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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1828個(gè) 瀏覽：92582次 帖子：50個(gè)

      功率器件技術(shù)

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      封裝技術(shù)是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝，主要起到電氣連接、結(jié)構(gòu)支持和保護(hù)、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作...

      2023-08-24 標(biāo)簽：IGBT功率器件半導(dǎo)體器件 2682 0

      下一代高頻高功率電子器件——金剛石半導(dǎo)體

      下一代高頻高功率電子器件——金剛石半導(dǎo)體

      金剛石是一種“終極材料”，在硬度、聲速、熱導(dǎo)率、楊氏模量等方面具有所有材料中最好的物理性能；其他性能包括從紫外線到紅外線的寬波長光譜的透射率、熱穩(wěn)定性和...

      2023-05-23 標(biāo)簽：功率器件金剛石 2680 0

      功率二極管有哪些類型

      功率二極管是一種特殊的二極管，它們的主要特點(diǎn)是可以承受較大的電流和功率。根據(jù)不同的用途和規(guī)格要求，功率二極管有多種類型，以下是其中一些常見的類型： 普通...

      2023-02-18 標(biāo)簽：二極管功率二極管功率器件 2652 0

      淺談降低MOSFET損耗和及EMI性能提高

      MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是...

      2023-04-18 標(biāo)簽：MOSFETemi功率器件 2642 0

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      如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電...

      2022-02-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件GaN 2635 0

      功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC?MOSFET技術(shù)解析

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      功率轉(zhuǎn)換器中越來越多地使用碳化硅（SiC）晶體管，這對尺寸，重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極IGBT器件相反，SiC出色的材料性能使它可以設(shè)計(jì)快速...

      2021-05-20 標(biāo)簽：MOSFET晶體管功率器件 2630 0

      雙脈沖測試平臺(tái)架構(gòu)可解決客戶在功率器件常見的問題

      雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。

      2022-10-12 標(biāo)簽：功率器件電流探頭脈沖測試 2620 0

      常見的幾種功率半導(dǎo)體器件介紹

      半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。

      2023-11-02 標(biāo)簽：MOSFET晶閘管IGBT 2612 0

      功率半導(dǎo)體的工作原理是什么

      功率半導(dǎo)體是一類能夠控制和調(diào)節(jié)大電流和高電壓的半導(dǎo)體器件。它可以將小信號(hào)控制電流或電壓轉(zhuǎn)換成大信號(hào)輸出，廣泛應(yīng)用于電力電子、工業(yè)自動(dòng)化、交通運(yùn)輸、新能源...

      2023-02-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 2608 0

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      為綜合評估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果，設(shè)計(jì)了串聯(lián)、并聯(lián)與串并聯(lián)三種冷板流道結(jié)構(gòu)， 從器件溫升、系統(tǒng)能效、散熱性能三個(gè)方面共計(jì)10項(xiàng)指標(biāo)評估了冷板性...

      2024-01-04 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 2592 0

      SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型

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      碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù)，人們對降低能耗和在高開關(guān)頻率應(yīng)用下運(yùn)行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度，使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...

      2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFETJFET功率器件 2590 0

      GaN和SiC基功率半導(dǎo)體的寬帶隙技術(shù)

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      尋找硅替代物的研究始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)已經(jīng)對幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材...

      2021-04-01 標(biāo)簽：二極管功率器件GaN 2583 0

      功率半導(dǎo)體的功能有哪些

      功率半導(dǎo)體是指用于高電壓、高電流應(yīng)用的半導(dǎo)體器件，其功能包括但不限于以下幾個(gè)方面： 開關(guān)控制：功率半導(dǎo)體器件常常用于開關(guān)控制電路中，通過控制其導(dǎo)通和截止...

      2023-02-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 2577 0

      硅終端金剛石半導(dǎo)體與場效應(yīng)管器件研究進(jìn)展

      硅終端金剛石半導(dǎo)體與場效應(yīng)管器件研究進(jìn)展

      金剛石作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，近年來成為大家關(guān)注的熱點(diǎn)。盡管在材料制備、器件研制與性能方面取得了一定進(jìn)展，但半導(dǎo)體摻雜技術(shù)至今沒有很好解決。氫終端...

      2023-08-17 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 2563 0

      簡單認(rèn)識(shí)功率器件

      功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件，是專門用來進(jìn)行功率處理的半導(dǎo)體器件。功率器件具有承受高電壓、通過大電流的能力，處理電壓...

      2024-01-09 標(biāo)簽：二極管晶體管功率器件 2555 0

      中山大學(xué)王鋼教授團(tuán)隊(duì)在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進(jìn)展

      中山大學(xué)王鋼教授團(tuán)隊(duì)在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進(jìn)展

      該綜述總結(jié)了NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀，為之后設(shè)計(jì)高性能的NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)器件提供了參考，對β-Ga2O3雙極型器...

      2023-06-30 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料氧化鎵 2548 0

      東科四款合封氮化鎵快充芯片量產(chǎn)，多款應(yīng)用案例剖析

      在氮化鎵快充市場不斷拓展的過程中，電源技術(shù)水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅(qū)動(dòng)+氮化鎵功率器件組合設(shè)計(jì)，不僅電路布局較為復(fù)雜，...

      2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵快充芯片 2514 0

      氮化鎵功率器件分類 氮化鎵充電器為什么充電快

      　氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。

      2023-02-19 標(biāo)簽：晶閘管IGBT功率器件 2512 0

      半導(dǎo)體功率器件技術(shù)的整體演進(jìn)情況

      從發(fā)展歷程來看，20世紀(jì)50年代，功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)；20世紀(jì)60至70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展

      2023-03-16 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體IGBT 2507 0

      電子電路基礎(chǔ)知識(shí)-熱阻

      電子電路基礎(chǔ)知識(shí)-熱阻

      從電子流動(dòng)的方向出發(fā)，阻礙電子流動(dòng)的參數(shù)為電阻，在高頻領(lǐng)域稱為阻抗，在實(shí)際電路中，電路工作過程會(huì)產(chǎn)生大量功耗，所有的功耗均需要進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換，其中，熱能是...

      2023-10-28 標(biāo)簽：元器件熱阻功率器件 2487 0

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        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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