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標(biāo)簽 > 內(nèi)存
內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一,它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的,因此內(nèi)存的性能對計(jì)算機(jī)的影響非常大。內(nèi)存(Memory)也被稱為內(nèi)存儲器,其作用是用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù),以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。
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羅徹斯特電子支持長生命周期嵌入式系統(tǒng)的eMMC內(nèi)存解決方案
從4GB到8GB,滿足客戶的各種需求 存儲器可分為多種產(chǎn)品類型和內(nèi)存容量,以滿足客戶應(yīng)用的不同需求。嵌入式多媒體卡(eMMC)就是其中一種,是嵌入式應(yīng)用...
2024-08-12 標(biāo)簽:嵌入式系統(tǒng)內(nèi)存emmc 973 0
近日,SK海力士與美國商務(wù)部共同宣布了一項(xiàng)重大合作進(jìn)展,雙方已正式簽署了一份具有前瞻性的初步備忘錄。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容,SK海力士計(jì)劃在美國建設(shè)的先進(jìn)封裝生產(chǎn)...
三星量產(chǎn)最薄LPDDR5X內(nèi)存,技術(shù)再突破
三星電子今日正式宣告,其業(yè)界領(lǐng)先的超薄LPDDR5X內(nèi)存封裝技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段,再次引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)潮流。此次推出的LPDDR5X內(nèi)存封裝,以驚人的0.65...
M31與高塔半導(dǎo)體合作,成功開發(fā)65奈米的SRAM和ROM 先進(jìn)內(nèi)存解決方案
M31和高塔半導(dǎo)體的合作主要集中于雙方均具豐沛研發(fā)經(jīng)驗(yàn)的成熟制程上,開發(fā)65奈米制程平臺的先進(jìn)內(nèi)存編譯程序的Single Port?、One Port以...
2024-08-06 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)內(nèi)存人工智能 845 0
三星開始量產(chǎn)其最薄LPDDR5X內(nèi)存產(chǎn)品,助力端側(cè)AI應(yīng)用
三星輕薄型LPDDR5X DRAM的封裝厚度僅0.65mm,散熱控制能力更強(qiáng),適合端側(cè)AI在移動端的應(yīng)用 LPDDR封裝采用12納米級工藝,四層堆疊,在...
在選擇迷你主機(jī)時(shí),消費(fèi)者往往面臨多種選擇,而華碩作為知名的電腦硬件制造商,提供了多款性能各異的迷你主機(jī)以滿足不同用戶的需求。在面對華碩迷你主機(jī)的選擇時(shí),...
Marvell推出CXL內(nèi)存擴(kuò)展控制器Structera X 2404
在科技日新月異的今天,服務(wù)器技術(shù)的迭代升級正以前所未有的速度推進(jìn)。然而,這一進(jìn)程也伴隨著資源的巨大消耗與浪費(fèi)。隨著新一代服務(wù)器的不斷涌現(xiàn),大量基于DDR...
三星電子第二季度業(yè)績超預(yù)期,芯片與消費(fèi)電子表現(xiàn)強(qiáng)勁
三星電子近日發(fā)布了其2024年第二季度業(yè)績報(bào)告,展現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長勢頭,多項(xiàng)關(guān)鍵財(cái)務(wù)指標(biāo)均超出市場預(yù)期。本季度,三星電子實(shí)現(xiàn)凈利潤9.64萬億韓元,遠(yuǎn)超市...
芯和半導(dǎo)體出席2024 IEEE AP-S/URSI國際會議
2024年7月14日至19日,2024 IEEE AP-S/URSI國際會議在意大利佛羅倫薩舉行。芯和半導(dǎo)體在會議上宣講了關(guān)于X3D RL參數(shù)提取求解器...
2024-08-01 標(biāo)簽:內(nèi)存電子封裝芯和半導(dǎo)體 1173 0
三星第二季度業(yè)績高于預(yù)期,內(nèi)存熱潮推動半導(dǎo)體市場增長
7月31日,據(jù)官方報(bào)道,在本周三,韓國最大的半導(dǎo)體制造商三星電子對外公布了其第二季度的財(cái)務(wù)報(bào)表數(shù)據(jù)。這份報(bào)表顯示,三星電子在第二季度的總營收達(dá)到了驚人的...
DDR5 MRDIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)將發(fā),存儲廠商方案先行
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)最近,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會宣布DDR5 MRDIMM 和 LPDDR6 CAMM技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)即將推出。在標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布之前,S...
國潮加持下的性能狂飆 神凝 DDR5 系列馬甲內(nèi)存
“神凝浩渺繪綺夢,國風(fēng)科技引新潮?!鄙衲盗?是云彣(UniWhen?)在存儲浩瀚星河中繪制的綺麗夢境,猶如穿越時(shí)空的使者,引領(lǐng)科技與文化的雙重潮流。 ...
卓越性能精億內(nèi)存條赤龍銀甲系列DDR4 16G(8GX2) 3200 內(nèi)存條測評 值得推薦價(jià)格親民質(zhì)量過硬的國貨老牌
引言 ? 隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的不斷發(fā)展,內(nèi)存作為電腦的重要組成部分之一,其性能直接影響著系統(tǒng)的運(yùn)行效率。本文將對精億內(nèi)存條赤龍銀甲系列DDR4 16G(8G...
華邦高性能內(nèi)存產(chǎn)品助力節(jié)能降耗
作為利基型內(nèi)存企業(yè),華邦致力于在產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面不斷降低系統(tǒng)所需電壓和功耗,還通過先進(jìn)封裝技術(shù),不斷減少材料消耗、微縮產(chǎn)品尺寸,在為綠色發(fā)展做出貢獻(xiàn)的同時(shí),...
美光MRDIMM內(nèi)存發(fā)布,加速數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載
美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布,已出樣多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊(MRDIMM)。該款 MRDIMM 將賦能美光客戶應(yīng)對日益繁重...
2024-07-22 標(biāo)簽:內(nèi)存數(shù)據(jù)中心AI 946 0
內(nèi)存(RAM)作為電腦至關(guān)重要的組件之一,除容量這一基本要素外,頻率也是影響用戶購買選擇的關(guān)鍵指標(biāo)。通常廠商在宣稱內(nèi)存頻率時(shí),會以“MHz”作為計(jì)量單位...
2024-07-19 標(biāo)簽:內(nèi)存 5109 0
三星電子計(jì)劃2025~2026年推出LP Wide I/O內(nèi)存
在半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)中,三星電子再次展現(xiàn)了其行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的地位,通過其2024年異構(gòu)集成路線圖,向全球揭示了一款革命性的新型移動內(nèi)存——LP Wide ...
三星積極研發(fā)LLW DRAM內(nèi)存,劍指蘋果下一代XR設(shè)備市場
近日,韓媒ZDNet Korea報(bào)道,三星電子正全力投入到低延遲寬I/O(LLW DRAM)內(nèi)存的研發(fā)中,旨在為未來蘋果Vision Pro之后的下一代...
SK海力士攜手臺積電,N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,宣布將采用臺積電先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士...
三星電子公布2024年異構(gòu)集成路線圖,LP Wide I/O移動內(nèi)存即將面世
7月17日,三星電子公布了其雄心勃勃的2024年異構(gòu)集成路線圖,其中一項(xiàng)關(guān)鍵研發(fā)成果引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注——一款名為LP Wide I/O的創(chuàng)新型移動內(nèi)存...
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