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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN31D4UFZ N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN31D4UFZ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN31D4UFZ
  • 名稱(chēng) N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 X2-DFN0606-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN31D4UFZ  

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN31D4UFZ 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))同時(shí)保持卓越的切換性能,使其成為理想之選,用于高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMN31D4UFZ
名稱(chēng)                N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                 X2-DFN0606-3

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.31 A
PD @TA = +25°C (W) 0.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 1500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 2000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 3000 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.3 nC
CISS Typ (pF) 15.4 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V

 

主要特征
低封裝外形,最大封裝高度0.4mm
0.62mm x 0.62mm封裝外形
低導(dǎo)通電阻
極低柵極閾值電壓,最大1.0V
ESD保護(hù)門(mén)

 

相關(guān)型號(hào)
DMN31D4UFZ
DMN31D5L
DMN31D5UDA
DMN31D5UDAQ
DMN31D5UDJ
DMN31D5UFO
DMN31D5UFZ
DMN31D5UFZQ
DMN31D6UT
DMN3200U
DMN3270UVT
DMN32D0LFB4
DMN32D0LV
DMN32D0LVQ
DMN32D2LDF
DMN32D2LFB4
DMN32D4SDW
DMN3300U
DMN3300UQ
DMN33D8L
DMN33D8LDW
DMN33D8LDWQ
DMN33D8LT
DMN33D8LTQ
DMN33D8LV
DMN33D8LVQ
DMN33D9LV
DMN3401LDW
DMN3401LDWQ
DMN3401LV
DMN3401LVQ
DMN3404L

 

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