功率器件心得——功率MOSFET心得

功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時(shí)輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載，帶載能力要強(qiáng)。

2016-12-05 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體功率器件 4353 0

焊機(jī)IGBT炸管后怎樣維修

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）是現(xiàn)代電力電子設(shè)備中常用的功率器件，廣泛應(yīng)用于焊機(jī)、變頻...

2024-08-07 標(biāo)簽：IGBT功率器件雙極晶體管 4347 0

hip247和TO247封裝區(qū)別

HIP247和TO247是兩種常見的封裝類型，用于電子元件，特別是功率器件的封裝。盡管它們?cè)诿Q上非常相似，但其實(shí)它們?cè)诔叽?、結(jié)構(gòu)、材料和應(yīng)用方面存在一...

2024-03-12 標(biāo)簽：封裝電子元件功率器件 4334 0

碳化硅功率模塊封裝及熱管理關(guān)鍵技術(shù)解析

碳化硅功率器件具有耐高壓、開關(guān)速度快和導(dǎo)通損耗低等優(yōu)點(diǎn)，因此正在逐漸成為電力變換系 統(tǒng)的核心器件，尤其在新能源汽車、可再生能源、儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心、軌道交通...

2023-11-08 標(biāo)簽：MOSFET功率器件功率模塊 4289 0

什么是SiC功率器件？它有哪些應(yīng)用？

SiC（碳化硅）功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件，它是繼硅（Si）和氮化鎵（GaN）之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異...

2024-09-10 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 4199 0

低頻紋波抑制的幾種常用的方法

紋波主要在五個(gè)方面：輸入低頻紋波、高頻紋波、寄生參數(shù)引起的共模紋波噪聲、功率器件開關(guān)過程中產(chǎn)生的超高頻諧振噪聲和閉環(huán)調(diào)節(jié)控制引起的紋波噪聲。

2022-08-31 標(biāo)簽：功率器件紋波開關(guān)變換電路 4133 0

晶閘管的工作過程是什么 晶閘管可控整流電路工作原理

當(dāng)晶閘管的門極接收到足夠的正向觸發(fā)脈沖時(shí)，晶閘管會(huì)從堵塞狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，晶閘管的陽極和陰極之間會(huì)形成一個(gè)低阻抗通路，允許電流流經(jīng)晶閘管。

2023-07-11 標(biāo)簽：晶閘管整流電路功率器件 4113 0

從晶體到系統(tǒng)之路：關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析

由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大，所以我單獨(dú)把這兩個(gè)流程拿出來和大家分享，接下來的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...

2023-02-02 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 4091 0

碳化硅的性能和應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...

2023-08-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 4089 0

貼片電源模塊sF6773參數(shù)及代換

貼片電源模塊是一種常見的電源模塊，它通常用于電子設(shè)備中提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)。在這篇文章中，我們將介紹sF6773貼片電源模塊的參數(shù)、功能以及代換方法。讓我...

2024-01-04 標(biāo)簽：貼片電子設(shè)備電源模塊 4087 0

輪轂電機(jī)的原理與結(jié)構(gòu) 輪轂電機(jī)的優(yōu)缺點(diǎn)

輪轂電機(jī)即是在車輪內(nèi)裝電機(jī)，它的最大特點(diǎn)就是將動(dòng)力、傳動(dòng)和制動(dòng)裝置都整合到輪轂內(nèi)，因此將電動(dòng)車輛的機(jī)械部分大大簡化。

2023-07-24 標(biāo)簽：電機(jī)功率器件輪轂電機(jī) 3995 0