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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN3023L N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN3023L

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN3023L
  • 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3023L 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN3023L 這種新一代MOSFET的設(shè)計目的是將導(dǎo)通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON）），同時保持卓越的切換性能，是高效電源管理的理想選擇。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN3023L
名稱                N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                SOT23


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 25 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 28 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 68 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.8 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 18.4 nC
CISS Typ (pF) 873 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
ESD保護柵極

 

相關(guān)型號
DMN3023L
DMN3024LK3
DMN3024LSD
DMN3024LSS
DMN3024SFG
DMN3025LFDF
DMN3025LFG
DMN3025LFV
DMN3025LSS
DMN3026LVT
DMN3026LVTQ
DMN3027LFG
DMN3028L
DMN3028LQ
DMN3029LFG
DMN3030LSS
DMN3032LE
DMN3032LFDB
DMN3032LFDBQ
DMN3032LFDBWQ
DMN3033LDM
DMN3033LSD
DMN3033LSDQ
DMN3033LSN
DMN3033LSNQ
DMN3035LWN

 

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