柵極環(huán)路電感對(duì)IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響簡(jiǎn)析

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

2024-03-12 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器電磁兼容IGBT 1448 0

pin針超聲焊接在功率模塊中的應(yīng)用有哪些呢？

隨著近年來(lái)功率模塊的越來(lái)越廣的應(yīng)用，個(gè)別應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)pin連接的可靠性提出了更高的要求。

2024-01-15 標(biāo)簽：功率模塊DBC換能器 1425 0

淺談DIPIPM?的健康管理

DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡(jiǎn)稱(chēng)，由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場(chǎng)，迄今已在家電、工業(yè)和汽車(chē)空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIP...

2023-05-08 標(biāo)簽：機(jī)器人伺服電機(jī)三菱電機(jī) 1401 0

大面積燒結(jié)的進(jìn)步提高了功率模塊的性能

以碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導(dǎo)體效率的提高，碳化...

2023-11-21 標(biāo)簽：SiC氮化鎵功率模塊 1396 0

為什么使用 S 參數(shù)進(jìn)行功率模塊優(yōu)化更有優(yōu)勢(shì)？

? 功率模塊是一種采用絕緣柵雙極性晶體管 (IGBT) 或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為開(kāi)關(guān)元件的高功率開(kāi)關(guān)電路，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、光伏...

2024-05-29 標(biāo)簽：IGBT功率模塊S參數(shù) 1391 0

全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。

2023-02-08 標(biāo)簽：IGBTSiC功率模塊 1310 0

igbt模塊散熱基板的作用及種類(lèi) 車(chē)規(guī)級(jí)IGBT功率模塊散熱方式

間接液冷散熱采用的是平底散熱基板，基板下面涂一層導(dǎo)熱硅脂，緊貼在液冷板上，液冷板內(nèi)通冷卻液，散熱路徑為芯片-DBC基板-平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板-...

2023-07-21 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)IGBT電機(jī)控制器 1307 0

如何提高4.5 kV IGBT模塊的功率密度

未來(lái)對(duì)電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進(jìn)一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶(hù)的不同項(xiàng)目。同時(shí)，變流器仍需具有成本競(jìng)爭(zhēng)力。本文展示了新...

2023-10-17 標(biāo)簽：IGBT三菱電機(jī)功率模塊 1264 0

真正的多元供應(yīng)，確保供應(yīng)鏈安全

近年來(lái)，功率半導(dǎo)體用戶(hù)深刻地意識(shí)到不確定的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈帶來(lái)挑戰(zhàn)相當(dāng)棘手。因此，在設(shè)計(jì)變頻器時(shí)，"多元采購(gòu) "一直是用戶(hù)的需求。賽米控...

2023-05-29 標(biāo)簽：IGBT功率模塊供應(yīng)鏈 1231 0

功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)方案

為了提高功率模塊銅線鍵合性能，采用6因素5水平的正交試驗(yàn)方法，結(jié)合BP（Back Propaga‐tion）神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與遺傳算法，提出了一種銅線鍵合工藝參...

2024-01-03 標(biāo)簽：SiC功率模塊鍵合 1205 0

ITECH半導(dǎo)體測(cè)試方案解析，從容應(yīng)對(duì)全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌

功率模塊供應(yīng)商會(huì)搭建不同的產(chǎn)品解決方案，并進(jìn)行轉(zhuǎn)換效率，溫升等指標(biāo)驗(yàn)證，向下游的客戶(hù)（生產(chǎn)電機(jī)控制器，UPS，光伏逆變器制造商…）提供參考案例并證明其性...

2020-08-17 標(biāo)簽：IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 1155 0

功率模塊封裝工藝有哪些

本文介紹了有哪些功率模塊封裝工藝。 功率模塊封裝工藝 典型的功率模塊封裝工藝在市場(chǎng)上主要分為三種形式，每種形式都有其獨(dú)特的特點(diǎn)和適用場(chǎng)景。以下是這三種封...

2024-12-02 標(biāo)簽：封裝功率模塊IPM 1149 0

DIPIPM的失效解析流程

DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡(jiǎn)稱(chēng)，由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場(chǎng)，迄今已在家電、工業(yè)和汽車(chē)空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIP...

2023-11-03 標(biāo)簽：三菱電機(jī)功率模塊智能功率 1126 0

晶豐明源第二代高性能功率半橋模塊解析

半橋功率模塊（IPM）憑借其高集成度、高可靠性、布板靈活、設(shè)計(jì)與使用便捷等諸多優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，其中在高速風(fēng)筒中的應(yīng)用尤為突出。

2025-03-07 標(biāo)簽：功率模塊IPM晶豐明源 1115 0

三相全橋智能功率模塊CS5755MT產(chǎn)品概述

CS5755MT 是一款高度集成、高可靠性的三相無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，主要應(yīng)用于較低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)，如風(fēng)扇電機(jī)。其內(nèi)置了 6 個(gè)快恢復(fù) MOSFET 和 ...

2023-11-08 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)電路功率模塊 1096 0