在2024年12月12日落幕的行家說三代半年會上，行業(yè)內(nèi)上下游主流企業(yè)及行業(yè)精英匯聚深圳，共同探討行業(yè)趨勢，深化交流合作。安世半導體作為其中的重要一員，憑借其領先產(chǎn)品“針對工業(yè)和可再生能源應用的CCPAK封裝GaN FET”榮獲「GaN年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎」，這一成就不僅展現(xiàn)了安世半導體作為基礎半導體全球領導者的強大實力，也彰顯了其在第三代半導體領域深耕多年的成果。

Nexperia GaN產(chǎn)品線資深市場拓展經(jīng)理成皓先生代表安世半導體領獎。

同期舉行的SiC & GaN技術應用創(chuàng)新峰會上，成皓帶來了《安世半導體GaN FET如何助力新能源行業(yè)創(chuàng)新》的專題報告。

他指出，隨著全球對可再生能源的需求不斷增長，GaN技術憑借其高效能和高頻率特性，正在成為推動新能源設備性能提升的關鍵因素。目前，安世半導體是業(yè)內(nèi)可同時提供級聯(lián)型（Cascode）和增強型（e-mode）氮化鎵器件的供應商，產(chǎn)品具有較低的反向恢復電荷、卓越的溫度穩(wěn)定性等優(yōu)勢，為新能源應用降本增效提供優(yōu)良方案。

獲獎產(chǎn)品

針對工業(yè)和可再生能源應用的CCPAK封裝GaN FET

GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用CCPAK1212i頂部散熱封裝技術，開創(chuàng)了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相結合的新時代。

這項技術為太陽能和家用熱泵等可再生能源應用帶來諸多優(yōu)勢，進一步加強了Nexperia為可持續(xù)應用開發(fā)前沿器件技術的承諾。該技術還適用于廣泛的工業(yè)應用，如伺服驅動器、開關模式電源(SMPS)、服務器和電信應用。

GAN039-650NTB的級聯(lián)配置使其能夠提供出色的開關和導通性能，此外其穩(wěn)健可靠的柵極結構可提供較高的噪聲容限。這一特性還有益于簡化應用設計，無需復雜的柵極驅動器和控制電路，只需使用標準硅MOSFET驅動器即可輕松驅動這些器件。Nexperia的GaN技術提高了開關穩(wěn)定性，并有助于將裸片尺寸縮小約24%。此外，器件的RDS(on)在25℃時僅為33 mΩ（典型值），同時其具有較高的門極閾值電壓和較低的等效體二極管導通壓降。

Nexperia (安世半導體)

Nexperia（安世半導體）總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導體公司，目前在歐洲、亞洲和美國共有14,000多名員工。作為基礎半導體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領跑者，Nexperia（安世半導體）的器件被廣泛應用于汽車、工業(yè)、移動和消費等多個應用領域，幾乎為世界上所有電子設計的基本功能提供支持。

Nexperia（安世半導體）為全球客戶提供服務，每年的產(chǎn)品出貨量超過1,000億件。這些產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業(yè)基準，獲得廣泛認可。Nexperia（安世半導體）擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴充的產(chǎn)品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證，充分體現(xiàn)了公司對于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴苛要求的堅定承諾。