MOSFET 又叫場(chǎng)效應(yīng)晶體管，那么如何去學(xué)好 MOS 管呢？大家都對(duì) 三極管有了解了，已經(jīng)弄明白了。實(shí)際上，要想學(xué)好 MOS 管，首先我 們要對(duì)標(biāo)三極管來(lái)學(xué)。我們說(shuō)，三極管有 N 管和 P 管，同樣的，MOS 管也有 N 型和 P 型。這里我們只講 N 型 MOSFET。

N 型 MOSFET 也有三個(gè)極：柵極 源極 漏極，字母表示：G D S， 對(duì)標(biāo)三極管的 b c e（如上圖所示）。三極管具有功率放大的作用， 放大的是電流，實(shí)際上是等效內(nèi)阻變小。MOS 管也具有功率放大的作 用。那么，不管三極管還是 MOS 管，它都有控制極和輸出極。

控制極的電流很小，控制信號(hào)的內(nèi)阻大

輸出極的電流很大，輸出信號(hào)的內(nèi)阻小

我們先舉例三極管，對(duì)于三極管來(lái)說(shuō)，用一個(gè)很小的 ib 電流，來(lái) 控制很大的 ic 電流。Ib 和 Ic 有β的關(guān)系，假設(shè)β是 100，那么 Ic 比 Ib 大 100 倍，等效 CE 內(nèi)阻比 BE 內(nèi)阻小了 100 倍。

三極管放大的前提條件，Ib Ic 需要有電流。什么條件下有電流 呢？Ib Ic 各自必須要有完整的回路，既然有回路，就有電流，這個(gè) 三極管的特質(zhì)。那么，既然有回路有電流，必然會(huì)產(chǎn)生功耗。

所以，電路設(shè)計(jì)中，三極管用的越多，則功耗就越大。這就是早 期的主控芯片功耗大的原因。

三極管是一個(gè)流控流型的器件，因?yàn)橛羞@個(gè)問(wèn)題的存在，我們得 改進(jìn)啊是吧，不用電流來(lái)控制呢？這樣子，場(chǎng)效應(yīng)管就應(yīng)運(yùn)而生了。 MOSFET 的誕生，需要解決三極管的瓶頸問(wèn)題。

由于三極管這里的β只有 100 倍，如果 Ic 要求是 100A，Ib 至少 要是 1A 是吧，也就是說(shuō)，你的控制極就要是 1A，如果我有 10 個(gè)， 那就要是 20A，那這要多大的電源才能提供啊，這是一個(gè)問(wèn)題，對(duì)不 對(duì)啊?？刂齐娏魈螅箅娫刺峁└蟮哪芰?。

我們?cè)賮?lái)看下面一個(gè)問(wèn)題：

Ib 是 1A，那么 BE 壓降是多少呢，也就是 Vbe = 0.7V。如果說(shuō) 0.7V*Ib=0.7V*1A=0.7W，功耗 Pb 就是 0.7W 了。Ic=100A，Vce=0.3V， Pc=30W。這些都會(huì)在三極管里消耗，也就是說(shuō)三極管本身就要差不多 消耗 30W，很明顯，我們?yōu)榱丝刂?100A，這個(gè)管子就要消耗 30W。如 果 10 個(gè)管子，就要 300W。那這個(gè)電路就無(wú)法設(shè)計(jì)了啊。而且 30W 的 管子，發(fā)熱是無(wú)法承受的，所以說(shuō)就無(wú)法使用。

所以說(shuō)，我們就得出結(jié)論：晶體管它的功率和電流不能太大，有 上限限制，基本上都是 mA 級(jí)別，也有 A 級(jí)別，但是那個(gè)就用的很少 了。我們就把希望寄托于場(chǎng)效應(yīng)管上面，它是一個(gè)新事物的誕生，它 一定要解決功耗的問(wèn)題，也就是解決電流的問(wèn)題，任何一個(gè)器件都是 有內(nèi)阻的。要想沒(méi)有功耗，就不能有電流，不能有電流應(yīng)該怎么辦？

在電子世界中，除了電流是電壓，既然流控型不行，那么能不能 做一個(gè)壓控型的呢？這個(gè)管子的導(dǎo)通不導(dǎo)通只關(guān)注電壓的閾值，那么 這個(gè)時(shí)候就讓電流很小，就能解決這個(gè)問(wèn)題。

對(duì)于 MOSFET 來(lái)說(shuō)，GS 內(nèi)部有一個(gè)電容存在的。充滿電后，維持 住這個(gè)電壓，那么就持續(xù)導(dǎo)通了。

在充電過(guò)程中，是消耗電流和產(chǎn)生功耗的；當(dāng)充電完成后，電容 上是沒(méi)有電流的，沒(méi)有電流，則沒(méi)有損耗。那么，這個(gè)時(shí)候功耗很低 了。

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