我們現(xiàn)在知道了，只要讓 MOSFET 有一個(gè)導(dǎo)通的閾值電壓，那么 這個(gè) MOSFET 就導(dǎo)通了。那么在我們當(dāng)前的這個(gè)電路中，假設(shè) GS 電 容上有一個(gè)閾值電壓，足可以讓 MOSFET 導(dǎo)通，而且電容沒(méi)有放電回 路，不消耗電流。那么 DS 導(dǎo)通，理論上等效電阻無(wú)窮小，我們把這 個(gè)等效電阻稱之為 Rdson。當(dāng) MOSFET 電流達(dá)到最大時(shí)，則 Rdson 必 然是最小的。對(duì)于 MOSFET 來(lái)說(shuō)，Rdson 越小，價(jià)格也就越貴。我們 說(shuō) MOSFET 從不導(dǎo)通變?yōu)閷?dǎo)通，等效內(nèi)阻 Rdson 從無(wú)窮大變成無(wú)窮小， 當(dāng)然這個(gè)無(wú)窮小也有一個(gè)值的。MOSFET 導(dǎo)通了，但是它沒(méi)有回路。

以上這些就是 MOSFET 和三極管的區(qū)別。當(dāng)我們?cè)跍y(cè)量 MOSFET 時(shí)，要想測(cè)量 Rdson，先用鑷子夾在 GS 兩端短路掉，把 GS 電壓先放 掉，放掉之后再測(cè)量 DS 兩端的阻抗，否則測(cè)出來(lái)的值就不準(zhǔn)。

接下來(lái)我們?cè)賮?lái)看 MOS 管的損耗問(wèn)題。

我們說(shuō)，盡管導(dǎo)通后 Rdson 很小，但是一旦我走大電流，比如 100A， 最終還是有損耗的。我們把這個(gè)損耗叫做 MOSFET 的導(dǎo)通損耗，這個(gè) 導(dǎo)通損耗，是由 MOSFET 的 Rdson 決定的，當(dāng) MOSFET 選型確定了之后，它的 Rdson 不再變了。

另外，DS 上流過(guò)的 Id 電流是由負(fù)載決定的。既然是由負(fù)載決定的， 我們就不能改變電流，所以，我們說(shuō) MOSFET 的導(dǎo)通損耗是由 Rdson 決定的。

我們看到，MOSFET 的 DS 之間有一個(gè)二極管，我們把這個(gè)二極管 稱為 MOSFET 的體二極管。假設(shè)正向：由 D 指向 S，那么，體二極管 的方向是跟正向相反的，而且，這個(gè)體二極管正向不導(dǎo)通，反向會(huì)導(dǎo) 通。所以，這個(gè)體二極管和普通二極管一樣，也有鉗位電壓，實(shí)際鉗 位電壓跟體二極管上流過(guò)的電流是有關(guān)系的，體二極管上流過(guò)的電流 越大，則鉗位電壓越高，這是因?yàn)轶w二極管本身有內(nèi)阻。

體二極管的功耗問(wèn)題。假設(shè)體二極管的壓降是 0.7V，那么它的功 耗 P=0.7V*I，所以，它的功耗也是由負(fù)載決定的。所以，功耗也蠻大 的。我們把體二極管的功耗稱之為續(xù)流損耗。

體二極管的參數(shù)我們?cè)趺慈ピO(shè)置呢？為了安全起見(jiàn)，體二 極管的電流，一般跟 Id 電流是接近或者相等的。另外，我們還要注 意的是，這個(gè)體二極管并不是人為的刻意做上去的，而是客觀存在的。

對(duì)于 MOSFET 來(lái)說(shuō)，我們來(lái)討論 GS 電容問(wèn)題。

我們要知道，MOSFET 其實(shí)并不是一個(gè) MOSFET，它實(shí)際上是由若 干個(gè)小的 MOSFET 合成的。既然是合成的，我們就討論下低壓 MOSFET和高壓 MOSFET 的差異。

假設(shè)功率相等：3 KW

低壓：24V 電流：125A

高壓：310V 電流：9.7A

大家看到?jīng)]有，低壓電流大，高壓電流小。從內(nèi)阻法來(lái)分析：如果電 流大，是不是等效為內(nèi)阻小??；如果電流小，是不是內(nèi)阻大啊。所以， 低壓器件要求內(nèi)阻小，高壓內(nèi)阻大了。

從電壓角度比較分析：

從耐壓來(lái)看，則多個(gè)串聯(lián)；從電流來(lái)看，則多個(gè)并聯(lián)。所以：

 低壓：24V 電流：125A 內(nèi)阻小 多個(gè)管子并聯(lián) 耐壓很難做高 

高壓：310V 電流：9.7A 耐壓高 多個(gè)管子串聯(lián) 內(nèi)阻必然大 

所以根據(jù)上面分析，得出一個(gè)結(jié)論：

高壓 MOSFET，Rdson 大；低壓 MOSFET，Rdson 小。

MOSFET 的 GS 電容：

低壓：24V 電流：125A

內(nèi)阻小 多個(gè)管子并聯(lián) 耐壓很難做高 gs 電容大

高壓：310V 電流：9.7A

耐壓高 多個(gè)管子串聯(lián) 內(nèi)阻必然大 gs 電容小

由于一個(gè) MOSFET 里面集成了大量的小的 mosfet，實(shí)際上在制造工藝的工程中，是用金子來(lái)做的。如果里面有一些管子壞了，是測(cè)量 不出來(lái)的，這就是大品牌和小品牌的差異。

我們來(lái)看一下啊，MOSFET 的 GS 電容對(duì)管子開(kāi)通特性的影 響。我們說(shuō)，高壓的管子，它的 GS 電容小。要想把管子開(kāi)通，無(wú)非 是對(duì)這個(gè)電容充電，讓它什么時(shí)候充到閾值電壓，對(duì)不對(duì)？那么我們 來(lái)看，當(dāng)電流相等的情況下，對(duì) GS 電容進(jìn)行充電。

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