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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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二氧化硅是芯片制造中最基礎(chǔ)且關(guān)鍵的絕緣材料。本文介紹其常見(jiàn)沉積方法與應(yīng)用場(chǎng)景,解析SiO?在柵極氧化、側(cè)墻注入、STI隔離等核心工藝中的重要作用。
金鋁效應(yīng)是集成電路封裝中常見(jiàn)的失效問(wèn)題,嚴(yán)重影響器件的可靠性。本文系統(tǒng)解析其成因、表現(xiàn)與演化機(jī)制,并結(jié)合實(shí)驗(yàn)與仿真提出多種應(yīng)對(duì)措施,為提升鍵合可靠性提供參考。
芯片封裝是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié),承擔(dān)著為芯片提供物理保護(hù)、電氣互連和散熱的功能,這其中的鍵合技術(shù)(Bonding)就是將晶圓芯片固定于基板上。
LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)
本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開(kāi)介紹,重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn),并結(jié)合不同工藝條件對(duì)材...
在先進(jìn)制程遭遇微縮瓶頸的背景下,先進(jìn)封裝朝著 3D 異質(zhì)整合方向發(fā)展,成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵路徑。3D 先進(jìn)封裝技術(shù)作為未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),使芯片串聯(lián)數(shù)量大幅增加。
隨著智能設(shè)備的普及,電子設(shè)備也朝著小型化、高性能和可靠性方向發(fā)展。摩爾定律趨緩背景下,封裝技術(shù)成為提升性能的關(guān)鍵路徑。從傳統(tǒng)的TO封裝到先進(jìn)封裝,MOS...
隨著新能源汽車(chē)、5G、AI等新型應(yīng)用領(lǐng)域爆發(fā),MOS管在電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景需求也隨之激增,國(guó)產(chǎn)替代加速,對(duì)MOS管的工藝和性能提出了更高的要求。作為重要的分...
熱可調(diào)窄線寬外腔激光器設(shè)計(jì)方案
我們提出了一種無(wú)模式跳變(mode-hop-free)的外腔激光器(ECL)設(shè)計(jì),該設(shè)計(jì)結(jié)合了半導(dǎo)體增益芯片和具有增強(qiáng)熱靈敏度的光纖布拉格光柵(FBG)...
半導(dǎo)體精密劃片機(jī)在光電子器件中劃切應(yīng)用
半導(dǎo)體精密劃片機(jī)在光電子器件制造中扮演著至關(guān)重要的角色,其高精度、高效率與多功能性為光通信、光電傳感等領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的技術(shù)突破。一、技術(shù)特性:微米級(jí)精...
半導(dǎo)體封裝檢測(cè)黑科技:0.2mm超細(xì)Pin針的“視覺(jué)獵手”來(lái)了!
行業(yè)困局:0.2mm 間距為何成檢測(cè) "生死線"?在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域,Pin 針檢測(cè)精度直接決定產(chǎn)品良率。當(dāng)芯片封裝密度突破 0.2m...
2025-03-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光電檢測(cè)設(shè)備封裝檢測(cè) 355 0
EtherCAT轉(zhuǎn)CANopen網(wǎng)關(guān)在半導(dǎo)體固晶機(jī)設(shè)備上的應(yīng)用
EtherCAT轉(zhuǎn)CANopen網(wǎng)關(guān)在半導(dǎo)體固晶機(jī)設(shè)備上的應(yīng)用主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:實(shí)現(xiàn)設(shè)備間的無(wú)縫通信在半導(dǎo)體固晶機(jī)設(shè)備中,可能同時(shí)存在使用Ethe...
前段工藝(Front-End)、中段工藝(Middle-End)和后段工藝(Back-End)是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的三個(gè)主要階段,它們?cè)谥圃爝^(guò)程中扮演著不...
通過(guò)啟發(fā)式參數(shù)提取校準(zhǔn)半導(dǎo)體光放大器的TLM模型
通過(guò)大量仿真優(yōu)化了半導(dǎo)體光放大器模型的系統(tǒng)行為,在光增益與偏置電流、不同光輸入功率(-25 至 0 dBm)以及不同 I 偏置(0 至 180 mA)下...
光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié),對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn),對(duì)光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求...
本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開(kāi)通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外,還應(yīng)注意測(cè)試波形的準(zhǔn)確性。
詳解晶圓級(jí)可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)
隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術(shù)通過(guò)...
LU是 Latch Up的簡(jiǎn)寫(xiě),即閂鎖效應(yīng),也叫可控硅效應(yīng),表征芯片被觸發(fā)低阻抗通路后、電源VDD到GND之間能承受的最大電流。非車(chē)規(guī)芯片的規(guī)格書(shū)中通常...
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