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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMT6012LFDF 60V N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMT6012LFDF

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMT6012LFDF
  • 名稱 60V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6 (Type F)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMT6012LFDF 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMT6012LFDF 這種新一代MOSFET的設(shè)計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））同時保持優(yōu)異的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMT6012LFDF
名稱                  60V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  U-DFN2020-6 (Type F)

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
PD @TC = +25°C (W) 11 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 14 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 21 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 7.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 13.6 nC
CISS Typ (pF) 785 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
生產(chǎn)中的100%無阻尼感應(yīng)開關(guān)（UIS）測試--
確保更加可靠和穩(wěn)健的最終應(yīng)用程序
0.6mm輪廓——適用于低輪廓應(yīng)用
PCB占地面積4mm2
低導通電阻


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