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DMN3020UFDF 30V N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN3020UFDF

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN3020UFDF
  • 名稱 30V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3020UFDF  

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN3020UFDF 這種MOSFET被設計為最小化導通電阻（RDS（ON）），同時保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN3020UFDF
名稱                30V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                U-DFN2020-6


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.4 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 15 A
PD @TA = +25°C (W) 2.03 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 19 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 25 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 40 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 15 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 27 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 1304 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
0.6 毫米輪廓 – 薄型應用的理想選擇
PCB 占地面積為 4mm2
低柵極閾值電壓
開關速度快
ESD保護柵極

 

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