這種單橋臂載波的管子，哪個管子發(fā)熱會大呢？

MOS 管的四大損耗：開通損耗，關(guān)斷損耗，導(dǎo)通損耗，續(xù)流損耗 上橋臂載波情況下：

假設(shè) I = 1A，Rdson = 3mΩ。所以

導(dǎo)通損耗：P = I^2*Rdson = 3mW

續(xù)流損耗：P = U*I = 0.7V*1A = 0.7W

四大損耗各有占比，隨著電流的變化而變化的?？梢酝ㄟ^理論去 計算，但是不準，實際情況需要通過波形測試進行計算。我們這里先 定性，不定量

定性：

假設(shè)電流很小時，開關(guān)損耗比重大，哪個管子載波哪個管子熱； 續(xù)流損耗大于導(dǎo)通損耗；

假設(shè)電流很大時，續(xù)流損耗大，哪個管子載波它的對應(yīng)同一個橋 臂的另外一個管子就熱；開關(guān)損耗占比相對較?。荒膫€管子恒通，則 相應(yīng)的導(dǎo)通損耗最小

一個周期內(nèi)，載波的管子，在 ON 期間有損耗，OFF 期間可以休息； 恒通的管子在全周期內(nèi)都有損耗；續(xù)流的管子在 ON 期間休息，OFF 期間有損耗

如果負載電流實在是太大，比如 100A，那么管子的續(xù)流相當(dāng)大， 開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗也大。那就要加散熱片，即使加散熱片，也要看 管子的制作工藝，是塑封還是金封。發(fā)熱源是晶圓，傳到散熱片上面 肯定是有熱阻的，那么如果電流太大，發(fā)熱很大，溫度就來不及傳到 散熱片上，那么 MOS 管依舊會壞掉。這個時候，我們要盡快把熱源 全部傳出來，可以分散熱源。比如采用并聯(lián) MOSFET 的方式，那么這 種方式有兩個好處，首先管子價格便宜了，熱阻也沒那么大了。其實 由于 MOSFET 是壓控型的，所以可以并聯(lián)，只要控制 GS 電壓接到同一個驅(qū)動極，所以電壓是一致的

怎么解決續(xù)流損耗的問題呢？即使 2 個并聯(lián)，承擔(dān)的續(xù)流損耗也 是很大的

當(dāng) M1 載波，M2 恒通，M4 續(xù)流時，它們的發(fā)熱是不一樣的?？?能 M4 發(fā)熱最大，M1 次之，M2 發(fā)熱最小。能不能在同一個周期內(nèi)， 讓它們之間的熱源再重新分配呢？

思路：讓熱源進行分配，大家一起來承擔(dān)

分時載波，一會兒上管載波，一會兒下管載波，這樣就把熱源分 散了

完整版技術(shù)文檔請點擊文章開頭普通下載