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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2075UDW 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號： DMN2075UDW

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2075UDW
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT363

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2075UDW 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2075UDW 這款新一代 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合手持式應(yīng)用。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2075UDW
名稱               N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               SOT363


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.8 A
PD @TA = +25°C (W) 0.58 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 48 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 59 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 70 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 7 nC
CISS Typ (pF) 594 pF

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
切換速度快
低輸入/輸出泄漏


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