安建成功入圍口頭報(bào)告

在前不久結(jié)束的ISPSD2024 征稿評(píng)比中，安建半導(dǎo)體以工作單位獨(dú)立參加碳化硅領(lǐng)域投稿，在口頭報(bào)告錄取率僅只有12.4%的激烈角逐下，成功入圍口頭報(bào)告，再次證明了安建半導(dǎo)體的技術(shù)和創(chuàng)新能力。

第36屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際研討會(huì)于2024年6月2日-6日在德國不來梅舉行。安建研發(fā)經(jīng)理劉永博士受邀出席此次會(huì)議，并作關(guān)于1200V-class SiC器件技術(shù)突破的口頭報(bào)告(oral presentation)，向國際專家、學(xué)者等展示公司產(chǎn)品技術(shù)進(jìn)展。安建半導(dǎo)體自成立以來，高度重視碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新，并搭建了完整的器件設(shè)計(jì)、測試、可靠性驗(yàn)證管理系統(tǒng)。

關(guān)于ISPSD

ISPSD會(huì)議 (IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)涵蓋了功率半導(dǎo)體器件、功率集成電路、功率集成、工藝、封裝和應(yīng)用的所有方面，是功率半導(dǎo)體器件和功率集成電路領(lǐng)域在國際上最重要、最具影響力的頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議，被認(rèn)為是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域的奧林匹克會(huì)議，一直以來都是國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界爭相發(fā)表重要成果的舞臺(tái)。

關(guān)于

關(guān)于安建

安建半導(dǎo)體(JSAB Technologies Limited)是一家專門從事功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)及銷售的高科技公司。安建半導(dǎo)體致力于為客戶提供國際一流、國內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件。