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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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碳化硅(SiC)功率器件的開(kāi)關(guān)性能比較
過(guò)去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開(kāi)始采用碳化硅技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊,如...
1940年貝爾實(shí)驗(yàn)室在研究雷達(dá)探測(cè)整流器時(shí),發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng),1958年美國(guó)通用電氣(GE)公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管,標(biāo)志著電力電子技...
pwm變換器驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)有哪些
PWM變換器驅(qū)動(dòng)電路是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的技術(shù),它通過(guò)調(diào)節(jié)脈沖寬度來(lái)控制功率器件的開(kāi)關(guān)狀態(tài),從而實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電壓和電流的精確控制。 PWM變換器驅(qū)...
2024-08-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路功率器件輸出信號(hào) 1512 0
同軸分流器在SiC和GaN器件中的測(cè)量應(yīng)用
隨著現(xiàn)代電力電子的高速發(fā)展,SiC/GaN 功率器件的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,工程師經(jīng)常要測(cè)量頻率高達(dá)數(shù)百 kHz,電流高達(dá)數(shù)十安培的功率電路。
電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)中IGBT全面解析
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),作為MOSFET和雙極晶體管的復(fù)合器件,是電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件,以其高工作頻率、高電流性能和低開(kāi)關(guān)損耗等特點(diǎn),確保...
2025-01-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBT晶體管 1486 0
不同電壓和功率等級(jí)的三菱電機(jī)SiC功率器件介紹
除牽引逆變器外,輔助轉(zhuǎn)換器、鐵路電池充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器尤其受益于SiC功率模塊帶來(lái)的開(kāi)關(guān)頻率提升。開(kāi)關(guān)頻率的增加通常允許減小無(wú)源元件(如變壓器、...
功率二極管是一種高電流和電壓的二極管承受能力是用于交流電源轉(zhuǎn)換成直流電源,或用于控制高壓電路的電流。功率二極管的主要特性是能夠承受大電流和電壓,因此通常...
IGBT 是應(yīng)用最廣泛的可控功率電子開(kāi)關(guān),一個(gè)200A 1200V的IGBT4芯片只有指甲大小。你能想象嗎?它可以每個(gè)周期快速關(guān)斷600安培的電流,電流...
性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應(yīng)用電子產(chǎn)品的主要關(guān)注點(diǎn)。根據(jù)任務(wù)的壽命和概況,設(shè)計(jì)人員可能會(huì)考慮在某些情況下使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但 CO...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(六)——瞬態(tài)熱測(cè)量
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-11-26 標(biāo)簽:功率器件測(cè)量熱設(shè)計(jì) 1461 0
中文相關(guān)的文章很少,英文稍多,基本都是會(huì)議文章,下了好多篇,慢慢看。 1200V/50A B6 ECP模塊與DBC模塊對(duì)比 ECP :Embedded ...
隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變和可再生能源的普及,電力電子技術(shù)在現(xiàn)代社會(huì)中的作用日益凸顯。作為電力電子技術(shù)的關(guān)鍵元件,功率器件的性能直接影響著能源轉(zhuǎn)換和使用的效...
Revasum與SGSS建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
Revasum是一家專(zhuān)門(mén)從事半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中所用資本設(shè)備的設(shè)計(jì)和制造的公司,宣布與提供高性能材料和創(chuàng)新解決方案的圣戈班表面解決方案(SGSS)建立戰(zhàn)...
小編通常在在電機(jī)控制器的設(shè)計(jì)過(guò)程中,對(duì)功率器件MOSFET的漏極電流 IDI_DID 進(jìn)行校核計(jì)算是一項(xiàng)重要工作。這里把我自己的一些推導(dǎo)過(guò)程做簡(jiǎn)單敘述,...
功率二極管的功率特性是指它在電路中的功率承受能力和穩(wěn)定性。 一般來(lái)說(shuō),功率二極管的承受功率與其封裝形式、材料、結(jié)構(gòu)等因素有關(guān)。常見(jiàn)的功率二極管封裝形式包...
提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法
對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán),測(cè)試結(jié)果用于驗(yàn)證、評(píng)價(jià)、對(duì)比功率器件的動(dòng)態(tài)特性。如何能夠高效地完成測(cè)試是工程師一...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(七)——熱等效模型
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率...
2024-12-03 標(biāo)簽:功率器件熱設(shè)計(jì)等效模型 1437 0
驅(qū)動(dòng)電機(jī)絕緣高頻高壓下的耐久性評(píng)價(jià)總結(jié)
SiC功率器件在耐壓、開(kāi)關(guān)頻率、損耗等多維度的性能優(yōu)于硅基IGBT功率器件。
2023-06-21 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT功率器件 1436 0
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