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標(biāo)簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來沒有在那個地方設(shè)計電容,但由于布線之間總是有互容,互容就好像是寄生在布線之間的一樣,所以叫寄生電容,又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上,一個電容等效于一個電容,一個電感,和一個電阻的串聯(lián),在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會增大,不能忽略。
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小外形封裝 (Small Outine Package, SOP)器件屬于引腳從封裝體兩側(cè)子出呈翼狀的表面貼裝器件,其封裝結(jié)構(gòu)分 為嵌人式和外露式兩種。
采用初級側(cè)穩(wěn)壓(PSR)技術(shù)的反激式電源實現(xiàn)方案
開關(guān)電源產(chǎn)生振鈴的主要原因在于非理想器件存在功率級寄生電容、電感。所謂諧振,即:在MOS管開通、關(guān)斷切換的過程中,寄生電感將能量傳遞給寄生電容進行充電,...
2021-05-31 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電源寄生電容 7603 0
什么是寄生效應(yīng)?寄生電容及版圖抗干擾設(shè)計
在非理想狀態(tài)下設(shè)計中不希望存在的,有物質(zhì)本身特性,或物質(zhì)與物質(zhì)間相互作用,在特定條件下所產(chǎn)生的新特性。
IGBT作為大功率電力電子器件廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)設(shè)備中。為了滿足安全要求,這些設(shè)備在電氣設(shè)計和生產(chǎn)過程中要遵循相應(yīng)的規(guī)范。
手算法其實就是根據(jù)設(shè)計要求,把結(jié)構(gòu)定下來之后運用運放的一些基礎(chǔ)知識將MOS管的W/L參數(shù)一一定下來的方法,這個方法不一定能設(shè)計出很完美的運放,但是對...
一般認(rèn)為MOS管是電壓驅(qū)動型,所以驅(qū)動MOS管,只需要提供一定的電壓,不需要提供電流。
什么是d-GaN、e-GaN 和 v-GaN?其有何特點及應(yīng)用?
GaN是常用半導(dǎo)體材料中能隙最寬、臨界場最大、飽和速度最高的材料。
2023-12-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器驅(qū)動器半導(dǎo)體 6949 0
MOS管的基本結(jié)構(gòu) MOS管的二級效應(yīng)
本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性,并闡述MOS管的二級效應(yīng),如體效應(yīng)、溝道長度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等,之后介紹了MOS管的寄生電容,...
碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點是工藝簡單,單元...
什么是DC IR Drop?DC IR Drop仿真有何意義?
DC即Direct Current,直流電,電流方向不隨時間發(fā)生改變;IR Drop中的I指電流,R指電阻,I與R相乘即為電壓,IR Drop就是電壓降;
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