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      標(biāo)簽　>　FET

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      FET簡(jiǎn)介

      　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件

      FET百科

      　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。

      　　FET電路工作原理

      　　一般在網(wǎng)上只有三極管放大電路的原理，而FET的工作原理很少提及，現(xiàn)在我簡(jiǎn)單地分析一下它的放大原理：電路中柵極的直流電位VG是電源電壓VDD被偏壓電阻R3和R2分壓后的電位，即：VG=R2/（R1+R2）*VDD。這與三極管發(fā)射極接地的放大電路基極直流電位相同。但是由于雙極型晶體管中有基極電流流動(dòng)，所以實(shí)際基極電位要比電源被R2和R3分壓要低一些（晶體管是電流控制電流，F(xiàn)ET是電壓控制電流）。但對(duì)于FET，由于柵極沒(méi)有電流流過(guò)，所以實(shí)際的柵極電位就是分壓公式所求得的值。源極的直流電位VS比VG高出柵極源極間電壓VGS的值，即： VS=VG+VGS 實(shí)際上，VGS是以源極為基準(zhǔn)的，像N溝JFET那樣，當(dāng)源極電位比柵極高應(yīng)該給VGS置以負(fù)號(hào)。因此，VS等于將VGS加到VG上時(shí)，就成為： VS=VG-VGS 雙極晶體管VBE=0.6V或者0.7V，是能夠相互置換的。但是對(duì)于FET來(lái)說(shuō)，當(dāng)器件型號(hào)和工作點(diǎn)（ID）不同時(shí)，VGS的值是不同的。流過(guò)源極的直流電流Is可以由下式求得： Is=VS/RS=（VG-VGS）/RS 漏極的直流電位VD是從電源電壓VDD減去RD上的電壓降的部分。如果漏極電流的直流成分為ID，則有： VD=VDD-ID*RD 由于FET的柵極上沒(méi)有電流流過(guò)，ID=IS，所以上式也可以寫成： VD=VDD-Is*RD 下面來(lái)求它的交流放大倍數(shù)。

      FET電路

      　　由輸入Vi引起的源極電流表的交流變化量#is為： #is=vi/RS 高漏極電流的交流變化量為#id，那么可以認(rèn)為vd的交流變化量#vd就是#id在漏極電阻RD上的電壓降，即： #vd=#id*RD 又因?yàn)槁O電流和源極電流相等，所以#vd為： #vd=#is*RD=vi/RS*RD 另外，交流輸出電壓vo是被輸出電容C2隔斷VD的直流成分后的成分，也就是vd的交流成分#vd，即： Vo=#vd=vi/RS*RD 所以不難求得：交流放大倍數(shù)Av為： Av=vo/vi=RD/RS

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      fet知識(shí)

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      fet技術(shù)

      TPS51463 具有 2 位 VID 的 3.3V/5V 輸入、D-CAP+ ? 模式同步降壓集成 FET 轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS51463 具有 2 位 VID 的 3.3V/5V 輸入、D-CAP+ ? 模式同步降壓集成 FET 轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS51463 是一款完全集成的同步降壓穩(wěn)壓器 使用 D-CAP+?。它用于高達(dá) 5V 的降壓系統(tǒng)。 尺寸非常寶貴，性能和優(yōu)化的 BOM 是必不可少的...

      2025-07-01 標(biāo)簽：電容器轉(zhuǎn)換器FET 72 0

      TPS51367 具有超低靜態(tài)電流的 3V 至 22V、12A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS51367 具有超低靜態(tài)電流的 3V 至 22V、12A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS51367 是一款集成 FET 的高壓輸入同步轉(zhuǎn)換器，基于 DCAP-2 控制拓?fù)?，可?shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng) 并支持 POSCAP 和所有 MLCC 輸...

      2025-06-28 標(biāo)簽：電容器封裝技術(shù)FET 180 0

      TPS544C20 具有 PMBus 可編程性和監(jiān)控功能的 4.5V 至 18V、30A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS544C20 具有 PMBus 可編程性和監(jiān)控功能的 4.5V 至 18V、30A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS544B20 和 TPS544C20 器件是兼容 PMBus 的非隔離式直流/直流集成 FET 轉(zhuǎn)換器，能夠高頻運(yùn)行，并通過(guò) 5 mm × 7 m...

      2025-06-25 標(biāo)簽：電容器電感器輸出電壓 166 0

      TPS544B20 具有 PMBus 可編程性和監(jiān)控功能的 4.5V 至 18V、20A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS544B20 具有 PMBus 可編程性和監(jiān)控功能的 4.5V 至 18V、20A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS544B20 和 TPS544C20 器件是兼容 PMBus 的非隔離式直流/直流集成 FET 轉(zhuǎn)換器，能夠高頻運(yùn)行，并通過(guò) 5 mm × 7 m...

      2025-06-25 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電感器FET 168 0

      TPS54336A 4.5V 至 28V 輸入，3A，帶 Eco-mode（tm） 的同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS54336A 4.5V 至 28V 輸入，3A，帶 Eco-mode（tm） 的同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS5433xA 系列器件是同步轉(zhuǎn)換器 輸入電壓范圍為 4.5 至 28 V。這些器件包括一個(gè)集成的低側(cè)開(kāi)關(guān) FET 無(wú)需外部二極管，從而減少了元件數(shù)...

      2025-06-24 標(biāo)簽：元件FET引腳 191 0

      TPS54335A 4.5V 至 28V 輸入、3A、同步、具有 Eco 模式的降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS54335A 4.5V 至 28V 輸入、3A、同步、具有 Eco 模式的降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS5433xA 系列器件是同步轉(zhuǎn)換器 輸入電壓范圍為 4.5 至 28 V。這些器件包括一個(gè)集成的低側(cè)開(kāi)關(guān) FET 無(wú)需外部二極管，從而減少了元件數(shù)...

      2025-06-24 標(biāo)簽：MOSFET元件FET 183 0

      UCC28911 700V 反激式開(kāi)關(guān)，具有恒壓恒流和初級(jí)側(cè)調(diào)節(jié)功能數(shù)據(jù)手冊(cè)

      UCC28911 700V 反激式開(kāi)關(guān)，具有恒壓恒流和初級(jí)側(cè)調(diào)節(jié)功能數(shù)據(jù)手冊(cè)

      UCC28910 和 UCC28911 是高壓反激式開(kāi)關(guān)，可提供 輸出電壓和電流調(diào)節(jié)，無(wú)需使用光耦合器。 這兩個(gè)器件都集成了一個(gè) 700 V 功率 FE...

      2025-06-23 標(biāo)簽：光耦合器輸出電壓FET 209 0

      TPS544C25 具有 PMBus 和頻率同步功能的 4.5V 至 18V、30A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS544C25 具有 PMBus 和頻率同步功能的 4.5V 至 18V、30A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS544x25 器件是符合 PMBus 1.2 標(biāo)準(zhǔn)的非隔離式直流/直流轉(zhuǎn)換器，具有集成 FET，能夠從 5mm × 7mm 封裝實(shí)現(xiàn)高頻運(yùn)行和 2...

      2025-06-23 標(biāo)簽：接口直流轉(zhuǎn)換器輸出電壓 197 0

      TPS544B25 具有 PMBus 和頻率同步功能的 4.5V 至 18V、20A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS544B25 具有 PMBus 和頻率同步功能的 4.5V 至 18V、20A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS544x25 器件是符合 PMBus 1.2 標(biāo)準(zhǔn)的非隔離式直流/直流轉(zhuǎn)換器，具有集成 FET，能夠從 5mm × 7mm 封裝實(shí)現(xiàn)高頻運(yùn)行和 2...

      2025-06-23 標(biāo)簽：直流轉(zhuǎn)換器輸出電壓FET 196 0

      TPS54335-1A 4.5V 至 28V 輸入、3A、同步、降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS54335-1A 4.5V 至 28V 輸入、3A、同步、降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      TPS5433xA 系列器件是同步轉(zhuǎn)換器 輸入電壓范圍為 4.5 至 28 V。這些器件包括一個(gè)集成的低側(cè)開(kāi)關(guān) FET 無(wú)需外部二極管，從而減少了元件數(shù)...

      2025-06-20 標(biāo)簽：元件FET基準(zhǔn)電壓 224 0

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      fet資訊

      Nexperia擴(kuò)展E-mode GaN FET產(chǎn)品組合

      Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場(chǎng)對(duì)更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求。這些新型低壓...

      2025-03-19 標(biāo)簽：FETGaNNexperia 673 0

      一文解析現(xiàn)代場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)

      一文解析現(xiàn)代場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)

      朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請(qǐng)的專利為場(chǎng)效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個(gè)工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）直到1945年才出現(xiàn)，但這個(gè)想...

      2025-01-23 標(biāo)簽：FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 691 0

      先進(jìn)制程面臨哪些挑戰(zhàn)

      在2024年底剛開(kāi)過(guò)IEDM的主題演講（keynote speech），二維場(chǎng)效電晶體（2D Field Effect Transistor；2D FE...

      2025-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體FET先進(jìn)制程 651 0

      安世半導(dǎo)體榮獲2024行家極光獎(jiǎng)年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)

      在2024年12月12日落幕的行家說(shuō)三代半年會(huì)上，行業(yè)內(nèi)上下游主流企業(yè)及行業(yè)精英匯聚深圳，共同探討行業(yè)趨勢(shì)，深化交流合作。安世半導(dǎo)體作為其中的重要一員，...

      2024-12-17 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管FETGaN 837 0

      MS8258D——高增益帶寬積 FET 輸入放大器

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      MS8258D 是一款具有 CMOS 輸入的低噪聲運(yùn)算放大器，適用于寬帶跨阻和電壓放大器應(yīng)用。提供方案和FAE支持，歡迎了解

      2024-11-28 標(biāo)簽：CMOSFET輸出放大器 969 0

      利用碲化汞（HgTe）膠體量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)達(dá)18 μm的光探測(cè)

      利用碲化汞（HgTe）膠體量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)達(dá)18 μm的光探測(cè)

      膠體量子點(diǎn)（CQD）憑借其具有高通量溶液加工能力以及紫外（UV）到紅外（IR）波段的寬帶隙可調(diào)諧性，因而在光電子器件中備受關(guān)注。

      2024-04-23 標(biāo)簽：FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管光電子器件 2396 0

      利用連續(xù)滴定工藝制備一種高品質(zhì)HgTe量子點(diǎn)短波紅外探測(cè)器

      利用連續(xù)滴定工藝制備一種高品質(zhì)HgTe量子點(diǎn)短波紅外探測(cè)器

      碲化汞（HgTe）納米晶體具有可調(diào)諧紅外吸收光譜、溶液可加工性、低制造成本以及易與硅基電路集成等特點(diǎn)。

      2024-04-07 標(biāo)簽：FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管紅外探測(cè)器 1155 0

      Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列

      Nexperia（安世半導(dǎo)體）再次在 APEC 上展示產(chǎn)品創(chuàng)新，宣布發(fā)布幾款新型 MOSFET，以進(jìn)一步拓寬其分立開(kāi)關(guān)解決方案的范圍，可用于多個(gè)終端市場(chǎng)...

      2024-02-29 標(biāo)簽：繼電器MOSFETFET 981 0

      OVP可調(diào)過(guò)壓過(guò)流保護(hù)芯片集成功率FET開(kāi)關(guān)

      OVP可調(diào)過(guò)壓過(guò)流保護(hù)芯片集成功率FET開(kāi)關(guān)

      概述： PC9094過(guò)電壓和過(guò)電流保護(hù)該器件具有低80mΩ（TYP）導(dǎo)通電阻集成MOSFET，主動(dòng)保護(hù)低電壓 系統(tǒng)的電壓供應(yīng)故障高達(dá)+29V直流電。輸入...

      2023-12-29 標(biāo)簽：芯片過(guò)流保護(hù)FET 1485 0

      針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

      GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù)，開(kāi)創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相...

      2023-12-24 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管FET氮化鎵 1077 0

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      fet數(shù)據(jù)手冊(cè)

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      • trinamic
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        +關(guān)注
        TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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        無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
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        艾德克斯
        +關(guān)注
        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
      • 快充
        快充
        +關(guān)注
        目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
      • Qi標(biāo)準(zhǔn)
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        +關(guān)注
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        Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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      • A4WP
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        +關(guān)注
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        MAX660
        +關(guān)注
        MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
      • 智能變電站
        智能變電站
        +關(guān)注
        采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
      • USB PD
        USB PD
        +關(guān)注
      • 太陽(yáng)能充電
        太陽(yáng)能充電
        +關(guān)注
      • PSR
        PSR
        +關(guān)注
      • 浪涌抑制器
        浪涌抑制器
        +關(guān)注
      • 光伏并網(wǎng)逆變器
        光伏并網(wǎng)逆變器
        +關(guān)注
        逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
      • 納微半導(dǎo)體
        納微半導(dǎo)體
        +關(guān)注
        Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
      • USB-PD
        USB-PD
        +關(guān)注
      • PWM信號(hào)
        PWM信號(hào)
        +關(guān)注
        脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
      • 醫(yī)療電源
        醫(yī)療電源
        +關(guān)注
      • DCDC電源
        DCDC電源
        +關(guān)注
        DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
      • 共享充電寶
        共享充電寶
        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
      • 系統(tǒng)電源
        系統(tǒng)電源
        +關(guān)注
      • 董明珠
        董明珠
        +關(guān)注
        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
      • LT8705
        LT8705
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