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功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導體器件基礎。

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功率器件技術

電源紋波的產(chǎn)生及測量方法

使用帶有地線環(huán)的示波器探頭，將探針直接接觸正輸出的管腳，線環(huán)直接接觸負輸出的管腳，這是由于使得環(huán)路盡量短，這樣從示波器中讀出的峰值為輸出線上的紋波與噪聲。

2024-03-14 標簽：示波器功率器件 EMI濾波器 1948 0

一種基于全HVPE生長的垂直GaN肖特基勢壘二極管

近日，由深圳大學和深圳信息職業(yè)技術學院組成的科研團隊，研發(fā)出了“基于全HVPE生長、具有創(chuàng)紀錄的高品質優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘...

2023-06-13 標簽：二極管功率器件 GaN 1947 0

MOSFET超過耐壓值的原因、影響及檢測方法

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2024-08-01 標簽：MOSFET 場效應晶體管功率器件 1943 0

為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位

各位小伙伴，不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位？為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位？》后反響熱烈，很多朋友留言詢問課件...

2024-12-19 標簽：MOSFET IGBT 功率器件 1940 0

二極管器件的串聯(lián)和并聯(lián)應用

二極管器件在進行串聯(lián)應用時，必須注意其靜態(tài)均壓和動態(tài)均壓。

2023-08-17 標簽：串聯(lián)并聯(lián)二極管 1938 0

大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設計方案

隨著新能源技術的快速發(fā)展，對大功率半導體器件的需求日益增加。特別是在可再生能源領域，需要能夠承載巨大電流的功率器件。然而，由于生產(chǎn)成本、技術難度以及市場...

2024-08-01 標簽：MOSFET 安森美 IGBT 1937 0

碳化硅功率器件在新能源汽車領域有哪些應用呢？

碳化硅功率器件在新能源汽車領域的應用主要有以下幾個方面

2023-07-30 標簽：新能源汽車電機控制器功率器件 1934 0

淺談氮化鎵技術應用在了哪些方面

氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料，上世紀90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應用，這些年來氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導體研究的熱點，被譽為第三代半導體，其具有更...

2023-02-06 標簽：功率器件氮化鎵 GaN 1919 0

集成電路和功率器件的區(qū)別汽車電子功率器件的特點

集成電路是將多個電子元器件（如晶體管、電阻、電容等）集成在一片半導體芯片上，形成一個完整的電路系統(tǒng)。它主要用于信號處理、數(shù)字邏輯、存儲器、微處理器等各種...

2023-06-30 標簽：集成電路微處理器晶體管 1916 0

大功率晶體管是什么器件_大功率晶體管優(yōu)缺點

大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件，屬于電力電子技術（功率電子技術）領域研究范疇。其實質就是要有效地控制功率電子器...

2023-03-01 標簽：晶體管功率器件大功率晶體管 1913 0

MOSFET的驅動技術有哪些？

MOSFET的全稱為：metal oxide semiconductor field-effect transistor，中文通常稱之為，金屬-氧化層-...

2022-12-28 標簽：MOSFET 晶體管 MOS 1913 0

硅基氮化鎵怎么制作的硅基氮化鎵的工藝流程

　　硅基氮化鎵功率器件是一種新型的功率器件，它可以提高功率器件的熱穩(wěn)定性和抗拉強度，從而提高功率器件的性能。它主要用于電子、光學、電力、航空航天等領域。

2023-02-14 標簽：功率器件硅基氮化鎵 1910 0

陽光電動力混合動力雙電機控制器四大關鍵

針對整車發(fā)動機艙裝配空間有限的痛點，HEM系列控制器基于并聯(lián)模組一體化集成設計，應用注塑銅排，減少絕緣空間占用，結構更加緊湊，實現(xiàn)高功率密度。

2023-10-09 標簽：發(fā)動機控制器電機控制器 1897 0

碳化硅(SiC)功率器件特性及應用

碳化硅是一種寬帶隙半導體材料，相比于傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的熱導率、更大的電場擊穿強度和更高的載流子遷移率等特點。

2024-04-10 標簽：電動汽車功率器件 SiC 1884 0

氮化鎵功率芯片功率曲線分析氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點

不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實...

2023-10-16 標簽：電容器功率器件氮化鎵 1882 0

功率器件與集成電路的區(qū)別

在電子工程領域，功率器件和集成電路是兩個重要的分支，它們各自在特定的應用場景中發(fā)揮著重要的作用。關于兩者間的定義常會引起混淆，接下來就讓小編來帶您梳理一...

2023-12-29 標簽：集成電路二極管 MOSFET 1879 0

功率器件封裝結構散熱設計原則

針對功率器件的封裝結構，國內(nèi)外研究機構和企業(yè)在結構設計方面進行了大量的理論研究和開發(fā)實踐，多種結構封裝設計理念被國內(nèi)外研究機構提出并研究，一些結構設...

2023-05-04 標簽：MOSFET IGBT 功率器件 1857 0

知名的功率ic品牌有哪些

以下是一些知名的功率IC品牌，排名不分先后： Infineon Technologies：Infineon的功率IC產(chǎn)品主要包括汽車電子、工業(yè)電子、消費...

2023-02-18 標簽：IC 功率器件功率IC 1855 0

功率器件熱設計基礎（三）——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本...

2024-11-05 標簽：散熱器功率器件功率半導體 1832 0

IGBT功率模塊封裝主要面臨哪些問題？

功率器件的封裝正朝著小體積和3D封裝發(fā)展，在工作損耗不變的情況下，使得器件的發(fā)熱功率密度變得更大，在熱導率和熱阻相同的情況下，會使得封裝體和裸芯的溫度更...

2023-03-20 標簽：封裝 IGBT 失效機理 1829 0

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