功率ic和功率半導(dǎo)體有什么區(qū)別

功率IC通常是一種高度集成的器件，可以實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換和控制的多種功能，如DC/DC變換器、AC/DC變換器、照明驅(qū)動(dòng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。功率IC通常包括功率開(kāi)關(guān)...

2023-02-18 標(biāo)簽：IC功率器件功率IC 3951 0

AMB陶瓷基板在IGBT中應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)

AMB（活性金屬釬焊）工藝技術(shù)是DBC（直接覆銅）工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實(shí)現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。

2023-03-17 標(biāo)簽：逆變器IGBT功率器件 3903 0

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些

氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開(kāi)關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線通信、雷達(dá)和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵...

2023-08-24 標(biāo)簽：功率器件SiC氮化鎵 3879 0

解析電動(dòng)車控制器損壞的常見(jiàn)原因

控制器溫升快可能是控制器本身消耗的電流增加，一般消耗電流在30～40mA，或者是MOS管工作有問(wèn)題；電動(dòng)機(jī)無(wú)力可能是控制器檢測(cè)過(guò)流的康銅絲焊接不良，導(dǎo)致...

2024-03-11 標(biāo)簽：單片機(jī)控制器MOS管 3819 0

關(guān)于固態(tài)射頻烹飪系統(tǒng)的方案介紹

固態(tài)RF功率器件可以實(shí)現(xiàn)烹飪產(chǎn)品的功率調(diào)節(jié)和高能效。這需要設(shè)計(jì)師對(duì)尺寸、成本和性能作綜合考慮。本次會(huì)議將介紹恩智浦推出的一款可擴(kuò)展功率模塊，它可快速的集...

2018-06-28 標(biāo)簽：nxprf功率器件 3817 0

關(guān)于開(kāi)關(guān)電源技術(shù)技術(shù)關(guān)注點(diǎn)的十大闡述

開(kāi)關(guān)電源一直是電子行業(yè)里非常熱門的技術(shù)，而它的發(fā)展趨勢(shì)又是大家必須時(shí)刻關(guān)注的問(wèn)題，不然一不留神就會(huì)跟不上技術(shù)發(fā)展的步伐。電子元件技術(shù)做了項(xiàng)開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)...

2013-05-27 標(biāo)簽：電源開(kāi)關(guān)電源功率器件 3799 1

IGBT的使用與保護(hù)

目前IGBT 的電流/電壓等級(jí)已達(dá)1800A/1200V，關(guān)斷時(shí)間已經(jīng)縮短到40ns，工作頻率可達(dá)40kHz，擎住現(xiàn)象得到改善，安全工作區(qū)（SOA）擴(kuò)大...

2023-02-16 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源IGBT功率器件 3741 0

GaN 器件的封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

近年來(lái)，半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展迅速，集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。5G 時(shí)代的到來(lái)，對(duì)射頻器件所用半導(dǎo)體材料提出了新要求。氮化鎵（GaN）由于其大禁帶寬度和高飽和電...

2022-07-11 標(biāo)簽：集成電路功率器件GaN 3722 0

碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是...

2024-01-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 3684 0

什么是碳化硅？碳化硅的拋光方法主要有哪些？

碳化硅（SiC）材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。

2023-02-10 標(biāo)簽：功率器件SiCCMP 3560 0