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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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微波半導(dǎo)體器件在微波系統(tǒng)中能發(fā)揮各方面性能,歸納起來,即在微波功率產(chǎn)生及放大,控制、接收三個方面。而微波功率器件要求有盡可能大的輸出功率和輸出效率及功率...
2023-02-16 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件微波功率 1688 0
ADI出色的熱設(shè)計和緊湊型電源設(shè)計解決方案
隨著技術(shù)不斷進步,所有電子系統(tǒng)中包含的功能內(nèi)容數(shù)量不斷增多,可用空間卻在不斷減少。手機有觸摸屏、手電筒、省電模式和精巧的攝像頭。以前汽車儀表盤上只有基本...
FPGA或SoC電源的應(yīng)用中的集成柔性功率器件使用
使用四個獨立的器件為這個系統(tǒng)供電:兩個LP3982 300mA單通道LDO和兩個TLV62084 2A降壓轉(zhuǎn)換器。
2020-05-10 標(biāo)簽:fpgaDC-DC轉(zhuǎn)換器電源管理IC 1664 3
SiC MOSFET的采用是中期展望的主旋律,將迅速增長并主導(dǎo)市場份額,IDTechEx在報告中給出了各類器件的應(yīng)用時間表。雖然經(jīng)過驗證的SiC MOS...
2023-02-23 標(biāo)簽:電動汽車功率器件SiC MOSFET 1663 0
氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個原因造成的。 首先,氮化鎵是一種寬能帶隙半導(dǎo)體材料,具有較高的擊穿電場強度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較...
作為新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件,新能源汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為功率器件需求增加最快的領(lǐng)域,并且將進一步保持增長到2025年將成為需求量最大的領(lǐng)域。
功率IC是專門用于電力轉(zhuǎn)換和控制的電子器件,可以將低電壓、低電流的信號轉(zhuǎn)換為高電壓、高電流的信號。它通常被用于控制高功率電源和驅(qū)動電機等應(yīng)用,比如在工業(yè)...
【泰克電源設(shè)計與測試】致工程師系列之二:功率器件的標(biāo)定及選擇
采用雙脈沖法,用信號發(fā)生器設(shè)置脈寬為1uS,周期為2.5uS,脈沖次數(shù)為2次,示波器采用單次觸發(fā)。
近日,中國科大微電子學(xué)院兩篇論文入選第35屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會議(IEEE ISPSD)。IEEE ISPSD是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域...
我國擁有世界最大的汽車消費市場,為堅持可持續(xù)發(fā)展基本國策,需大力發(fā)展環(huán)保?節(jié)能?經(jīng)濟的電動汽車[1]?車主因擔(dān)心駕駛電動汽車突然沒電引起的焦慮問題主要有...
最近,AlGaN/GaN肖特基二極管(SBD)受到了越來越多的關(guān)注。該器件具有關(guān)斷速度快、擊穿電壓高導(dǎo)通電阻小等特點,因而被業(yè)界廣泛地認(rèn)為是下一代功率器...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用以及未來發(fā)展趨勢介紹
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。
碳化硅(SiC)功率器件市場的爆發(fā)與行業(yè)展望
隨著全球?qū)﹄妱悠嚱蛹{度的逐漸提高,碳化硅(SiC)在未來的十年里將迎來全新的增長機遇。預(yù)計,將來功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)商和汽車行業(yè)的運作商會更積極地參與到這...
功率循環(huán)對IGBT壽命有何影響?如何準(zhǔn)確估算功率器件的壽命呢?
運行過程中產(chǎn)生的高結(jié)溫和高溫度梯度會引起機械應(yīng)力,尤其是在具有不同熱膨脹系數(shù)的材料之間的接觸面上,這可能導(dǎo)致這些器件性能退化甚至完全失效。
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時消耗電力更少,持久性和可靠性更強,將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...
隨著第三代半導(dǎo)體材料如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的快速發(fā)展,功率器件的性能要求日益提高。傳統(tǒng)的封裝材料已無法滿足功率器件在高功率密度和高溫環(huán)境下...
2024-12-07 標(biāo)簽:封裝功率器件半導(dǎo)體材料 1622 0
新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)
高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱,暫態(tài)電壓失穩(wěn),慣量缺失。新能源滲透率提高,電網(wǎng)強度下降,暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...
2023-12-06 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)IGBT功率器件 1621 0
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