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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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激光雷達(dá)專利爭(zhēng)議新進(jìn)展,功率半導(dǎo)體TOP 10:英飛凌第一,安世入圍
? 傳感新品 【長(zhǎng)春理工大學(xué)、香港城市大學(xué):研究納米材料柔性傳感器,將提高VR逼真度、沉浸感】 長(zhǎng)春理工大學(xué)和香港城市大學(xué)的研究人員對(duì)采用不同尺寸的納米...
2023-10-17 標(biāo)簽:傳感器功率半導(dǎo)體激光雷達(dá) 1041 0
聞泰科技榮獲年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎(jiǎng)
近日,在備受矚目的2024年度全球電子成就獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮上,聞泰科技半導(dǎo)業(yè)務(wù)憑借其1200V SiC(碳化硅)MOSFET在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越表現(xiàn),榮獲“...
2024-11-18 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 1041 0
龍圖光罩科創(chuàng)板上市,引領(lǐng)半導(dǎo)體掩模版新篇章
近日,龍圖光罩在上海證券交易所科創(chuàng)板成功掛牌上市,股票代碼定為688721,以每股18.5元的發(fā)行價(jià)格亮相資本市場(chǎng),其發(fā)行市盈率高達(dá)30.2倍,彰顯了市...
2024-08-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體 1039 0
捷捷微電8英寸功率芯片項(xiàng)目+通富微電先進(jìn)封裝項(xiàng)目簽約!
5月16日,捷捷微電8英寸功率半導(dǎo)體器件芯片項(xiàng)目和通富微電先進(jìn)封裝項(xiàng)目簽約落戶蘇錫通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)。副市長(zhǎng)李玲出席活動(dòng)并見證簽約。
2024-05-19 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體 1039 0
三菱電機(jī)總裁Kei Urushima表示,聯(lián)合開發(fā)將以"從Coherent接收襯底,采用我們的技術(shù),然后將其返還給Coherent"...
2024-04-07 標(biāo)簽:三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體碳化硅 1037 0
東芝300mm晶圓功率半導(dǎo)體工廠竣工,產(chǎn)能將增至去年的2.5倍
5 月 24 日,日本東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置部于官網(wǎng)上發(fā)文稱,其 300mm 晶圓功率半導(dǎo)體制造廠與辦公室已于日前正式完工。
2024-05-24 標(biāo)簽:東芝晶圓功率半導(dǎo)體 1035 0
ROHM開發(fā)出一款高輸出功率半導(dǎo)體激光二極管RLD90QZW3
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)開發(fā)出一款高輸出功率半導(dǎo)體激光二極管RLD90QZW3,非常適用于搭載測(cè)距和空間識(shí)別用LiDAR的工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的AG...
2023-11-28 標(biāo)簽:機(jī)器人激光二極管功率半導(dǎo)體 1030 0
功率半導(dǎo)體漲價(jià)?多家A股功率半導(dǎo)體企業(yè)回應(yīng)來(lái)了
今日多家A股功率半導(dǎo)體企業(yè)表示,公司功率產(chǎn)品價(jià)格總體穩(wěn)定,近期下游行情并無(wú)重大變動(dòng)。
2024-01-22 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 1028 0
矽迪半導(dǎo)體獲數(shù)千萬(wàn)天使輪融資,提供高效功率半導(dǎo)體方案
硬氪獲悉,矽迪半導(dǎo)體(蘇州)有限公司(以下簡(jiǎn)稱「矽迪半導(dǎo)體」)2023年9月完成數(shù)千萬(wàn)天使輪融資,九合創(chuàng)投領(lǐng)投。本輪資金將主要用于產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)。
2024-04-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車升壓轉(zhuǎn)換器UPS電源 1023 0
華潤(rùn)微電子(重慶)有限公司實(shí)驗(yàn)室榮獲CNAS認(rèn)可證書
CNAS證書的取得不僅增強(qiáng)了華潤(rùn)微電子的核心競(jìng)爭(zhēng)力,利于公司快速推進(jìn)新產(chǎn)品開發(fā)、服務(wù)升級(jí)及拓展,而且加速了華潤(rùn)微電子車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地布局的建設(shè)進(jìn)程。
2024-04-03 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體華潤(rùn)微電子 1021 0
中科意創(chuàng)完成數(shù)千萬(wàn)元A+輪融資,用于功率半導(dǎo)體先進(jìn)封裝產(chǎn)線建設(shè)
近年來(lái),新能源汽車市場(chǎng)增長(zhǎng)速度飛快,2021 年國(guó)內(nèi)新能源汽車銷量約為 352 萬(wàn)輛,占全球銷量的近一半,2022年,國(guó)內(nèi)新能源乘用車市場(chǎng)當(dāng)年銷量高達(dá) ...
2023-03-22 標(biāo)簽:新能源汽車汽車電子功率半導(dǎo)體 1021 0
三菱電機(jī)與安世宣布將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體
2023年11月,日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。
概倫電子宣布正式推出芯片級(jí)HBM靜電防護(hù)分析平臺(tái)ESDi
近日,概倫電子宣布正式推出芯片級(jí)HBM靜電防護(hù)分析平臺(tái)ESDi和功率器件及電源芯片設(shè)計(jì)分析驗(yàn)證工具PTM,并開始在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)廣泛推廣。
2024-05-28 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體電源芯片靜電防護(hù) 1014 0
安建半導(dǎo)體出席第36屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際研討會(huì)
在前不久結(jié)束的ISPSD2024 征稿評(píng)比中,安建半導(dǎo)體以工作單位獨(dú)立參加碳化硅領(lǐng)域投稿,在口頭報(bào)告錄取率僅只有12.4%的激烈角逐下,成功入圍口頭報(bào)告...
2024-06-12 標(biāo)簽:集成電路功率器件功率半導(dǎo)體 1013 0
全球高性能功率半導(dǎo)體市場(chǎng)呈現(xiàn)新趨勢(shì)
Resonac(原昭和電工)是全球SiC外延片市場(chǎng)的佼佼者,該公司除了與羅姆半導(dǎo)體、英飛凌等建立長(zhǎng)期供貨關(guān)系之外,還獲得了日本企業(yè)的大量投資,以擴(kuò)大其S...
2024-01-15 標(biāo)簽:英飛凌SiC功率半導(dǎo)體 1011 0
2025年功率半導(dǎo)體的五大發(fā)展趨勢(shì)
2025 功率半導(dǎo)體的五大發(fā)展趨勢(shì):功率半導(dǎo)體在AI數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的增長(zhǎng),SiC在非汽車領(lǐng)域應(yīng)用的增長(zhǎng),GaN導(dǎo)入到快速充電器之外的應(yīng)用領(lǐng)域, 中國(guó)功率半...
2025-03-04 標(biāo)簽:電源人工智能功率半導(dǎo)體 1010 0
光芒熠熠:功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)未來(lái)科技之路
宏微科技依靠自身優(yōu)勢(shì)的長(zhǎng)期積累,成功實(shí)現(xiàn)了 IGBT、FRED 等功率半導(dǎo)體器件(涵蓋芯片、單管、模塊)的多類型產(chǎn)品布局。目前公司產(chǎn)品已涵蓋IGBT、F...
2023-11-21 標(biāo)簽:模塊IGBT功率半導(dǎo)體 1009 0
宏微科技與華泰聯(lián)合證券合作促進(jìn)科技創(chuàng)新與金融創(chuàng)新
2022年8月底,華泰聯(lián)合證券黨委書記兼董事長(zhǎng)江禹董事長(zhǎng)、董事總經(jīng)理董光啟、華泰研究所TMT負(fù)責(zé)人黃樂平等一行對(duì)宏微科技進(jìn)行訪問(wèn)交流,董事長(zhǎng)趙善麒參加了...
2022-09-05 標(biāo)簽:金融功率半導(dǎo)體宏微科技 1009 0
功率半導(dǎo)體日本有優(yōu)勢(shì),中國(guó)大舉投資
用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進(jìn)入普及階段。使用碳化硅(SiC)的半導(dǎo)體以純電動(dòng)汽 用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進(jìn)入普及階段。使用碳化...
2022-11-11 標(biāo)簽:SiC氮化鎵功率半導(dǎo)體 1008 0
鎖定大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用 飛兆強(qiáng)推SiC功率元件
為改善過(guò)去采用硅(Si)材料開發(fā)的功率元件無(wú)法耐高溫環(huán)境、低承受電壓值等缺陷,飛兆半導(dǎo)體(Fairchild)已改用碳化硅(SiC)材料量產(chǎn)雙極接面電...
2013-12-27 標(biāo)簽:飛兆SiC功率半導(dǎo)體 1007 0
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