coss次之，Crss最??；

寄生二極管壓降-VSD和前向電流-IS關(guān)系

溫度不變，-IS基本保持穩(wěn)定，滿足二極管特性；

-VSD不變，溫度升高， -IS電流會增大。

最后就是MOSFET的封裝尺寸了。

審核編輯：黃飛