SuperFET
III MOSFET是安森美半導(dǎo)體的全新高壓超結(jié)（SJ）MOSFET系列，利用均衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進(jìn)技術(shù)專為最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能和極高的dv / dt速率而定制。因此，SuperFET III MOSFET非常適用于各種小型化和高效率的電源系統(tǒng)。超級(jí)MOSFET III FRFET
MOSFET的優(yōu)化反向恢復(fù)性能體二極管可以去除額外的元件并提高系統(tǒng)可靠性。 700 V @ T = 150°C 低效輸出電容（典型值Coss（eff。） = 248 pF） 超低柵極電荷（典型值Qg = 24 nC） 內(nèi)部柵極電阻：8.7ohm 優(yōu)化電容 典型。 R =222mΩ 100％雪崩測(cè)試 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) 波峰焊保證 < / DIV>